Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла

Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

с

М 21272, /

Йвторекое евидетелытво на изобретение:

Класс 21 g, 10

ОПИСАНИЕ способа изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла.

К авторскому свидетельству В. П. Вологдина, заявленному 13 марта

1930 года (заяв. свид, № бб289).

0 выдаче авторского свидетельстваопубликоваио 31 июля 1931 года.

Н. В..r

При изготовлении конденсаторов с диэлектриком из монокристалла возможно получение значительйой емкости при сравнительно больших расстояниях между обкладками, вследствие высокой диэлектрической постоянной некоторых кристаллов, например,- сегнетовой соли.

Однако, обработка таких кристаллов весьма затруднительна. Настоящее изобретение касается способа изготовления, конденсаторов из монокристаллов и имеет . целью устранить обработку их.

На чертеже фиг. 1-изображает сосуд с кристаллизатором и погруженными в него пластинами изготовляемого конденсатора; фиг. 2, 3 и 4 — пластины для конденсатора различной формы выполнения.

В сосуц 4 с кристаллизе1тором опускаются проводящие обкладки 1, 2 конденсатора, как показано на фиг. 1.

Можно также сразу поместить целый ряд обкладок 1, 1, 1" и 1, 2, 2", если нужно получить значительную емкость.

После кристаллизации диэлектрика пластины 1, 1, 1" точно так же, как и пластины 2, 2, 2", соединяются общими проводниками и образуют конденсатор.

Пластинам можно придать форму сеток, как показано на фиг. 2, или заменить их проводниками, натянутыми в шахмат.ном или ином- порядке, как показано на фиг. 3 и 4. Если соединить проволоки, ° обозначенные крестом, вместе и проволоки, обозначенные кружком, также вместе, то образуются две обкладки конденсатора, при чем для надлежащей ориентировки кристаллографических осей ! образующегося монокристалла кристаллизатор можно поместить в магнитное или электрическое поле, ориентированное надлежащим образом.

Предмет изобретения. !

1. Способ изготовления конденсаторов с диэлектриком из монокристалла, отличающийся тем, что при образовании кристаллического диэлектрика обкладки конденсатора помещаются в кристалли» затор и самый процесс кристаллизации идет между этими обкладками.

2. При способе, охарактеризованном в и. 1, применение для ориентировки кристаллографических оЧей диэлектрика относительно обкладок магнитного или электрического поля, проходящего через кристаллизатор.

3. При способе, охарактеризрванном в и. 1, применение в качестве обкладок системы, состоящей из ряда сеток, между которыми и идет кристаллизация.

4, При способе, охарактеризованном в и ° 1, применение в качестве обкладок системы проволок, расположенных рядами в шахматном или другом порядке (фиг. 3, 4).