Способ многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов и устройство его реализации

Иллюстрации

Показать все

Изобретение относится к области радиосвязи и может быть использовано для формирования сигналов с различными видами модуляции. Достигаемый технический результат - расширение функциональных возможностей и увеличение объема передаваемой информации. Способ характеризуется тем, что модулятор выполняют из полупроводникового диода, источника низкочастотного управляющего сигнала и четырехполюсника, вход которого подключен к источнику многочастотных сигналов, четырехполюсник состоит из двухполюсников, каждый из которых формируют из реактивных элементов, параметры которых выбирают из условия обеспечения двухуровневых законов изменения амплитуды и фазы многочастотных сигналов на выбранных частотах интерполяции при изменении импеданса управляемого полупроводникового диода из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного сигнала, при этом полупроводниковый диод включают в продольную цепь между выходом четырехполюсника и источником управляющего низкочастотного сигнала. Устройство содержит циркулятор, реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала, при этом реактивные сопротивления двухполюсников на каждой из двух заданных частот и параметры параллельного контура выбраны из указанных в формуле изобретения математических выражений. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.

Реферат

Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для формирования фазоманипулированных, амплитудно-манипулированных, а также амплитудно-фазоманипулированных сигналов.

Известен способ манипуляции (модуляции) параметров отраженного сигнала, состоящий в том, что входное сопротивление устройства манипуляции изменяют таким образом, что коэффициент отражения этого устройства изменяет фазу на π, π/2, π/4, причем для разделения входного и отраженного сигнала используют циркулятор [Радиопередающие устройства. / Под редакцией О.А.Челнокова. - М.: Радио и связь, 1982, стр.152-156]. Известно устройство реализации этого способа [там же], состоящее из циркулятора, первый вход которого подключен к источнику сигнала, третий вход подключен к нагрузке, а второй подключен к отрезку разомкнутой линии передачи длиной λ/4, вначале которой включен р-i-n диод.

Если диод закрыт, то от сечения, в котором он включен, происходит отражение, отраженная волна попадает в нагрузку с сопротивлением 50 Ом. Если диод открыт, то отражение происходит от конца линии. Фаза отраженного сигнала в одном состоянии диода отличается от фазы отраженного сигнала в другом состоянии диода на π. При необходимости изменения разности фаз длина отрезка линии передачи изменяется соответствующим образом.

Недостатком этого способа и устройства его реализации является то, что в двух состояниях диода изменяется только фаза отраженного сигнала, причем заданные значения разности фаз отраженного сигнала в двух состояниях диода обеспечивается только на одной фиксированной частоте. Другим недостатком является постоянство амплитуды отраженного сигнала в двух состояниях диода, то есть отсутствие манипуляции амплитуды, что сужает функциональные возможности. Например, это не позволяет обеспечить два канала радиосвязи на одной несущей частоте [один канал можно образовать с помощью манипуляции амплитуды, а другой с помощью манипуляции фазы, или не позволяет обеспечить кодировку передаваемой информации]. Третьим недостатком следует считать большие массы и габариты, связанные с необходимостью использования отрезков линии передачи. Четвертым недостатком является то, что устройство манипуляции, состоящее из управляемой и неуправляемой частей, включается между источником сигнала и нагрузкой, которые имеют определенные значения сопротивлений. Источник сигнала имеет чисто действительное сопротивление (второй вход). Нагрузка для отраженного сигнала (третий вход) имеет также действительное сопротивление. Манипулятор подключен к разомкнутой (бесконечное сопротивление) или замкнутой к (нулевое сопротивление) линии передачи. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают одновременно манипуляцию амплитуды и фазы проходного и отраженного сигнала.

Известен способ манипуляции фазы отраженного сигнала, основанный на использовании двухимпедансных устройств СВЧ [В.Г.Соколинский, В.Г.Шейнкман. Частотные и фазовые модуляторы и манипуляторы. - М.: Радио и связь, 1983, стр.146-158]. Известно устройство реализации этого способа [там же], состоящее из определенного количества реактивных элементов типа L, С, параметры которых выбраны из условия обеспечения требуемой произвольной разности фаз коэффициента отражения.

