Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

2Î8134

ОП ИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиз

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22,VI.1966 (№ 1085215/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 28.II.1968

Кл. 21g, 11/02

МПК H 01l

УДК 621 382 032 27 621

792 3(088 8) Комитет оо делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. A. Филатов и H. В. Резниченко

Заявитель

СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ ВЫВОДОВ

К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых приборов, в частности, к способам осуществления выводов полупроводниковых приборов.

Известны разнообразные способы осуществления выводов к металлизированным (любым способом, в том числе и электролитическим осаждением металла) поверхностям электродов полупроводниковых приборов, такие как термокомпрессия, пайка, механическое контактирование и др. Эти способы осуществления выводов обладают рядом недостатков. Вот некоторые из них.

Методы термокомпрессии и пайка различными припоями осуществляются при нагревании соединяемых электродов до относительно высоких температур, за исключением случая холодной пайки, со взаимной диффузией золота и галлия, которая идет с образованием твердого раствора, но требует значительного времени, механические прижимные контакты не всегда обеспечивают надежное соединение выводов с р-и-переходом и не обеспечивают надежного теплоотвода.

Предложенный способ присоединения вывода к металлизированной поверхности электрода позволяет обеспечить: а) высокую механическую прочность соединения, б) хорошую тепло- и электропроводность, в) возможность присоединения вывода, без применения нагрева, г) возможность присоединения вывода к р-и-переходам сравнительно малой площади, д) возможность нагрева места соединения до сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодаря тому, что проводят гальванические осаждения слоя металла из электролита, содержащего

10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицательного потенциала относительно электролита.

Способ, осуществляемый согласно данному изобретению, состоит в следующем:

На пленке Si02 над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 мкз), 20 через которое производится напыление тонкого слоя сплава AgAuSb на поверхность полупроводника с одновременным вплавлением его.

Далее производится осаждение меди на

25 сплав AgAuSb и вжигание ее для прочного сцепления со сплавом в водороде при температуре 300 С в течение 10 мин. С металлизированной поверхностью электрода приводится

B соприкосновение золотая проволока диамет30 ром 8 — 10 лк и проводится осаждение меди

208134

Предмет изобретения

Редактор В. В. Сорокин Техред Т. П. Курилко Корректоры: Л. В. Наделяева н И. Л. Кириллова

Заказ 19/6 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 одновременно на металлизированную поверхность электрода и на золотую проволоку из электролита состава

CuSO4 ° 5H O 200 г/л

Н2$04 (конеч) 50 г/л

Н20 1 л плотность тока электролитического осаждения — 5 ма/мма.

Способ присоединения выводов к полупроводниковым приборам путем металлизации электродов и приведением вывода в контакт с металлизированной поверхностью, отличаю. бийся тем, что, с целью повышения надежности соединения, место соприкосновения вывода с металлизированной поверхностью электрода покрывают электролитом, содержащим ионы металла, тождественные материалу металлизированной поверхности электрода полупроводникового прибора и вывода, после чего проводят электролитическое осаждение металла до получения надежного контакта между выводами и металлизированной поверхностью.