Пьезоэлектрический элемент памяти

Пьезоэлектрический элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик слл

BcGcc«н"-"

I =C ARf: па С сх:, А биби,IO " "- с ""Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21ат, 37/66

42гп, 13/00

Заявлено ЗОХ.1966 (№ 1081745/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубли ковано 14.4/1.1968. Бюл.тетень ¹ 19

Дата опубликования описания 27Л III.1968

МГ1К Н 03k

G 06I

УДК 681.327.66(088.8) Комитет пс делам изобретений и открытию при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

М. М. Некрасов, В. В. Лавриненко и Н. В. Плахотный

Заявитель

П ЬЕЗОЭЛ ЕКЧ РИт! ЕСКИ Й ЭЛ ЕМЕНТ ПАМЯТИ

Известны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генератора.

Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.

Элемент памяти изображен на чертеже.

Элемент памяти представляет собой склеенные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.

При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие механические колебания по толщине на основной резонансной частоте. В зависимости от полярности импульса управления, подаваемого на пластину 8 (секция управления), находящейся в максимуме сгоячей волны, в механическую часть системы трансформируется элсктричсский импеданс за счет небольшой индуктивности 4. Происходит ответвление энергии упругих колебаний.

Отличительной особенностью предлагаемого элсмспта является то, что в I,åì отсутствует

5 непосредственная связь между секцией управления и выходом элсмснта, что значительно упрощает построение различных схем вычислительных устройств на основе подобных элементов. Работа элемента в режпмс трансфор10 матора напряжения позволяет получать уровень выходного сигнала, достаточный для записи информации.

15 Предмст изобретения

Пьезоэлектрический элемент памяти, выполненный в виде двух соприкасающихся с.-гнстоэлектрическпх пластин возбуждения и гсне20 ратора, огличаюи1ийся тем, что, с целью увсличсния напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников, в него введена сегнстоэлектрическая пластина управления, помещенная . iI e>Iig) пластинами 8036 I ждення H генсра25 тора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.

219636

СУ2НОЛ ЦЛ 06ЯВНИЯ

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Л. А. Утехина Техред Л. К. Малова Корректор А. П. Васильева

Заказ 237Г/19 Тираж 530 Поди испо .

ЦНИ1!ПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совсте Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2