По сравнению с предыдущими способом и устройством данный способ и устройство его реализации не требуют использования полупроводниковых диодов только в открытом и только закрытом состояниях. При любых состояниях диодов, определяемых двумя уровнями низкочастотного управляющего воздействия, при определенных значениях параметров типа L, C может быть обеспечено заданное значение разности фаз отраженного сигнала на фиксированной частоте. Если амплитуда управляющего низкочастотного сигнала между указанными двумя уровнями изменяется непрерывно, то обеспечивается модуляция.

Основными недостатками данного способа и устройства его реализации являются отсутствие возможности обеспечения требуемых значений разности фаз и отношения модулей коэффициентов отражения в двух состояниях управляемого элемента на двух и более частотах. Другим недостатком является то, что, как и первый способ и устройство, манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату (прототипом) является способ [Головков А.А. Устройство для модуляции отраженного сигнала. А.с. №1800579 от 09.10.1992], состоящий в том, что неуправляемую часть (согласующе-фильтрующее устройство) формирует из определенным образом соединенных между собой двухполюсников, сопротивление каждого двухполюсника выбирают из условия обеспечения одинакового заданного двухуровневого закона изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала при изменении управляемого элемента из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного напряжения или тока.

Известно устройство (прототип) реализации способа [там же], содержащее циркулятор, первое и третье плечи которого являются СВЧ-входом и СВЧ-выходом, а во второе плечо включены реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего воздействия, при этом четерехполюсник выполнен в виде Т-образного соединения двухполюсников со значениями реактивных сопротивлений, которые выбраны из условия обеспечения требуемых законов двухуровневого изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала на двух заданных частотах. Так же как и в предыдущих способе и устройстве реализация возможна модуляция фазы и амплитуды, если управляющий сигнал изменяется непрерывно.

К основным недостаткам данного способа и устройства относятся отсутствие возможности реализации разных заданных законов изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала на двух и более заданных значениях частот, что уменьшает функциональные возможности и объем передаваемой информации. Другим недостатком является то, что, как и в первых двух способах и устройствах, манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала.

Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей и увеличение объема передаваемой информации за счет реализации требуемых разных законов изменения амплитуды и фазы одновременно отраженного и проходного сигналов на заданном количестве фиксированных частот при включении манипулятора между произвольными сопротивлениями.

Указанный результат достигается тем, что в способе многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов, состоящем в том, что модулятор разделяют на управляемую и неуправляемую части включают их между источником сигнала и нагрузкой, неуправляемую часть модулятора формируют из определенным образом соединенных между собой двухполюсников, каждый из двухполюсников формируют из необходимого количества реактивных элементов, параметры которых выбирают из условия обеспечения двухуровневого изменения амплитуды и фазы сигнала при изменении импедансов управляемой части модулятора из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного напряжения или тока на фиксированных частотах, дополнительно импедансы источника сигнала и нагрузи выбирают произвольно, количество фиксированных частот выбирают произвольно, количество реактивных элементов, формирующих двухполюсники неуправляемой части, и их значения выбирают из условия обеспечения заданных разных законов изменения амплитуды и фазы одновременно проходного и отраженного сигналов на выбранном количестве фиксированных частот.

Указанный результат достигается тем, что в устройстве реализации способа многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов, содержащем циркулятор, первое и третье плечо которого являются СВЧ-входом и СВЧ-выходом или нагрузкой для отраженного сигнала, а во второе плечо, являющееся источником СВЧ несущего сигнала, включены реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала, включенному в поперечную цепь, причем четырехполюсник выполнен в виде Т-образного соединения трех реактивных двухполюсников, дополнительно сопротивление второго плеча выбрано произвольным, полупроводниковый диод включен в продольную цепь, параллельно источнику низкочастотного управляющего сигнала включена нагрузка для проходного СВЧ-сигнала с произвольными импедансами на двух заданных частотах, а двухполюсники с сопротивлениями x1n,x2n,x3n Т-образного соединения выполнены из последовательно соединенных между собой последовательного и параллельного колебательных контуров, при этом реактивные сопротивления двухполюсников на каждой из двух заданных частот ω1, ω2 и параметры параллельного контура L1, С1 выбраны из следующих математических выражений:

x1n=x11-x21; x2n=x21; x3n=-x22-x21;

