Камертонный генератор на транзисторах

Камертонный генератор на транзисторах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

22IG62

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Со|па Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от явт. свидетельствя,№

Кл. 2121, 8/02

Заявлено 02.11.1967 (№ 1127639/26-9) с присоединением зяявки №вЂ”

Приоритет

Оп бликовяно 01Х11.1968. Бюллетень ¹ 21.ЧПК Н 031)

;,1,1; 621.373.52(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете тРинистрае

СССР.|ятя опубликовянил описания 7.Х.1908

Авторы

1зооретснил

В. М. Гудков и В. Н. Волков

Зялвитсль

КАМЕРТОННЫЙ ГЕНЕРАТОР HA ТРАНЗИСТОРАХ

В известных кямоpTcHHbix гcícð2òîð2x, использусмыx в элсктронliыx чясях, в цcïÿx явто)!1)тичсс! ого смещения применены высокоомиыс collpo THBëåíèÿ, няличие которь|х ухудшяст условия разряда хрои|орую!цсй емкости и стабильность ряооты гснсряторя, Описывясмый кямертоииый гснсрятор ня двух трянзисторях отлич!1стсл от известных тем, что первый транзистор включен эмиттсрНЫМ ПОВТОР|!ТС1ЕМ, Н;IГР; ЗКОИ КОТОРОГО ЯВ.1Яются псследовятслbHÎ вкл|оченHûå сопротивления цепи явтомятического смещения и переход бязя эмиттср второго трянзисторя.

Укязянныс отличил позволили повысить стябильность чя таты гснсрирус)!ых колсбяний гснсряторя.

1 1!i icpTciKc и!) е,,1ст!1В 1 ен 11 и! ) It!i ц!1!I Ilil 1ы|я я схсмя и!)Сдлягясмого к2)icpTUHHOCO гснсрятоРя.

СIII Нял Оор|!Тиой СВЯзи, ГНIIXI2C)lblй С 00)IOTки 1 возбуждения кямертонного резонатора, усиливяется трянзисторсм 2 и обеспечивает поддержание в cxñме незятуx2ющих колсбяний. Емкость 8 зярлжяется примерно до ямплитудного знячсния переменной составляющси ияпряжсния обрятной связи и сдвигает рilоо-Il 10 точк) трянзисTopя 2 B режи)l клясся

«С».

Транзистор 2 закрыт для )прявления до того момента, пока уровень напряжения ОтIIHpi1ющсй по1явности ис пвсвь!Сиг няп()яжс ния HB кондсисяторс 8.

12 cTIIHlIi>.1i р яэр51д с)|НОСTH 8 Ос ЩсстВгl Я Tс51 !Срез colipOTliB 1cH lie 4 и токями об ),1тных

5 переходов T02èçècòo)2 2. Очевидно, что чем

cii,1bHec успеет разрядиться емкость, ) зя время действия запир!)ющей полуволны няиряжсния обрятной связи, тем больше будет угол отсечки бязевого токя, тем эффскгив|О нес 0) дст р;1ск|1>!к я к2)1сUTÎH2, тем Оьlст1рее

Он бмдст восстянявливять свои рсж!|м, нярмшснный мсхяии !секим Bo)äcécòBèñì, т. е. тем лучше б дст его динямикя.

Однако уменьшение сопротивления 4 уве15 личивяет Hcïðîèçâîäèòcëüíûé коллскторный ток, умсньц;яст псрсмс|.ную состяв,)яющую

Возбу)кд210Lllсго то| 2 и приВОдит K срыв) колеояний.

20 Трсбовяния улу пцсния условий рязрядя емкoсти 8 и у.ас1!ьшсния потрсблсш|я тока противорсч !Вы. С цс, lbl0 рязрсшсния этого противоречия сопротивление 4 включено в виде нагрузки эмиттсрного повторителя, в кя25 чсстве которого вк110HCH транзистор 5. При этом резко возряст;|ет BxGäíîñ сопротивлсН| .С iiO ПОСТОЯННО)!) ТОКУ, ii СЛЕДОВ;IТСЛЬНО, уменьшястся нсп роизводитсльнос его потрсоленис. В To )I c Время емкость 8 cBooo+HO xi o30 ?l eT paBp51)I BTbc5I lepc2 от|.рытыи

221062

Редактор Б. Ь. Федотов Техред А. А. Кагиыгпиикова Корректор Т. Д. Чуиаева

Заказ 2844 3 Тi! PBiif 53О Подппсиое

ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и оосрвыии при Совете Министров СССР

Москва, Цеитр, ир. Серова, и. 4

Типографиii. Ili). Сап сиопа, 2 база — эмиттор транзистора 5 II уменьшенное сопротивление утечки.

Разрядное сопротивление в этом cëóH»f равно всли|ине сопротивления 4 и сопротивлению перехода эмиттер — база транзистора

5, так как транзистор 2 в это время з»крыт

3»IIHp»IOIIIC If IIO.! IIO 1H Off H» IIp HiKCHHH обр»1ной связи.

Предмет изобретения

Камерто нный генератор на транзисторах. выполненный по двухкаскадной схеме, содержащий оомотку возбуждения камсртонного резонатора и эмиттсрный повторитель, отличвиои нйся гсм, то, с целью повышения ст»бпльностп частоты гснерируемь1х колсб»нffff, эмиттсрный псвторитсль включен в цепь внешней обратной связи генератора последовательно с обмоткой возбуждения камсртогнного резонатора, » нагрузка эмиттерного повторителя подключена к базе транзистора генератора.