Схема совпадения
Иллюстрации
Реферат
О Il И C А Н И Е 2I9622
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советокиз
Ссциалистическиз
Респтблик
Bc:""- -ю=* гя
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №
1 л. 21ат, 36/18
Заявлено 07.III.1967 (№ 1138036/26-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 14.Ч1.1968. Бюллетень № 19
Дата опубликования описания З.IX.1968
МПК Н 03k
УД1 681.322.056(088.8) Комитат по полам изобретений и открытий при Совета Министров
СССР
Авторы изобретения
А. П. Попов, В. М. Сомкин и В. H. Дейнеко
Заявитель
Научно-исследовательский институт управляющих вычислительных машин
СХЕМА СОВПАДЕНИЯ
Схемы совпадения на туннельных диодах и транзисторах, состоящие из двух инвертирующих каскадов с трансформаторами в коллекторных, туннельными диодами памяти в базовых цепях и туннельным диодом, включенным в эмиттер одного из транзисторов в проводящем направлении, входы которых соединены через резисторы с источником напряжения смещения и через диоды с источниками рабочих и тактовых импульсов, известны.
Предложенное устройство отличается тем, что в нем туннельный диод, включенный в эмиттер транзистора, соединен через резистор с источником постоянного смещения и через диод с выходной обмоткой трансформатора, включенного в коллекторную цепь другого транзистора.
Это позволяег повысить надежность реализации логики совпадения.
На чертеже показана схема совпадения.
Она состоит из двух инвертирующих транзисторов 1 и 2 с трансформаторами 8 и 4 в коллекторных и туннельными диодами памяти
5 и б в базовых цепях и туннельным диодом 7, включенным в эмиттер одного из транзисторов в проводящем направлении. Входы инверторов соединены через резисторы 8 и 9 с источником напряжения смещения — Е,„и через диоды 10 и 11, 12 и И вЂ” с источниками рабочих и тактовых (з„ импу IbcoB соответственно.
При помощи резисторов смещения 8 и 9 режим туннельных диодов 5 и б выбирается
5 таким, что они могут находиться в одном из двух устойчивых состояний «О» (низковольтное состояние) или «1» (высоковольтное состояние), а туннельный диод 7 в исходном состоянии под действием смещения (сопротивле10 ние 14) находится на диффузионной ветви характеристики.
При поступлении отрицательного входного сигнала только на вход 15 туннельный диод 5 переключается в состояние «1». Однако вслед15 ствие того, что туннельный диод 7 продолжает оставаться в высоковольтном состоянии, транзистор 1 остается запертым, поскольку в его базе и эмиттере действуют одинаковые напряжения.
20 При поступлении отрицательного входного сигнала только на вход 1б туннельный диод б переключается в состояние «1», транзистор 2 открывается, в трансформаторе 4 формируется положительный импульс, поступающий через
25 диод 17 на туннельный диод 7, переключая
его на участок туннельной ветви характеристики (в низковольтное состояние). Однако транзистор 1 продолжает оставаться запертым, поскольку в его базе напряжение тоже
30 близко к нулю (состояние «О» диода 5), 219622
Предмет изобретения
Л L/7 „-7
1! 1
16 г о
Составитель Ю. Ч. Большов
Редактор Л. А. Утехина Техред А. А. Камышникова Корректор Л. В. Наделиева
Заказ 2373f9 Тираж 530 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типографии, пр. Сапунова, 2
С приходом тактового импульса. туннельный диод б переключается в состояние «0», транзистор 2 закрывается, импульс в его трансформаторе прекращается, туннельный диод 7 снова переводится на диффузионную ветвь характеристики.
При одновременном поступлении входных сигналов на входы 15 и 1б туннельные диоды
5 и б переключаются в состояние «1». Открывается транзистор 2, туннельный диод 7 под действием импульса тока через диод 17 переводится на туннельную ветвь характеристики и транзистор 1 открывается под действием отрицательного напряжения между его базой и эмиттером.
При поступлении тактовых импульсов туннельные диоды 5 и б переключаются в состояние «0» и транзистор 1 закрывается.
Таким образом, транзистор 1 остается закрытым при поступлении входных сигналов только по одному из входов и открывается при наличии сигналов на двух входах.
Выходной сигнал совпадения формируется трансформатором 8 при закрывании транзистора в момент прихода тактового импульса.
Выходная обмотка трансформатора подключена на вход эмиттерного повторителя 18, являющегося выходом схемы.
Схема совпадения на туннельных диодах и транзисторах, состоящая из двух инвертирующих каскадов с трансформаторами в коллекторных, туннельными диодами памяти в базовых цепях и туннельным диодом, включенным в эмиттер одного из транзисторов в проводящем направлении, входы которых соединены через резисторы с источником напряжения смещения и через диоды — с источниками рабочих и тактовых импульсов, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности реализации логики совпадения, туннельный диод, включенный в эмиттер транзистора, соединен через резистор с источником постоянного смещения и через диод с выходной обмоткой трансформатора, включенного в коллекторную цепь другого транзистора.