Халькогенидное стекло

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS2, NaCl, Ga2S3 и дополнительно In2S3 и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga2S3 15,0-25,0, In2S3 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат - повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.

Реферат

Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.

Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /1/.

Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.

Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят In2S3 и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS2 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga2S3 15,0-25,0; In2S3 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.

В таблице приведены составы стекла.

Таблица
СоставКомпоненты, мас %:Сохранение твердого состояния до температуры, °С
GeS2NaClGa2S3In2S3GaAs
135,015,025,015,010,0450-500
240,013,020,020,07,0450-500
345,010,015,025,05,0450-500

Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.

Источники информации

1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.

Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит In2S3 и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:

GeS235,0-45,0
NaCl10,0-15,0
Ga2S315,0-25,0
In2S315,0-25,0
GaAs5,0-10,0