Реверсный преобразователь с естественной направленностью излучения поверхностных акустических волн (варианты)

Реферат

 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в фильтрах промежуточных и несущих радиочастот для селекции сигналов в радиотелефонах, пейджерах, мобильных системах связи и т.д. Техническим результатом является уменьшение вносимых потерь устройства. При подаче электрического сигнала на однонаправленный преобразователь, содержащий элементарные секции из противофазных возбуждающих электродов и отражающего электрода, в пьезоэлектрической подложке возбуждаются поверхностные акустические волны (ПАВ), распространяющиеся в прямом и обратном направлении. Для обеспечения "естественной" направленности излучения подложка выполнена из монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг 0 < < 90o. Для первого варианта преобразователя в каждой элементарной секции ширины b1 и b3 первого и второго возбуждающих электродов выбраны соответственно из соотношений /16 < b1 < /8, /6 < b3 < /3. а ширина отражающего электрода выбрана из соотношения /6 < b5 < /3. При этом расстояние между соседними краями первого и второго возбуждающих электродов выбрано из соотношения /16 < b2 < /6, а расстояние между соседними краями второго возбуждающего и отражающего электродов выбрано из соотношения /6 < b4 < /3, где - длина ПАВ на средней частоте. Во втором варианте преобразователя ширины возбуждающих электродов выбраны в пределах /16 < b1 < /6 и /6 < b3 < 3/8, a ширина отражающего электрода выбрана от соотношения /6 < b5 < 3/8 при зазорах /16 < b2 < /6 и /24 < b4 < /6. При указанных соотношениях происходит смещение центра возбуждения ПАВ относительно центра отражения ПАВ на расстояние /8 при заданных и обеспечивается повышение эффективности преобразования ПАВ на 20% при одновременном увеличении естественной направленности излучения в реверсном направлении. Это позволяет снизить вносимые потери преобразователя и фильтра, в котором преобразователь применяется. 2 с. и 8 з.п.ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в фильтрах промежуточных и несущих радиочастот для селекции сигналов в радиотелефонах, пейджерах, мобильных системах связи и т.д.

Известен встречно-штыревой преобразователь (ВШП) поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоэлектрическую подложку, на рабочей поверхности которой размещены противофазные возбуждающие электроды.

Ширины bi, возбуждающих электродов выполнены равными /4, а расстояние между краями соседних возбуждающих электродов выбрано также равным /4, где - длина ПАВ на средней частоте преобразователя (фиг.1a) [1].

Электроды преобразователя могут быть выполнены как прямыми [1], так и наклонными (в веерном преобразователе) или ступенчатыми [14].

Известный преобразователь обладает высокой эффективностью трансформации электрической энергии в акустическую и обратно. Это обусловлено тем, что в каждой элементарной секции, протяженность которой ограничена длиной волны , преобразователь содержит два возбуждающих электрода и четыре - источника ПАВ, размещенных на краях этих электродов. В результате волны, излученные этими источниками, складываются синфазно [1]. Удельную эффективность известного преобразователя [1] на длину волны можно оценить, преобразуя четыре - источника и с учетом их знаков в один эквивалентный источник, размещенный в условном центре возбуждения OO (фиг. 1 а, б).

Используемый здесь термин "центр возбуждения" Tc для передающего преобразователя относится к такой позиции в передающем преобразователе, в которой две локально возбуждаемые волны, распространяющиеся в прямом +X и обратном -X направлениях, находятся в фазе.

Соответственно для приемного преобразователя локальные центры преобразования Tc располагаются в таких позициях в преобразователе, в которых две встречно распространяющиеся локально преобразуемые акустические волны находятся в фазе друг с другом [3].

Используемый ниже термин "центр отражения" Rc относится к тем позициям в преобразователе, в которых локальный коэффициент отражения имеет чисто мнимое значение [3].

Оба эти определения зависят от волновых переменных, выбранных для описания акустических волн.

В общем случае локальные центры преобразования Tc (возбуждения) в известном преобразователе с двумя электродами на длину волны совпадают с центрами электродов или промежутков между ними шириной b = /4. В преобразователях с расщепленными электродами шириной b = /8 (или с четырьмя электродами на длину волны, локальные центры преобразования Tс обычно совпадают с центрами промежутков. Сами по себе расщепленные электроды не имеют локализованных внутренних отражений.