где k=1, 2, 3 - номер двухполюсника считая со стороны источника СВЧ-сигнала; n=1, 2 - номер частоты;

;

, - действительные и мнимые части комплексного сопротивления источника сигнала, то есть второго плеча циркулятора, а также третьего плеча циркулятора, являющегося выходом или нагрузкой для отраженного сигнала, различные на каждой из двух; частот; , - действительные и мнимые части комплексного сопротивления нагрузки для проходного сигнала, различные на каждой из двух частот; r1n,2n, x1n,2n - действительные и мнимые части комплексного сопротивления управляемого элемента в двух состояниях, определяемых двумя уровнями тока и напряжения источника низкочастотного управляющего сигнала, различные на каждой из двух частот; m21n, ϕ21n - заданные отношения модулей и разность фаз коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента на двух частотах; mn, ϕ21n - заданные отношения модулей и разность фаз вспомогательного элемента волновой матрицы передачи в двух состояниях на двух частотах, причем параметры m21n, ϕ21n, mn, ϕn, на каждой из двух частот выбираются из условия: m11n=mnm21n; ϕ11nn21 - где m11n, ϕ11n заданные отношения модулей и разность фаз коэффициентов отражения в двух состояниях управляемого элемента; параметры L2, С2 последовательного контура выбраны произвольно.

Указанный результат достигается тем, что в предыдущем устройстве реализации способа многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов четырехполюсник выполнен в виде П-образного соединения трех двухполюсников, при этом реактивные сопротивления двухполюсников на каждой из двух частот выбраны в соответствии со следующими математическими выражениями:

где

Указанный результат достигается тем, что в первом устройстве реализации способа многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов количество частот выбрано равным трем, а двухполюсники Т-образного соединения выполнены из последовательно соединенных конденсатора с емкостью С0, параллельного колебательного контура с параметрами L1, С1 и двухполюсника с реактивным сопротивлением x0, при этом параметры С0, L1, C1 выбраны с помощью следующих математических выражений:

где

ω1, ω2, ω3, - заданные фиксированные частоты; Хk1=xk1-x01); Хk2k202); Хk3k303); Xk1, Xk2, Xk3 - реактивные сопротивления последовательно соединенных емкости С0 и параллельного колебательного контура с параметрами L1, С1; хk1, хk2, хk3 - реактивные сопротивления последовательно соединенных емкости С0, параллельного контура с параметрами L1, С1 и двухполюсника с реактивным сопротивлением x0 на трех заданных частотах, при этом двухполюсник с реактивным сопротивлением x0 формируется из произвольного количества соединенных любым образом реактивных элементов с произвольными значениями параметров L, С.

Указанный результат достигается тем, что в предыдущем устройстве реализации способа многочастотной модуляции амплитуды и фазы сигналов четырехполюсник выполнен в виде П-образного соединения трех двухполюсников, при этом реактивные сопротивления двухполюсников на каждой из трех частот выбраны в соответствии со следующими математическими выражениями:

где

На фиг.1 показана схема устройства модуляции амплитуды и фазы сигналов, реализующего способ-прототип.

На фиг.2 приведена схема первого предлагаемого устройства модуляции амплитуды и фазы сигналов отраженного и проходного сигналов, реализующего предлагаемый способ многочастотной модуляции, для случая n=1, 2.

На фиг.3 изображена схема второго предлагаемого устройства модуляции амплитуды и фазы сигналов отраженного и проходного сигналов, реализующего предлагаемый способ многочастотной модуляции, для случая n=1, 2.

На фиг.4 представлена схема третьего предлагаемого устройства модуляции амплитуды и фазы сигналов отраженного и проходного сигналов, реализующего предлагаемый способ многочастотной модуляции, для случая n=1, 2, 3.

На фиг.5 сформирована схема четвертого предлагаемого устройства модуляции амплитуды и фазы сигналов отраженного и проходного сигналов, реализующего предлагаемый способ многочастотной модуляции, для случая n=1, 2, 3.

