Патент ссср 208366

Патент ссср 208366

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик — I

Зависимое от авт. свидетельства №

36

36. 00

Заявлено 12. Л1,1965 (№ 1016817/26-25) 06f

03k

8-091.81 (088.8) Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 29.XII.1967. Бюллетень № 3

Дата опубликования описания 25.111.1968

Автор изобретения

В. Г. Фильков

Заявитель

НЕЙРИСТОР с присоединением заявки №

Известны нейристоры, представляющие собой распределенную многослойную структуру, состоящую из нескольких полупроводниковых слоев и двух шин питания.

Описываемый нейристор отличается тем, что полупроводниковые слои представляют собой два распределенных транзистора (один р-п-р, а другой n-p-n типа) и один распрвделенный туннельный диод. По коллекторам транзисторов проложены шины питания, а диод расположен между эмиттерами транзисторов. Базы транзисторов по всей длине соединены с источником смещения через распределенные сопротивления.

Нейристор возбуждается и передает возбуждение посредством двуполярных электрических импульсов. Возбуждение и формирование импульсов по амплитуде происходит вследствие туннельного эффекта в распреде. ленном туннельном диоде. Длительность формируемых импульсов определяется зарядом н разрядом емкостей переходов эмиттер — база двух распределенных транзисторов.

Схема описываемого нейристора предусматривает возможность триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами.

Триггерное соединение двух нейристоров осуществляется соединением эмиттеров .р-и-р транзисторов обеих линий при помощи распределенного сопротивления, а также соединением эмиттеров и-р-п транзисторов при помощи такого же сопротивления.

Рефракторное соединение двух нейристоров осуществляется перекрестным включением pai,пределенных сопротивлений между эмиттером р-п-р транзистора первой линии и эмиттером и-р-и транзистора второй линии, а также между эмиттером и-р-п транзистора первой линии и эмиттером р-и-р транзистора второй линии.

Предмет изобретения

Нейристор, представляющий собой распределенную структуру, состоящую из нескольких полупроводниковых слоев и двух шин питания, отличающийся тем, что, с целью формироьания импульса по амплитуде и по длительности, а также возможности триггерного и рефракторного соединения с другими нейристорами, он выполнен в виде двух распределенных транзисторов (один р-п-р, а другой п-р-п типа), по коллекторам которых проложены шины питания, а между эмиттерами раоположен распределенный туHíåëьный диод; базы транзисторов по всей длинс соединены с источником смещения через распределенные сопротивления.