Локальные центры возбуждения или локальные центры отражения, относящиеся к отдельным электродам, можно преобразовать в соответственно в единый условный центр возбуждения Tc или центр отражения Rc, относящийся к элементарной секции.

Считая в известном преобразователе [1] амплитуды - источников одинаковыми, можно найти эффективность эквивалентного источника по величине излучаемой им волны, складывая парциальные волны, излучаемые каждым - источником. Для волны, излучаемой вправо (прямая волна в направлении +Х) в соответствии с фиг. 1б, получим: Аналогично, для волны, излучаемой влево (обратная волна в направлении -X) Поскольку элементарные секции преобразователя размещены с периодом , то и волны от источников в соседних секциях складываются синфазно, образуя в результате известное явление акустического синхронизма. В этом случае средняя частота fср преобразователя совпадает с частотой акустического синхронизма f0= V/, где V - скорость ПАВ.

Кроме высокой эффективности возбуждения известные ВШП выгодно отличаются простотой изготовления благодаря широким электродам и зазором между ними, равным /4. Основным недостатком известного встречно-штыревого преобразователя ПАВ являются высокие вносимые потери aвн, обусловленные двунаправленностью излучения ПАВ и составляющие для фильтра на ПАВ не менее 6 дБ даже в согласованном режиме.

Другим недостатком являются большие искажения (до a = 4 дБ и более) амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Это обусловлено тем, что волны, падающие на преобразователь справа на вход 11 или слева на вход 22 и затем отраженные от краев a, b, c, d электродов шириной /4, в известном преобразователе также складываются в фазе. Совокупная отраженная волна имеет на частоте f0 фазовый сдвиг -90o (фиг.1в).

Таким образом, в известном ВШП с электродами b = /4 центры возбуждения ПАВ Tc и центры отражения ПАВ Rc совпадают (фиг. 1б,в).

В результате в фильтрах на ПАВ, использующих по крайней мере два таких двунаправленных ВШП, возникает сигнал тройного прохождения (СТП), обусловленный отражением ПАВ сначала от выходного ВШП, а затем от входного ВШП. Наличие СТП приводит к росту пульсаций АЧХ до 6-12 дБ и пульсаций фазы до 20 и более.

Это делает невозможным использование известного преобразователя [1] в фильтрах на ПАВ с малыми вносимыми потерями для систем мобильной связи и радиотелефонов. Фильтры для подобных систем должны иметь вносимые потери не более aвн=3-10 дБ на промежуточных частотах 70-250 МГц и не более aвн=2-4 дБ на радиочастотах 800-1800 МГц, а также пульсации АЧХ не более a = 0,2- 0,6 дБ.

С целью уменьшения вносимых потерь и снижения искажений АЧХ и фазочастотной характеристики (ФЧХ) из-за влияния СТП создано большое количество разнообразных конструкций однонаправленных преобразователей с внутренними отражателями.

Такие однонаправленные преобразователи (ОНП) содержат возбуждающие и отражающие электроды.

Как показано в [2], в преобразователе, содержащем систему возбуждающих электродов и систему отражающих электродов, максимальное подавление ПАВ в обратном направлении (или максимальная направленность излучения ПАВ в прямом направлении) достигается в случае, когда фаза k волны в центре отражения Rc отличается от фазы 0 волны в центре возбуждения Tc на угол /4, т.е.

k= 0/4k, (2) т. е. когда центры возбуждения и центры отражения смещены относительно друг друга на расстояние l = /8k/2 (3) При смещении центров возбуждения и отражения относительно друг друга на расстояние l /8 направленность излучения ухудшается.

Знак (+) или (-) в уравнениях (2) и (3) выбирается в зависимости от электрических условий, реализуемых на отражающем электроде и выбранного направления распространения ПАВ (вдоль оси X или вдоль оси - Х).

Известно что, для слабых пьезоэлектриков типа кварца (k2=0.116%), берлинита (k2= 0.2-0.4%) или лангасита (k2=0.32%) основными механизмами отражений ПАВ от электродов являются механическая нагрузка поверхности подложки электродами и их топографическая неоднородность [1]. Поэтому фаза коэффициента отражения равна нулю (знак "+" в (2) и (3)).

