Резистивный материал
Патент 2142658
Авторы
Классы МПК
- H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или
- H01C7/108 - из оксидов металлов
- H05B3/10 - нагревательные элементы, отличающиеся по составу или структуре материалов или выполнению проводников (состав материала как таковой см. соответствующие подклассы)
Резистивный материал
Реферат
Изобретение относится к электротехнике может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC. Резистивный материал включает полутороокись висмута (Вi2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас. % и полутороокись неодима (Nd2O3) в количестве 5,0 - 95,0 мас.%. Кроме того, дополнительно резистивный материал может содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%. Изобретение позволяет получить пленочные резисторы, характеризующиеся высокой температурной стабильностью. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при формировании пленочных резисторов с высоким удельным сопротивлением и высокой температурной стабильностью в диапазоне рабочих температур до 400oC.
Известен материал на основе полутороокиси висмута с добавками окислов цинка и кобальта при различном содержании компонентов - от 0,065 до 90% (патент Японии N 51-2638, кл. 62 A 221.1, 30.11.76). Такой материал имеет низкую температурную стабильность. Наиболее близким техническим решением является резистивный материал на основе полутороокиси висмута с добавкой полутороокиси лантана при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%: Bi2O3 - 90,0 - 99,9 La2O3 - 0,1 - 10,0 (авторское свидетельство N 945909, кл. H 01 C 7/00, 1981). Такой материал также характеризуется низкой температурной стабильностью и не может быть использован для формирования высокоомных стабильных пленочных резисторов. Задачей, на решение которой направлено изобретение, является повышение температурной стабильности пленочных резисторов из этого материала. Поставленная задача решается тем, что резистивный материал, включающий полутороокись висмута, содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%: Bi2O3 - 5,0 - 95,0 Nd2O3 - 5,0 - 95,0 Резистивный материал может дополнительно содержать двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0%. Были приготовлены образцы заявляемого резистивного материала с различной концентрацией входящих в его состав компонентов, из которых методом традиционной толстопленочной технологии, включающей шелкотрафаретную печать с последующим вжиганием, были получены пленочные резисторы. Результаты сведены в таблицу. Как следует из таблицы, пленочные резисторы из предлагаемого материала характеризуются высокой температурной стабильностью, а сам материал имеет простой химический состав.Формула изобретения
1. Резистивный материал, включающий полутороокись висмута, отличающийся тем, что он содержит полутороокись неодима при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%: BiO3 - 5,0 - 95,0 Nd2O3 - 5,0 - 95,0 2. Резистивный материал по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит двуокись рутения (RuO2) в количестве 1,0 - 10,0 мас.%.РИСУНКИ
Рисунок 1