Способ формирования проводящего слоя с помощью установки распыления материала

Способ формирования проводящего слоя с помощью установки распыления материала

Реферат

Способ формирования проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников с помощью установки распыления материала.

За аналог предлагаемого изобретения можно принять установку формирования магнитно-анизотропного элемента произвольной формы и объема (RU 18116, 20.05.2001), в которой изменение распределения силовых линий магнитного потока над поверхностью подложки достигается за счет изменения ее формы и объема.

Техническая эффективность предлагаемого способа заключается в том, что дуга ионов неодинаково бомбардирует источник распыляемого магнитного материала так, что поток выбитых атомов или ионов распыляемого материала с одного края источника преобладает над потоком с другого края источника, в результате чего на подложке формируется проводящий слой с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников. Подложка с таким слоем найдет широкое применение в идентификационных кодовых системах и замках, поскольку процесс идентификации в таких системах осуществляется не только по форме, но также по распределению намагниченности и коэрцитивной силы проводников, что повышает уровень надежности и защиты идентифицируемых слоев от подделок. Данный способ позволяет получать проводящий слой из магнитных материалов как с высокой коэрцитивной силой, так и с низкой, что увеличивает номенклатуру идентифицируемых слоев. Использование для идентификации слоя из материала с коэрцитивной силой имеет высокую надежность, поскольку она препятствует перемагничиванию.

Предлагаемый способ характеризуется тем, что изменение коэрцитивной силы и намагниченности в напыляемом слое вдоль направления проводника или проводников достигается за счет того, что ионы, исходящие из источника ионов, неодинаково бомбардируют источник распыляемого материала. С края источника распыляемого материала, расположенного ближе к источнику ионов газа, выбивается большее количество атомов или ионов. Формирование сплошного или прерывистого слоя регулируется с помощью сменного трафарета на подложке.

Изобретение поясняется чертежом, на котором показана схема получения проводящего слоя с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников. Жирные стрелки показывают направления более мощных потоков бомбардирующих атомов (стрелка А) и распыляемого материала (стрелка Б), а пунктирные - менее мощных потоков, соответственно стрелки В и Г. Способ осуществляется на установке, состоящей из вакуумной камеры 1, источника ионов газа 2, выходящей из него дуги бомбардирующих ионов 3, источника распыляемого магнитного материала 4, подложки 5 и сменного трафарета 6. Направление изменения магнитных свойств слоя показано стрелкой 7.

Способ формирования проводящего слоя на подложке с помощью установки распыления материала, содержащей вакуумную камеру, источник распыляемого материала, источник ионов газа, при выходе из которого дуги ионов неодинаково бомбардируют источник распыляемого магнитного материала таким образом, что поток выбитых атомов или ионов распыляемого материала с одного края источника преобладает над потоком выбитых атомов или ионов распыляемого материала с другого края источника, на напыляемой подложке формируется проводящий слой с изменяющейся величиной намагниченности и коэрцитивной силы вдоль направления проводника или проводников.