При использовании в качестве материала подложки сильных пьезоэлектриков типа тетрабората лития (k2=0.8-1.37%), танталата лития (k2=0.7-1.5%) или ниобата лития (k2=4-17%), основными механизмами отражения ПАВ от металлических электродов являются закорачивание электрического поля ПАВ металлической пленкой и накопление реактивной энергии под электродами [1]. Поэтому в этом случае фаза коэффициента отражения ПАВ от закороченных электродов равна 0o (знак "+") и отличается на 180o от фазы коэффициента отражения от изолированных электродов (знак "-" в уравнении (2)) при прямом направлении распространения ПАВ вдоль оси +X.

Указанные закономерности необходимо учитывать при оптимизации конструкции ОНП.

Таким образом, для получения максимальной направленности в каждой элементарной секции ОНП условный центр отражения ПАВ должен быть смещен на расстояние l = /8k/2 относительно условного центра возбуждения ПАВ [2]. В результате при l = +/8k/2 волны, возбужденные в прямом направлении +X, и отраженные волны складываются в фазе, а волны, возбужденные в обратном направлении -X, и отраженные волны складываются в противофазе. Таким образом, в преобразователе достигается преимущественная направленность излучения в прямом направлении +Х. Такой преобразователь можно назвать прямым ОНП.

Обратный однонаправленный преобразователь, излучающий преимущественно в обратном направлении -X, является зеркальным отображением описанного ОНП. В обратном преобразователе l = -/8k. Обратный преобразователь можно назвать также реверсным по отношению к прямому преобразователю [4].

Два ОНП, прямой и обратный (или реверсный), излучающие ПАВ по направлению друг к другу, образуют простейший фильтр на ПАВ с малыми вносимыми потерями и низким уровнем сигнала тройного прохождения.

В качестве материалов подложки фильтров на основе двунаправленных и однонаправленных преобразователей обычно используют пьезоэлектрические монокристаллы или их кристаллографические срезы, в которых вследствие симметрии ориентации относительный сдвиг фаз между механическими и электромагнитными компонентами распространяющейся ПАВ составляет = 0 или = 90. Подавляющее число используемых в устройствах на ПАВ срезов монокристаллов относятся к таким "симметричным" срезам с = 0:yxl/(3542) в кварце, yxl/49o, yxl/64o, yxl/128o в ниобате лития, yxl/36o в танталате лития и т.д. К "несимметричным" срезам можно отнести кристаллографические ориентации, для которых относительный сдвиг фаз между механическими и электрическими компонентами ПАВ имеет промежуточное значение 0<<90 [3]. Однонаправленные преобразователи с внутренними отражателями являются технологичными, т.к. имеют однослойную конструкцию, не требуют сложных согласующих цепей.

Наиболее технологичным является ОНП с "естественной" направленностью (ОНП ЕН) излучения [3], фиг.2а. ОНП ЕН имеет такую же структуру электродов, как и двунаправленный ВШП, т.е. элементарная секция ОНП ЕН протяженностью cодержит два противофазных возбуждающих электрода шириной b = /4. Но в качестве материала подложки используются "несимметричные" срезы пьезоэлектрических монокристаллов, у которых относительный сдвиг фаз между электромагнитной и механической компонентами возбуждаемых или распространяющихся ПАВ составляет 0<<90. Максимальная "естественная" направленность излучения ПАВ у известного ОНП ЕН с электродами /4 [3] наблюдается при =45o или = 135o. Такие "несимметричные" кристаллографические ориентации, обеспечивающие + 45o, обнаружены в кварце SiO2 (ориентация, описанная углами Эйлера (,,) = (0o;132.75o;25o) или yxls/42o45'/25o [3]), танталате лития LiTaO3 (ориентация = (0o;90o; 141.25o) или yzx/51o25'[5]); тетраборате лития L2B4O7 (ориентация (,,) =(0o;78o;90o) [7]), лангасите La3Ga5SiO14 (ориентация (,,) =(0o;140o; 24o) или yxls/50/24[8,9]). Сдвиг фаз =45o вызывает соответствующее смещение центра возбуждения ПАВ на расстояние l = /8 относительно центра отражения ПАВ [3]. В результате обычный ВШП с электродами /4 [1], размещенный на подложке из монокристалла с такими "несимметричными" кристаллофизическими свойствами, приобретает "естественную" направленность излучения. Если сдвиг фаз составляет = 45 , то соответствующее смещение центра возбуждения Tc ПАВ относительно центра отражения Rc, составляет l = +/8 и такой преобразователь становится прямым однонаправленным преобразователем, излучающим ПАВ преимущественно вдоль направления +X [3].