Устройство-прототип содержит циркулятор 1 с входным 2, нагрузочным 3 и выходным 4 плечами, три двухполюсника с реактивными сопротивлениями x1, x2, x3, соединенных между собой по Т-схеме, а также полупроводниковый диод 8, подключенный параллельно к источнику сигнала модуляции 9. двухполюсник 7 подключен к диоду 8, двухполюсник 5 - к нагрузочному плечу 3 циркулятора 1.

Принцип действия устройства манипуляции параметров сигнала, реализующего способ-прототип состоит в следующем.

Сигнал от задающего генератора (на фигуре 1 не показан) через входное плечо 2 циркулятора 1 поступает в нагрузочное плечо 3. В результате взаимодействия пришедшего сигнала с реактивными элементами и диодом и благодаря специальному выбору значений реактивных элементов двухполюсников, значения фаз и амплитуд отраженных сигналов на двух частотах оказывается такими, что в результате их интерференции на выходное плечо циркулятора 1 поступают сигналы, амплитуда и фаза которых в одном состоянии диода 8, определенном одним крайним значением сигнала модуляции источника 9 отличаются от амплитуды и фазы этих сигналов в другом состоянии диода 8 на заданные величины на соответствующих двух частотах. Максимальная девиация фазы может составлять 360°, минимальная - ноль, максимальное отношение амплитуд равно ∞.

Предлагаемые четыре устройства модуляции параметров сигнала (фиг.2-5) содержат циркулятор 1 с входным 2, нагрузочным 3 и выходным для отраженного сигнала 4 плечами, три двухполюсника с реактивными сопротивлениямих x1n, xn2, xn3, соединенных между собой по Т или П-схеме, а также полупроводниковый диод 8, подключенный последовательно к источнику сигнала модуляции 9, двухполюсник 7 подключен последовательно к диоду 8, двухполюсник 5 - к нагрузочному плечу 3 циркулятора 1. К источнику сигнала модуляции (упрадляющего сигнала) подключена нагрузка 10 для проходного сигнала.

Эти устройства функционируют следующим образом. Благодаря специальному выбору количества реактивных элементов двухполюсников схемы их соединений и значений их параметров при переключении управляющего (модулирующего) сигнала на диоде будет одновременно происходить манипуляция отраженного и проходного сигналов на заданном количестве частот в общем случае различными законами двухуровневого изменения амплитуды и фазы. При непрерывном изменении амплитуды управляющего сигнала будет реализована модуляция отраженного и проходного сигналов по амплитуде и фазе в общем случае по произвольным законам. Отраженный сигнал, промодулированный по амплитуде и фазе на заданном количестве частот попадает на выход 4, а проходной в нагрузку 10.

Докажем возможность реализации указанных свойств.

Пусть на фиксированной частоте известны сопротивления источника сигнала z0=r0+jx0, нагрузки zн=rн+jxн и управляемого элемента z1,21,2+jx1,2 в двух состояниях, определяемых уровнями управляющего воздействия.

Требуется определить структуру схемы, минимальное количество элементов и значения параметров, при которых переключение управляемого элемента из одного состояния в другое однозначно приводило бы к изменению модулей и фаз коэффициентов отражения и передачи по следующим законам [Головков А.А., Минаков В.Г. Взаимосвязи между элементами матрицы сопротивлений и их использование для синтеза согласующе-фильтрующих устройств амплитудно-фазовых манипуляторов. Телекоммуникации, №8, 2004, с.29-32.]:

где m11=|S11'|/|S11"|; m21=|S21'|/|S21"|; ϕ11'=ϕ11'-ϕ11"; ϕ2121'-ϕ21"

- требуемые отношения модулей и разности фаз коэффициентов отражения S11', S11" и передачи S21', S21" в двух состояниях управляемого элемента.

Пусть управляемый элемент включен в продольную цепь между СФУ и нагрузкой, причем в СФУ предполагается использовать только реактивные элементы так, что оно характеризуется матрицей сопротивления

и соответствующей классической матрицей передачи [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмлюсников на СВЧ. М.: Связь, 1971, 388 с.]:

где |х|=-x11x22-x212 - определитель матрицы (3).

Управляемый элемент в двух состояниях характеризуется следующей матрицей передачи.

