Способ выявления и оценки мест закладки в помещениях полупроводниковых устройств для несанкционированного съема речевой и визуальной информации

Способ выявления и оценки мест закладки в помещениях полупроводниковых устройств для несанкционированного съема речевой и визуальной информации

Реферат

Изобретение относится к технике противодействия коммерческому и промышленному шпионажу.

Для выявления скрытно вмонтированных в стены помещений электронных “подслушивающих” и “подсматривающих” устройств широкое распространение получили импульсные нелинейные локаторы. Принцип действия нелинейных локаторов основан на электромагнитном облучении объектов, содержащих полупроводниковые нелинейные элементы (переход металл-окисел-металл, р-n-переход и др.) и приеме отраженных высших кратных гармониках зондирующего сигнала.

Известен способ выявления и оценки мест закладки в помещениях полупроводниковых устройств для несанкционированного съема речевой и визуальной информации, заключающийся в последовательном сканировании обследуемой поверхности нелинейным локатором, фиксировании и обработки полученных от нее откликов в ПЭВМ с отображением местонахождения полупроводниковых устройств (US 6049301 А, G 01 S 13/06, 11.04.2000; WO 02/39140 А2, G 01 S 13/00, 16.05.2005; RU 2166769 C1, G 01 S 13/02, 10.05.2001; RU 22119669 C1, H 04 К 3/00, 20.12.2003; RU 2205419 С2, G 01 S 13/00, 27.05.2003 - прототип).

Недостаток известного способа заключается в невысокой точности воспроизведения пространственных координат полупроводниковых устройств, обусловленной некачественным фиксированием откликов от обследуемой поверхности и отсутствием выразительной интегральной картины откликов. Кроме того, известный способ не позволяет обнаруживать потенциально возможные места закладки полупроводниковых устройств, а также определять траектории трассировки коммуникаций на обследуемой поверхности, структуры встроенных металлоконструкций и аномалии в указанных структурах.

Сущность заявляемого изобретения выражается в совокупности существенных признаков, достаточных для достижения обеспечиваемого предлагаемым изобретением технического результата, который выражается в повышении точности выявления и качества оценки мест закладки полупроводниковых устройств, а также в расширении круга решаемых задач.

Указанный технический результат достигается тем, что в способе выявления и оценки мест закладки в помещениях полупроводниковых устройств для несанкционированного съема речевой и визуальной информации, заключающемся в последовательном сканировании обследуемой поверхности нелинейным локатором, фиксировании и обработки полученных от нее откликов в ПЭВМ с отображением местонахождения полупроводниковых устройств, - в случае появления откликов от обследуемой поверхности по команде ПЭВМ включают работающий в видимом диапазоне лазер, подсвечивают им места откликов, производят их фотосъемку цифровым фотоаппаратом и фиксируют в ПЭВМ, при этом обработку откликов привязывают к изображению обследуемой поверхности и строят интегральную картину откликов, по которой дополнительно визуально обнаруживают потенциально возможные места закладки полупроводниковых устройств, а также определяют траектории трассировки коммуникаций на обследуемой поверхности, структуры встроенных металлоконструкций и аномалии в указанных структурах.

Сравнение заявленного технического решения с наиболее близким аналогом позволило установить соответствие его критерию "новизна", так как оно не известно из уровня техники.

Предложенный способ является промышленно применимым с помощью существующих технических средств и соответствует критерию "изобретательский уровень", т.к. он явным образом не следует из уровня техники. При этом из последнего не выявлено каких-либо действий, характеризуемых отличительными от прототипа существенными признаками, на достижение указанного технического результата.

Таким образом, предложенное техническое решение соответствует установленным условиям патентоспособности изобретения.

На чертеже схематически представлен инструментальный комплекс для реализации предложенного способа.

В состав комплекса входят устройство 1 сканирования с блоками 2 излучения и 3 приема электромагнитных волн (условно показано только по одному такому блоку), подсвечивающим лазером 4, блоком 5 управления, телеметрическим блоком 6 и интерфейсом 7, укрепленные на штативе цифровой фотоаппарат 8 и переносная ПЭВМ 9, а также канал 10 передачи данных (радиоканал или ИК-канал). Позициями 11.1, 11.2 на схеме обозначены заложенные в обследуемой поверхности (стене, оконных рамах, креслах и т.д.) помещения полупроводниковые устройства для несанкционированного съема речевой и визуальной информации (условно показано только два таких устройства).

В процессе практического использования комплекса устройство 1 сканирования направляется на обследуемую поверхность. Передающей антенной блока 2 излучения электромагнитных волн, в качестве которого может быть применен генератор стандартных сигналов, посылается зондирующий сигнал, например, на частоте 915 МГц. При облучении этим сигналом скрытых в поверхности полупроводниковых устройств 11.1, 11.2 от последних отражаются высшие кратные гармоники зондирующего сигнала. Полученные отклики на частотах 1830 и 2745 МГц принимаются приемной антенной блока 3 приема электромагнитных волн, выполненного, например, в виде селективного микровольтметра. Исходные и конечные данные сканирования подводятся к телеметрическому блоку 6 и через интерфейс 7, а также канал 10 передачи данных поступают для обработки в ПЭВМ 9.

Одновременно с электромагнитным сканированием обследуемую поверхность с полупроводниковыми устройствами 11.1, 11.2 подсвечивают лазером 4, работающим в видимом диапазоне, и фотографируют цифровым фотоаппаратом 8. Полученные фотоснимки также поступают в ПЭВМ 9, где производится интегральная обработка результатов обследования поверхности и строится интегральная картина откликов.

Работа блоков 2 излучения и 3 приема электромагнитных волн, подсвечивающего лазера 4, интерфейса 7 цифрового аппарата 8 и ПЭВМ 9 осуществляется по соответствующим командам от блока 5 управления. Предусмотрено программное обеспечение для проведения обследования поверхности, осуществляющее ведение обследования в автоматическом режиме с фиксацией результатов обследования, полученных с устройства 1 сканирования, и фотографических результатов обследования от цифрового фотоаппарата 8, а также исключающее возможные ошибки оператора, проводящего обследование.

В данном техническом решении результатами обследования поверхности помещения является как сама объективная оценка наличия закладных полупроводниковых устройств, так и оперативно полученные локализованные участки зон потенциальной закладки, документированные с помощью цифрового фотоаппарата 8 и ПЭВМ 9 с последующим получением твердой копии изображений всех потенциально опасных зон обследуемой поверхности и указанием какого рода отклики были получены с конкретного локализованного участка.

Таким образом, данный программно-аппаратный комплекс обеспечивает повышение точности выявления и качества оценки мест закладки полупроводниковых устройств, а также расширение круга решаемых задач.

Способ выявления и оценки мест закладки в помещениях полупроводниковых устройств для несанкционированного съема речевой и визуальной информации, заключающийся в последовательном сканировании обследуемой поверхности нелинейным локатором, фиксировании и обработки полученных от нее откликов в ПЭВМ с отображением местонахождения полупроводниковых устройств, отличающийся тем, что в случае появления откликов от обследуемой поверхности по команде ПЭВМ включают работающий в видимом диапазоне лазер, подсвечивают им места откликов, производят их фотосъемку цифровым фотоаппаратом и фиксируют в ПЭВМ, при этом обработку откликов привязывают к изображению обследуемой поверхности и строят интегральную картину откликов, по которой дополнительно визуально обнаруживают потенциально возможные места закладки полупроводниковых устройств, а также определяют траектории трассировки коммуникаций на обследуемой поверхности, структуры встроенных металлоконструкций и аномалии в указанных структурах.