Чтобы получить реверсный преобразователь, излучающий вдоль направления -X при использовании монокристаллов с = +45o, необходимо сместить центр возбуждения на l = -/8. Если в качестве материала подложки используется монокристалл, у которого сдвиг между электрической и механической компонентой ПАВ составляет =-45o, картина возбуждения и отражения ПАВ становится зеркальной по отношению к описанной. При =-45o и смещении центра возбуждения Tc относительно центра отражения Rc нa l = -/8 известный ОНП ЕН [3] излучает преимущественно в прямом направлении Х. Если сдвиг фаз составляет = -45o, а смещение центра возбуждения ПАВ Tc относительно центра отражения ПАВ Rс равно l = +/8, то обычный ВШП [1] приобретает "естественную" направленность излучения в обратном направлении, т.е. становится обратным однонаправленным преобразователем, излучающим ПАВ преимущественно вдоль направления -X.

При использовании других "несимметричных" кристаллографических) со сдвигом фаз 45o в интервале 0<<90 направленность излучения ОНП ЕН ухудшается.

Известный прямой ОНП ЕН [3] в каждой элементарной секции также содержит четыре - источника с амплитудами размещенные на расстоянии /4 друг относительно друга, как двунаправленный ВШП (фиг.2б). Поэтому эффективность эквивалентного источника, размещенного в центре излучения Tc, оцениваемая по величине волны, излучаемой элементарной секцией, будет такой же, как и у двунаправленного ВШП, т.е.

Но ОНП ЕН обладает хорошей направленностью излучения, т.к. при смещенном на l = +/8 центре возбуждения Tc (для случая = -45), волны, отраженные от краев a, b, c, d возбуждающих электродов, складываются в противофазе с волнами exp[i()t-kx)], излученными в прямом направлении +X, и в фазе с волнами exp[j(t+kx)], излученными в обратном направлении -X (фиг.2 в,г). В результате амплитуда совокупной волны, распространяющейся от центра возбуждения Tc в прямом направлении +X, на выходе 22 элементарной секции будет а амплитуда совокупной волны, распространяющейся в обратном направлении -X, на выходе 11 секции будет где r = c(h/) - коэффициент отражения от края электрода.

При сочетании обычно используемых материалов (алюминий для электродов, кварц или танталат лития для подложки) механическая компонента r имеет знак (-) при отражении волны от ступеньки вверх и знак (+) при отражении от ступеньки вниз.

Направленность излучения прямого ОНП ЕН будет (для = -45) ) где S31 и S32 - коэффициенты передачи преобразователя в обратном и прямом направлении соответственно. Для случая = +45o картина векторного сложения возбужденных и отраженных волн является зеркальной по отношению к описанному случаю = -45o.

Два преобразователя: ОНП ЕН с электродами /4 и реверсный ОНП ЕН, - излучающие ПАВ навстречу друг другу, образуют фильтр на ПАВ с малыми вносимыми потерями.

Главной проблемой использования ОНП ЕН в фильтрах на ПАВ с малыми вносимыми потерями является создание реверсного преобразователя, обладающего обратной направленностью излучения по отношению к ОНП ЕН с электродами /4. Было предложено несколько конструкций реверсных однонаправленных преобразователей с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) ПАВ: с различными материалами электродов, имеющими противоположные по знаку коэффициенты отражений ПАВ (например, при алюминиевых электродах в прямом ОНП ЕН в реверсном ОНП ЕН использовались золотые электроды на кварцевой подложке [10]); с электродами, утопленными в канавках на поверхности подложки [11]; с возбуждающими отражающими электродами разной толщины [12], формируемыми, например, путем дополнительного химического наращивания металла.

Все эти конструкции являются не технологичными, т.к. усложняют изготовление реверсных ОНП ЕН и фильтров на ПАВ на их основе.

Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является реверсный однонаправленный преобразователь с "естественной" направленностью излучения ПАВ, изображенный на фиг.3а [4]. Известный реверсный ОНП ЕН [4] содержит подложку 1 из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распростаняющейся ПАВ имеют относительный сдвиг около 45o. На рабочей поверхности подложки размещены элементарные секции, содержащие противофазные первый 2 и второй 3 возбуждающие электроды и изолированный отражающий электрод 4. При этом протяженность элементарных секций выбрана равной длине ПАВ на средней частоте реверсного ОНП ЕН. Ширина b1 первого 2 и ширина b3 второго 3 возбуждающих электродов выбраны равными b1 = b3 = /8, ширина b5 изолированного отражающего электрода 4 выполнена равной 3/8, a ширина зазора b2 между первым и вторым возбуждающими электродами и ширина зазора b4 между вторым возбуждающим электродом и отражающим электродом выбраны равными /8 [4].

В каждой элементарной секции преобразователя только изолированный электрод шириной b5= 3/8 формирует отраженные ПАВ. Волны же, отраженные от краев f и e первого 2 и краев d и с второго 3 возбуждающих электродов, взаимно компенсируются (фиг. 3г). Таким образом, возбуждающие электроды 2,3 в формировании отраженных ПАВ не участвуют. Поэтому удельная (на длину волны) отражающая способность известного реверсного ОНП ЕН сравнительно невелика.

На рис.3б показано расположение центра возбуждения Tc и центра отражения Rc для случая = -45o. Центр отражения Rc расположен в центре изолированного отражающего электрода 4, тогда как центр возбуждения Tc расположен в центре первого возбуждающего электрода 2. Расстояние между центром отражения Rc и центром возбуждения Tc составляет l = +/8+/2. Таким образом, связь между позициями центров возбуждения Tc и отражения Rc удовлетворяет условию функционирования реверсного ОНП ЕН для = -45o.

Следовательно, если описанная структура электродов будет размещена на "несимметричном" срезе пьезоэлектрического кристалла, для которого - 45o, полученный преобразователь будет функционировать как реверсный относительно известного ОНП ЕН с электродами /4 [3]. Авторы [4] назвали такой преобразователь "реверсным преобразователем со смещенным центром преобразования".

Для случая = +45o известный ОНП ЕН с электродами /4 [3] будет излучать преимущественно вдоль направления +Х, а известный реверсный ОНП ЕН [4] - вдоль направления -X.

Элементарная секция известного реверсного ОНП ЕН содержит шесть источников ПАВ 1-6 (фиг.3в). Два дополнительных противофазных источника 5 и 6 на краях отражающего электрода 4 обусловлены наведенным на нем электрическим зарядом. При этом источники 2 и 3 на внутренних краях возбуждающих электродов имеют единичную амплитуду а источники 1 и 4 на внешних краях возбуждающих электродов имеют амплитуду около [13].

Противофазные же источники 5 и 6 на краях изолированного отражающего электрода имеют амплитуду около Изменение амплитуд источников 1 и 4, 5 и 6 обусловлено перераспределением электрических зарядов в элементарной секции под влиянием изолированного электрода [13].

При использовании подложек из монокристаллов "несимметричных" ориентаций, у которых = -45o, положение источников в ОНП ЕН смещается на l = +/8, как показано на фиг.3в, вызывая соответствующее смещение условного центра возбуждения Tc. Картина же отражений ПАВ не изменяется и условный центр отражения Rc для элементарной секции по прежнему расположен в центре отражающего электрода 4 (фиг.3г).

Эффективность возбуждения элементарной секции известного реверсного ОНП ЕН можно оценить, пересчитав комплексные амплитуды источников к амплитуде эквивалентного источника ПАВ, размещенного в условном центре возбуждения Tc (линия ОО на фиг.3в): т. е. эффективность возбуждения почти в 2,4 раза ниже, чем у прямого ОНП ЕН с электродами /4 [3].

Суммарный коэффициент элементарной секции отражения известного реверсного ОНП ЕН, пересчитанный к центру изолированного отражающего электрода для случая = -45o, будет При размещении известного реверсного ОНП ЕН [4] на подложке с "несимметричной" кристаллографической ориентацией ( = -45o) условный центр возбуждения Tc смещается вправо (вдоль оси +Х) на расстояние l = +/8 (фиг.3в). Поэтому в ОНП ЕН создаются условия для преимущественного излучения в направлении +X (слева направо). Таким образом, данный ОНП ЕН функционирует как реверсный ОНП ЕН по отношению к прямому ОНП ЕН с электродами /4, излучающему волны преимущественно в направлении -X при = -45 (фиг.2в).