Перемножим матрицы (4) и (5) и с учетом z0, zн [там же] запишем нормированную матрицу передачи всего устройства:

Используя известные соотношения между элементами классической матрицы передачи и элементами матрицы рассеяния [там же], с учетом (6) получим выражения для коэффициентов отражения и передачи:

Подставим (8) в (2) и разделим действительную и мнимую части в полученном комплексном уравнении между собой:

Решение этой системы имеет следующий вид:

x11=D1x22+E1x0;

где

Полученные два соотношения (9) между элементами матрицы сопротивления СФУ амплитудно-фазового манипулятора означают, что количество неуправляемых элементов должно быть не менее двух. Значения параметров этих элементов, оптимальных по критерию обеспечения требуемых значений m21, ϕ21, должны удовлетворять системе двух уравнений, формируемых на основе (9). Для этого необходимо взять пробную схему СФУ, найти матрицу сопротивлений этой схемы и представить ее в виде (3). Полученные таким образом элементы x11, x22, x21, выраженные через параметры схемы, нужно подставить в (9) и решить сформированную систему двух уравнений относительно выбранных двух параметров.

Остальные параметры при этом относятся к управляемой части и участвуют в формировании z1, z2, т.е. входят в коэффициенты D, Е, F.

Условия физической реализуемости заданных значений m21, ϕ21 вытекают из обеспечения положительности подкоренного выражения в (10).

Поскольку Е2+FD=-r02, то это условие сводится к требованию D<0.

Из последнего неравенства следует ограничение на ϕ21:

Из выражения (10) по тем же соображениям следует ограничение на

где - качество управляемой части манипулятора с учетом действительной части сопротивлением нагрузки.

Аналогичное решение для отраженного сигнала является очень громоздким из-за более сложного вида выражения для коэффициента отражения (7) по сравнению с (8). Этих трудностей можно избежать, если воспользоваться решением более легкой вспомогательной задачи обеспечения требуемых значений разности фаз и отношений модулей одного из элементов Т21 волновой матрицы передачи [там же]:

Подставим (13) в требуемый закон изменения амплитуды и фазы элемента Т21:

где ; ϕ=ϕ'-ϕ" - требуемые отношения модулей и разности фаз элементов Т21', Т21'' в двух состояниях управляемого элемента.

После разделения действительных и мнимых частей в (14) с учетом (13) получим систему двух уравнений:

решение которой имеет вид:

x11=D2x22+E2+x0;

где

Условия физической реализуемости, вытекающие из тех же соображений сводятся к ограничению на m, ϕ.

где

Поскольку соотношения (10), (16) описывают взаимосвязи между элементами матрицы сопротивления одного и того же СФУ, то они должны быть попарно равны. Из этих равенств следует выражение для х22:

Таким образом, все три элемента матрицы (3) оказываются строго заданными. Это означает, что для обеспечения требуемых значений m11, ϕ11 необходимо иметь минимум три независимых элемента в СФУ. Их параметры должны определяться из решений трех систем уравнений (10), (19) или (16), (16) по алгоритму, описанному для проходного сигнала. При этом в соответствии с (13) требуемые разность фаз и отношение модулей коэффициентов отражения в двух состояниях определяются по формулам:

где m, m21, ϕ, ϕ21 задаются из условия обеспечения требуемых m11 и ϕ11. При этом второе равенство из (19) выполняется автоматически.

Упрощение алгебраических преобразований достигнуто за счет увеличения необходимого количества элементов СФУ до трех.

В соответствии с описанным алгоритмом получены выражения для схем СФУ Т-образного (фиг.2, 4) и П-образного (фиг.3, 5) соединений трех двухполюсников, при которых предлагаемые устройства модуляции с заданными значениями m21, ϕ21 и m11, ϕ11:

для Т-образного соединения

для П-образного соединения

В выражениях (21), (22) элементы х11, х21 и х22 определяются формулами (10), (19) или (16), (19). Обеспечение положительности подкоренных выражений в (21), (22) являются условиями физической реализуемости соответствующих схем. Структура схем определяется следующим образом. Если в формулах (21)-(22) Хn>0 (n=1, 2, 3), то это индуктивность Lnn/(ω=2πf). Если Хn<0, то это емкость

