Фотоконденсатор

Фотоконденсатор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

231671

Союз Советских

Социал истичаских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21@, 10/02

Заявлено 15.Н.1967 (¹ 1164237/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 28.Х1.1968 Бюллетень № 36

Дата опубликования описания З.IV.1969

i41HIy H 01g

УД К 621.319.42(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. Ю. Алиев, Л. Д. Розенштейн и Е. А. Чистяков

Институт полупроводников АН СССР

Заявитель

ФОТОКОНДЕНСАТОР изготовлении слоя 1 из фталоцианина, а слой

2 из BaTio3 произведение диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала фотоактивного слоя в 100 раз больше произведения соответствующих величин материала пассивного слоя. На частоте

10 кгтт с увеличением интенсивности светового потока от 0 до максимума емкость конденсатора уменьшается на 30%, а при частоте

10 2 нграт — на 10Я,.

Фотоконденсатор, состоящий пз фотоактив15 ного, например фотополупроводникового, и пассивного, например сегнетоэлектрического, размещенных между токопроводящими обкладками слоев, оТ.ø÷àþöèéñÿ тем, что, с целью получения отрицательной фоточувстви20 тельности, фотоактивный слой изготовлен из материала, для которого величина произведения диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление больше произведения диэлектрической проницаемости на удельное со25 противление материала пассивного слоя, например из фталоцианина, при пассивном слое, изготовленном из титаната бария, Известен фотоконденса тор, состоящий из фотоактивного, например фотополупроводникового, и пассивного, например сегнетоэлектрического, слоев, размещенных между токопроводящими обкладками. Однако у такого фотоконденсатора при увеличении интенсивности светового потока, падающего на конденсатор, увеличивается емкость.

У описываемого конденсатора уменьшение его емкости при увеличении интенсивности светового потока достигнуто тем, что фотоактивный слой изготовлен из материала, для которого величина произведения диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала фотоактивного слоя больше, чем произведение диэлектрической проницаемости на удельное сопротивление материала пассивного слоя, например, из фталоцианина при пассивном слое, изготовленном из титаната бария.

На чертеже изображен описываемый конденсатор.

Диэлектрик конденсатора образован фотоактивным слоем 1 и пассивным слоем 2. На поверхность слоя 1 нанесена полупрозрачная токопроводящая обкладка т. Пассивный слой

2 нанесен на металлический электрод 4. При

Предмет изобретения

Составитель Н. Давыдов

Техред Т. П, Курилко Корректор О. Б. Тюрина

Редактор А, Шиллер

Типографии, пр, Сапунова, 2

Заказ 354!3 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр,Серова, д. 4