Халькогенидное стекло

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Технический результат - повышение термической устойчивости стекла. Халькогенидное стекло содержит, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0. 1 табл.

Реферат

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Известны различные составы халькогенидных стекол /1/.

Известно халькогенидное стекло, содержащее, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /2/.

Цель изобретения состоит в повышении термической устойчивости стекла.

Цель достигается тем, что в состав халькогенидного стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят SnS2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0.

В таблице приведены составы стекла.

Таблица
СоставКомпоненты, мас.%:
GeS2NaClGa2S3SnS2
150,020,023,07,0
254,018,020,08,0
353,019,018,010,0

Для всех приведенных в таблице составов халькогенидного стекла твердое состояние сохраняется до температуры 430-450°С.

Компоненты стекла, взвешенные в указанных количествах, помещают в емкость, из которой удаляют воздух, и запаивают. Варку стекла проводят в электропечи при 1200°С.

Источники информации

1. Аппен А.А. Химия стекла. - Л.: Химия 1974, - с.57.

2. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.

Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит SnS2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0.