В результате векторного сложения возбужденных и отраженных волн амплитуды совокупных волн, распространяющихся в прямом направлении +X и обратном направлении -X для случая = -45o соответственно будут: Поэтому направленность излучения известного реверсного ОНП ЕН т.е. хуже, чем у ОНП EH с электродами /4. Описанная конструкция реверсного ОНП ЕН [4] обладает максимальной направленностью излучения только частного случая использования материала подложки, у которого =45 . Применение других "несимметричных" ориентаций монокристаллов с относительным сдвигом фаз в интервале неизбежно приводит к ухудшению направленности излучения преобразователя и, как следствие, к увеличению вносимых потерь фильтра на ПАВ на основе подобных ОНП ЕН.

С целью повышения избирательности в фильтрах на ПАВ обычно используют различные методы "взвешивания" (весовой обработки) импульсных характеристик составляющих его преобразователей. Одними из методов взвешивания являются применение преобразователей с наклонными электродами (так называемых веерных преобразователей) или применение преобразователей со ступенчатыми электродами [14, стр.37-48]. Веерный преобразователь может быть представлен также и в виде многослойной (вдоль апертуры) структуры со ступенчатыми электродами.

При использовании наклонных электродов, например, в веерном ОНП ЕН, отражение ПАВ от таких электродов также происходит под углом. Поэтому в известном ОНП ЕН [4] соотношения (2) и (3) для оптимального сложения отраженных и возбужденных волн не выполняются. В результате происходит ухудшение направленности излучения ПАВ и увеличение вносимых потерь.

В преобразователях со степенчатыми электродами часто необходимо варьировать шириной электродов для каждой ступени с целью коррекции фазовых характеристик фильтра на ПАВ. Отступление от частных соотношений между ширинами b1,b3, b5 электродов и зазоров b2, b4, b6 в известном ОНП ЕН [4] со ступенчатыми электродами также приводит к ухудшению его направленности излучения.

Таким образом, можно сделать следующие выводы.

Описанный реверсный ОНП ЕН [4] более технологичен, чем другие [10], [11] , [12], т.к. при его изготовлении используется однослойная технология.

Основным недостатком известного реверсного ОНП ЕН [4] являются сравнительно высокие вносимые потери, обусловленные низкой эффективностью возбуждения ПАВ, и низкой направленностью излучения из-за слабой отражающей способности. Вносимые потери известного ОНП EH увеличиваются при использовании материалов подложки c 45o в интервале 0<<90. Особенно сильно эти недостатки проявляются, если его электроды выполнены ступенчатыми или наклонными, как это имеет место в веерных преобразователях [14].

Технической задачей изобретения является уменьшение вносимых потерь, в том числе преобразователей со ступенчатыми или наклонными электродами.

Решение поставленной задачи решается тем, что в первом варианте реверсного преобразователя с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащем подложку из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг фазы около 0<<90, на рабочей поверхности которой размещены элементарные секции, содержащие противофазные первый и второй возбуждающие электроды и отражающий электрод, при этом протяженность элементарных секций выбрано равной длине ПАВ на средней частоте ОНП ЕН, а ширина первого возбуждающего электрода и ширина зазора между соседними краями первого и второго возбуждающих электродов выполнены равными b1= b2= /8. (13) В каждой элементарной секции отражающий электрод выполнен закороченным, ширина второго возбуждающего электрода выбрана из соотношения /6<b</3, (14) ширина отражающего электрода выбрана из соотношения /6<b</3, (15) а расстояние между соседними краями второго возбуждающего электрода и отражающего электрода выбрано равным из соотношения /6<b</3. (16) В другом варианте реверсного преобразователя с "естественной" направленностью излучения (ОНП ЕН) поверхностных акустических волн (ПАВ), также содержащем подложку из пьезоэлектрического монокристалла, в котором механические и электромагнитные компоненты распространяющейся ПАВ имеют относительный сдвиг фазы около 0<<90, на рабочей