Реализация требуемых частотных характеристик в двух состояниях легко может быть осуществлена путем интерполяции на двух, трех и т.д. частотах. Для этого необходимо каждый из двухполюсников, входящих в схему СФУ (фиг.2-5), сформировать из элементов L1, С1 таким образом, чтобы он обеспечивал на заданных частотах требуемые значения сопротивлений, рассчитанные по формулам (21)-(22) для этих же частот. Здесь приводятся два решения таких задач. Для двух заданных частот предлагается сформировать двухполюсники из последовательно соединенных между собой параллельного и последовательного колебательных контуров. Сопротивления таких двухполюсников на двух частотах определяются выражениями:

Решение системы двух уравнений (23) определяет параметры L1, C1 параллельного контура:

где k=1, 2, 3 - номер двухполюсника; n=1, 2 - номер частоты.

В выражениях (24) параметры L, С могут быть выбраны произвольно исходя из каких либо физических соображений, например, из условия обеспечения минимума отклонений заданных характеристик в заданной полосе частот или исходя из условия физической реализуемости схем.

Для трех заданных частот предлагается формировать двухполюсники из последовательно соединенных емкости С0, параллельного контура L1, С1 и реактивного двухполюсника с сопротивлением jx0. При этом параметры определяются из решения системы трех уравнений:

Решение имеет вид:

где

Хk1=xk1-X01); Хk2k2-X02); Хk3=xk3-X03); Xk1, Xk2, Xk3 - реактивные сопротивления последовательно соединенных емкости С0 и параллельного колебательного контура с параметрами L1, С1; хk1, хk2 хk3 - реактивные сопротивления последовательно соединенных емкости С0, параллельного контура с параметрами L1, С1 и двухполюсника с реактивным сопротивлением х0 на трех заданных частотах, при этом двухполюсник с реактивным сопротивлением х0 формируется из произвольного количества соединенных любым образом реактивных элементов с произвольными значениями параметров L, С; ω1, ω2, ω3 - заданные фиксированные частоты.

Реактивное сопротивление jx0 двухполюсника формируется произвольным образом или исходя из каких-либо физических соображений, например исходя из условия обеспечения минимума отклонений характеристик в полосе частот.

Полученные решения (24) и (26) для двух и трех заданных частот могут быть использованы как в Т-образной схеме соединения трех двухполюсников, так и в П-образной. Поэтому вариантов предлагаемых устройств реализации предлагаемого способа многочастотной модуляции амплитуды и фазы одновременно отраженного и проходного сигналов могут быть всего четыре.

Предлагаемые технические решения являются новыми, поскольку из общедоступных сведений неизвестны способы одновременной многочастотной модуляции параметров как отраженного, так и проходного сигналов и устройства реализации, состоящие из определенным образом соединенных определенного количества реактивных элементов L, С, определенных по соответствующим математическим выражениям.

Предлагаемые технические решения имеют изобретательский уровень, поскольку из опубликованных научных данных и известных технических решений явным образом не следует, что заявленная последовательность операций (формирование неуправляемой части определенным образом соединенных между собой двухполюсников из условия обеспечения двухуровневого изменения амплитуды и фазы отраженного и проходного сигналов на заданном количестве частот при изменении состояния управляемого элемента, включенного в продольную цепь при произвольных значениях сопротивлений источника сигнала и нагрузок), заявленные схемы соединений элементов L, С, формирующих двухполюсник, и математические выражения для определения их параметров обеспечивают увеличение объема передаваемой информации и расширение функциональных возможностей.

Предлагаемые технические решения практически применимы, так как для их реализации могут быть использованы типовые циркуляторы, например ФПВН 4-2, полупроводниковые диоды, например р-i-n диоды, варикапы и т.д., серийно выпускаемые промышленностью индуктивности и емкости, сформированные в заявленные схемы двухполюсников Т, П-образных соединений. Значения параметров емкостей и индуктивностей однозначно могут быть определены с помощью математических выражений, приведенных в формуле изобретения.

