Газоразрядная индикаторная панель

Газоразрядная индикаторная панель

Реферат

 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации. Технический результат - высокая герметичность ГИП с внешним швом герметизации. Обеспечивается за счет того, что толщины диэлектрических пластин панели, одна из которых имеет толщину h₁ меньше, чем толщина h₂ второй диэлектрической пластины, связаны соотношением 0,2h₁/h₂0,7. 1 ил.

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации.

Известна газоразрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины, анодные и катодные системы, диэлектрическую матрицу, в отверстиях которой расположен люминофор [патент США 3619698, 313-210, 1971 г.].

Недостатком данной конструкции является удаленность крайних ячеек от шва герметизации, в связи с чем невозможна стыковка панелей друг с другом для обеспечения отображения информации без потерей по шагу.

Известна ГИП, содержащая верхнюю и нижнюю диэлектрические пластины, перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, ограниченные диэлектрическими барьерами, внешний шов герметизации [авт.свид. СССР 1074301, кл. H 01 J 17/ 49, 1987 г.].

Плоский внешний шов герметизации в ГИП обеспечивает стыковку панелей друг с другом без потери информации по шагу. Однако внешний шов обладает низкой механической прочностью. При деформации диэлектрических пластин, наблюдаемой в процессе откачки, такой шов испытывает высокие напряжения и может быть разорван.

Наиболее близкой к предлагаемому изобретению является ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, одна из которых имеет толщину h₁ меньше, чем толщина h₂ другой диэлектрической пластины, перекрещивающиеся системы пленочных электродов, расположенных по крайней мере на одной из диэлектрических пластин, шов герметизации [патент США 3896327, 313-210, 1975 г. - прототип].

Недостатком данной конструкции является то, что шов герметизации панели, расположенный между диэлектрическими пластинами по их периметру, имеет большую площадь, ограничивающую поле индикации. При использовании ГИП в наборных экранах нерабочие участки по периметру панели приводят к искажению информации в местах стыковки ГИП.

Задачей данного изобретения является создание ГИП для наборных экранов, имеющей внешний шов герметизации, конструкция которой обеспечивает высокую герметичность приборов в процессе изготовления и эксплуатации.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной конструкции ГИП, содержащей две диэлектрические пластины, верхняя из которых имеет толщину h₁ меньше, чем толщина h₂ нижней диэлектрической пластины, перекрещивающиеся системы пленочных электродов, расположенных по крайней мере на одной из диэлектрических пластин, шов герметизации, длина и ширина верхней диэлектрической пластины больше длины и ширины нижней диэлектрической пластины, а толщины верхней и нижней диэлектрических пластин выбраны согласно соотношению 0,2h₁/h₂0,7, при этом шов герметизации расположен в уступе, образованном краями диэлектрических пластин по периметру панели.

Высокое качество герметизации ГИП как при их производстве, так и при эксплуатации, достигается благодаря тому, что в ГИП с внешним швом герметизации обеспечивается оптимальное соотношение толщин диэлектрических пластин, при котором практически отсутствуют напряжения в диэлектрических пластинах в зоне формирования шва герметизации.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию "новизна".

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых был бы получен надежный внешний шов герметизации за счет оптимального соотношения толщин диэлектрических пластин.

Таким образом, заявленное изобретение соответствует требованию "изобретательский уровень".

Изобретение поясняется чертежом.

На чертеже представлен один из вариантов ГИП.

ГИП согласно фиг.1 содержит верхнюю диэлектрическую пластину 1 с толщиной h₁ и нижнюю диэлектрическую пластину 2 с толщиной h₂, ортогональные системы пленочных катодов 3 и анодов 4, напыленных на диэлектрические пластины и образующих ячейки индикации 5, ограниченные диэлектрическими барьерами 6, внешний шов герметизации 7, сформированный в уступе 8. Для обеспечения высокого качества герметизации ГИП одна из диэлектрических пластин или верхняя, как показано на фиг.1, или нижняя, должна иметь толщину h₁ меньше, чем толщина h₂ второй пластины, при этом соотношение толщин должно находиться в пределах 0,2h₁/h₁0,7.

Если отношение h₁/h₂ будет меньше 0,2, то при герметизации панели наблюдается треск диэлектрической пластины в зоне внешнего шва герметизации. Это связано с тем, что из-за большой разности толщин пластин все напряжения приходятся на "тонкую" диэлектрическую пластину, что и приводит к ее треску.

Если отношение h₁/h₂ будет больше 0,7, то из-за того, что обе диэлектрические пластины имеют близкие значения толщин, они практически одинаково подвергаются деформациям и при наличии шва низкой механической прочности, каким является внешний плоский шов, они его разрывают либо в процессе откачки, либо более длительно в процессе эксплуатации ГИП через зоны высоких напряжений, вызывая ее медленное натекание.

Панель работает следующим образом. При подаче импульсов напряжения на соответствующие аноды 3 и катоды 4 в ячейке индикации возникает газовый разряд.

Для получения свечения ячейки индикации с различной яркостью вводится широтно-импульсная модуляция.

Пример конкретного выполнения.

ГИП содержит верхнюю диэлектрическую пластину размером 4864862 мм и нижнюю диэлектрическую пластину размером 4844845 мм. Пленочные аноды из материала на основе золота расположены на верхней диэлектрической пластине, а пленочные катоды из борида никеля - на нижней. Ячейки индикации, образованные в перекрестьях электродов, ограничены диэлектрическими барьерами, сформированными на нижней диэлектрической пластине. Высота и ширина барьеров соответственно равны 0,24 мм и 0,4 мм. В промежутках между барьерами на внутренней поверхности нижней диэлектрической пластины нанесен люминофор ФГИ-520-1 толщиной 0,070 мм и площадью 2,62,6 мм. Шов герметизации расположен в уступе, сформированном по периметру панели за счет разности ширины и длины верхней и нижней диэлектрических пластин.

ГИП наполнена Ne+30% Хе при давлении 95 мм рт. ст.

Панель надежно работает в течение двух лет эксплуатации. За этот период герметизация ГИП не нарушена. Наработка составляет более 10000 часов.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет создать ГИП с надежной герметизацией.

Формула изобретения

Газоразрядная индикаторная панель, содержащая две диэлектрические пластины, верхняя из которых имеет толщину ₁ меньше, чем толщина h₂ нижней диэлектрической пластины, перекрещивающиеся системы пленочных электродов, расположенных, по крайней мере, на одной из диэлектрических пластин, шов герметизации, отличающаяся тем, что длина и ширина верхней диэлектрической пластины больше длины и ширины нижней диэлектрической пластины, а толщины верхней и нижней диэлектрических пластин выбраны согласно соотношению 0,2h₁/h₂0,7, при этом шов герметизации расположен в уступе, образованном краями диэлектрических пластин по периметру панели.

РИСУНКИ

Рисунок 1