Халькогенидное стекло
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS2, NaCl, Ga2S3 и дополнительно In2S3 и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga2S3 15,0-25,0, In2S3 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат - повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.
Реферат
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике.
Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /1/.
Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла.
Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят In2S3 и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS2 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga2S3 15,0-25,0; In2S3 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0.
В таблице приведены составы стекла.
Таблица | ||||||
Состав | Компоненты, мас %: | Сохранение твердого состояния до температуры, °С | ||||
GeS2 | NaCl | Ga2S3 | In2S3 | GaAs | ||
1 | 35,0 | 15,0 | 25,0 | 15,0 | 10,0 | 450-500 |
2 | 40,0 | 13,0 | 20,0 | 20,0 | 7,0 | 450-500 |
3 | 45,0 | 10,0 | 15,0 | 25,0 | 5,0 | 450-500 |
Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах.
Источники информации
1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.
Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит In2S3 и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:
GeS2 | 35,0-45,0 |
NaCl | 10,0-15,0 |
Ga2S3 | 15,0-25,0 |
In2S3 | 15,0-25,0 |
GaAs | 5,0-10,0 |