Способ измерения критического тока сверхпроводника
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности, критического тока. Технический результат заключается в повышении точности оценки токонесущей способности сверхпроводника. Сверхпроводник размещают между полюсами магнитной системы, создающей в его локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией В, и измеряют величину критического тока этой локальной области для данного значения индукции. 2 ил.
Изобретение относится к области измерительной техники, а точнее к способам измерения параметров сверхпроводящих материалов, в частности, критического тока.
Известны различные способы измерения критических токов сверхпроводников Iк, такие как индуктивные, из измерений намагниченности и резистивные [1]. Наиболее близким к предложенному способу является резистивный [2], когда через сверхпроводник, находящийся в однородном магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении, перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения определяют Iк. Недостатком его является то, что в этом случае определяемый Iк является интегральной характеристикой всего сверхпроводника, когда же в реальном материале могут существовать области с различными значениями Iк. Изобретение направлено на создание метода, позволяющего определять Iк сверхпроводника в его локальных объемах и тем самым повысить точность оценки его токонесущей способности. Это достигается тем, что в локальной области сверхпроводника формируют пятно магнитного потока и измеряют величину критического тока. Изобретение поясняется чертежами. На фиг. 1 показано расположение сверхпроводника 1 относительно полюсов магнитной системы 2, создающей в его объеме пятно магнитного потока 3; на фиг. 2 показано изменение значений Iк, измеренных по длине образца. Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Сверхпроводник 1 (фиг. 1), например, в виде пластинки размещают между полюсами магнитной системы 2, создающей в локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией В. Через пластину пропускают транспортный ток I и при появлении падения напряжения U измеряют величину критического тока Iк этой локальной области для данного значения В. Перемещая пластинку относительно полюсов магнитной системы, можно контролировать Iк по ее длине. Для проверки предлагаемого способа были проведены измерения критического тока пластинок (20х5х1,5) мм3 из сверхпроводника типа Y-Ba-Cu-O, имеющего следующие параметры: начало и конец сверхпроводящего перехода соответственно 93 и 82 K, плотность 5.2 г/см3. В экспериментах использовалась магнитная система установки, описанной в [3]. Для повышения разрешающей способности измерений по контролируемому объему использовались полюсные наконечники толщиной 0,5 мм. При В = 0.025 Тл формировалось пятно магнитного потока с шириной b = 1.5 мм, толщиной а = 5 мм, длиной d =1.5 мм. Измерения проводились при температуре жидкого азота. Величина критического тока оценивалась при появлении напряжения на сверхпроводнике 0.1 мкВ. Значение критического тока составило порядка 0,4 А и измерялось с точностью 510-3 А. Таким образом, мы могли контролировать Iк для локальных областей сверхпроводника с объемом 11.2 мм3 с разрешением 1.5 мм по длине образца. Источники информации 1. КЕМПБЕЛЛ А. , ИВЕТС ДЖ. Критические токи в сверхпроводниках. - М.: Мир, 1975, с. 9, 132. 2. ВОЛКОВ П.В., ИМЕНИТОВ А.Б. и др. Метрологические проблемы измерения токовых характеристик высокотемпературных сверхпроводников. 3. ГОЛЕВ И.М., МИЛОШЕНКО В.Е., АНДРЕЕВА Н.А. Установка для исследования динамики пятна магнитоного потока в сверхпроводниках механическим методом. - Приборы и техника физического эксперимента. М., 1998, N 5, с. 161-163.Формула изобретения
Способ измерения критического тока сверхпроводника, заключающийся в том, что по сверхпроводнику, находящемуся в магнитном поле, пропускают транспортный ток в направлении перпендикулярном полю, и в момент появления падения напряжения измеряют величину критического тока, отличающийся тем, что сверхпроводник размещают между полюсами магнитной системы, создающей в его локальном объеме пятно магнитного потока с индукцией B, и измеряют величину критического тока этой локальной области для данного значения индукции.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2