Технико-экономическая эффективность предложенных способа и устройства его реализации заключается в увеличении объема передаваемой различной информации за счет организации необходимого числа каналов радиосвязи, действующих как в направлении отраженного сигнала, так и в направлении проходного сигнала путем определения значений всех параметров реактивных элементов исходя из условий обеспечения требуемых различных законов изменения амплитуды и фазы отраженного и проходного сигналов на заданном количестве фиксированных частот.

1. Способ модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов, состоящий в том, что модулятор выполняют из управляемого полупроводникового диода, источника низкочастотного управляющего сигнала и четырехполюсника, вход которого подключен к источнику многочастотных сигналов, четырехполюсник состоит из трех двухполюсников, каждый из двухполюсников формируют из количества реактивных элементов, не меньшего количества частот интерполяции требуемых амплитудно- и фазочастотных характеристик, параметры реактивных элементов двухполюсников выбирают из условия обеспечения двухуровневых законов изменения амплитуды и фазы многочастотных сигналов на выбранных частотах интерполяции при изменении импеданса управляемого полупроводникового диода из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного сигнала, отличающийся тем, что управляемый полупроводниковый диод включают в продольную цепь между выходом четырехполюсника и источником управляющего низкочастотного сигнала, количество фиксированных частот выбирают из условия обеспечения заданных отклонений частотных характеристик от требуемых на частотах интерполяции, импедансы источника многочастотных сигналов и нагрузкок для проходных и отраженных модулированных по амплитуде и фазе многочастотных сигналов выбирают комплексными, значения параметров реактивных элементов выбирают из условия одновременного обеспечения заданных разных законов изменения амплитуды и фазы проходных и отраженных многочастотных сигналов на выбранном количестве фиксированных частот интерполяции требуемых амплитудно и фазочастотных характеристик.

2. Устройство модуляции амплитуды и фазы многочастотных сигналов, содержащее циркулятор, первое плечо которого является высокочастотным входом для многочастотных сигналов, а третье плечо - высокочастотным выходом для отраженных модулированных многочастотных сигналов, а во второе плечо включены реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала, включенному в поперечную цепь, причем четырехполюсник выполнен в виде Т-образного соединения трех реактивных двухполюсников, отличающееся тем, что сопротивление второго и третьего плеч выбрано комплексным, полупроводниковый диод включен в продольную цепь, параллельно источнику низкочастотного управляющего сигнала включена нагрузка для проходных модулированных многочастотных сигналов с комплексными сопротивлениями на двух заданных частотах, а двухполюсники с сопротивлениями x1n, x2n, x3n Т-образного соединения выполнены из последовательно соединенных между собой последовательного и параллельного колебательных контуров, при этом реактивные сопротивления двухполюсников на каждой из двух заданных частот ω1, ω2, и параметры параллельного контура L1, C1 выбраны из следующих математических выражений:

x1n=x11-x21; x2n=x21; x3n=-x22-x21;

где k=1, 2, 3 - номер двухполюсника, считая со стороны источника сверхвысокочастотного сигнала;

n=1, 2 - номер частоты;

- заданные действительные и мнимые части комплексного сопротивления источника многочастотных сигналов, то есть второго плеча циркулятора, а также третьего плеча циркулятора, являющегося выходом или нагрузкой для модулированных отраженных многочастотных сигналов, различные на каждой из двух частот;

- заданные действительные и мнимые части комплексного сопротивления нагрузки для проходного сигнала, различные на каждой из двух частот;

r1n,2n, x1n,2n - заданные действительные и мнимые части комплексного сопротивления полупроводникового диода в двух состояниях, определяемых уровнями тока или напряжения источника низкочастотного управляющего сигнала, различные на каждой из двух частот;

m21, ϕ21n - заданные отношения модулей и разность фаз коэффициентов передачи в двух состояниях полупроводникового диода на двух частотах;

mn, ϕn - заданные отношения модулей и разность фаз вспомогательного элемента волновой матрицы передачи в двух состояниях на двух частотах, причем параметры m21n, ϕ21n, mn, ϕn на каждой из двух частот выбираются из условия m11n=mnm21n; ϕ11nn21n, где m11n, ϕ11n - заданные отношения модулей и разность фаз коэффициентов отражения в двух состояниях полупроводникового диода;

параметры L2, С2 последовательного контура выбраны произвольно.