Установка для выращивания кристаллов

Установка для выращивания кристаллов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

220959

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистичеснив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12Х.1967 (М 1155452/22-1) Кл. 12К, l7/ 14 с присоединением заявки №

МПК В 011

УДК 669-172.002.5 (088.8) Приоритет

Опубликовано 01 VII.1968. Бюллетень ¹ 21

Дача опублико вания описания 10.IX.1968

Комитет по делам иэобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. А. Штернберг, С. Г. Никитин и I-:. М. Сабуренков

Институт кристаллографии AH СССР

Заявитель

УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Загруженнь(й автоклав помещают в полость

И печи и устанавливают на кольцевой подставке 5 таким образом, чтобы отсчетные точки 11 на коромысле 10 соответствовали расположению камер роста и растворения автоклава.

Так как в начальный период ось автоклава не совпадает с осью печи (перекристаллизуемое вещество целиком находится в камере растворения), автоклав уравновешивают, перемещая грузы 12 по коромыслу. В процессе выращивания, в связи с переносом вещества из

20 камеры растворения в камеру роста, ось автоклава будет смещаться относительно горизонтали. Скорость роста кристалла, соответствующую скорости переноса вещества в автоклаве, можно определить, подвешивая к соответ25 ствующей отсчетной точке груз, необходимый для установления прикрепленной к коромыслу стрелки в нулевое положение, при котором ось автоклава горизонтальна.

Наблюдение за перемещением стрелки осу30 ществляется через отсчетный микроскоп 13.

В известных установках для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях автоклав, помещенный в полость печи с секционированным нагревателем, установлен в полости печи вертикально и неподвижно.

Отличием описываемой установки является то, что автокав расположен горизонтально на кольцевой подставке, установленной на двух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом. Такое выполнение установки дает возможность определять непосредственно в процессе выращивания скорость роста кристаллов по величине наклона оси автоклава к горизонтали и регулировать ее, изменяя температурный режим в зонах автоклава.

На фиг. 1 изображена описываемая установка, поперечный разрез; на фиг. 2 — то же, продольный разрез.

Установка включает автоклав 1, помещенный в полость печи 2 с секционированным нагревателем 3, секции 4 которого регулируются раздельно. Автоклав расположен в полости печи с помощью кольцевой подставки 5, подвижно установленной на жестко прикрепленных к ней с помощью осей б ножевых призмах 7, Печь неподвижна расположена в полости корпуса 8. Ножевые призмы 7 подставки 5 опираются на призмы 9, жестко прикрепленные к корпусу 8. К подставке вне корпуса установки прикреплено параллельно оси кольца коромысло 10, имеющее отсчетные точки 11, соответствующие расположению камер роста и растворения автоклава.

220959

m=m

Ркр Рср

РОЯ. 2 срь г. 1

Составитель Т. Фирсова

Текред А. А. Камышникова Корректор Т. Ф. Старостина

Редактор Е. Поздняк

Заказ 2692/3 Тираж 530 Подписное

ЦНИИП14 Комиге1а по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Це пр, пр. Серова, д. 4 типография, пр. Сапунова, 2

Вес выросших кристаллов за период времени определяют по формуле где m — вес выросших кристаллов;

m,— вес груза; р„р — плотность кристаллов; р,р — плотность среды в нагретом автоклаве.

Точность определения составляет 10 — 20% и является достаточной для относительной оценки скорости кристаллизации в течение процесса и управления его путем изменения разности температур между зонами роста и растворения. В установке возможно производить многократную перекристаллизацию вещества для получения кристаллов с таким же содержанием примесей, как исходный материал, синтез шихты из элементов и осуществлять выращивание кристаллов на затравке с за5 данной скоростью кристаллизации.

Предмет изобретения

Установка для выращивания кристаллов в гидротермальных условиях, включающая ав10 токлав, помещенный в полость печи с секционированным нагревателем, отличающаягя тем, что, с целью регулирования скорости роста кристаллов непосредственно в процессе выращивания, автоклав расположен горизонтально

15 на кольцевой подставке, установленной на двух жестко прикрепленных к ней опорах в виде ножевых призм, причем подставка снабжена прикрепленным параллельно оси кольца коромыслом.