Симметрированный эмиттерный повторитель

Симметрированный эмиттерный повторитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 11.lX.1967 (№ 1182940/26-9) Кл. 21а-, 18/08 с присоединением заявки ¹â€”

МПК Н 03f

Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

11риоритет

УДК 621.375.4:621.375. .132.3 (088.8) Опуоликовано 11.Х11.1968. Бюллетень ¹ I за 1969 г.

Дата опубликования описания 7Х.1969

Лвтор изобретения

Э. П. Тарасов

Центральное конструкторское бюро киноаппаратуры

Заявитель

CHMMETPHPOBAH НЪ1Й ЭМИТТЕРНЪ1Й ПОВТОРИТЕЛЬ

В известных симметрированных эмиттерных повторителях для усиления сигналов звуковой частоты, выполненных на транзисторах, усиление по току и входное сопротивление ограниче«ы по величине коэффициентом усиления по току каждого транзистора, симметрия плеч нарушена. Надежность этих повторителей— относительно низкая, вследствие больши величин коэффициентов нестабильности токов эмиттеров транзисторов.

Предложенный повторитель отличается тем, что входной сигнал подается на базу одного из транзисторов, эмиттер которого соединен с базой одного транзистора через нелинейную цепь с малым динамическим сопротивлением, например стабилитрон.

На чертеже схематически изображен:предло«кснный эмиттерный повторитель.

Источник 1 сигнала и цепь 2 смещения подключены к базе транзистора 8 гипа р-и-о.

Эмиттер транзистора 8 соединен с базой транзистора 4 типа и-р-и через стабилитрон 5.

Коллекторы транзисторов 8 и 4 соединены с соответствующими полюсами б и 7 источника питания. Эмиттеры этих же транзисторов соединены между собой через два последовательно включенных сопротивления 8 и 9, к обшей точке которых подключена нагрузка 10.

База транзистора 4 соединена с .полюсом 7 источника питания через два последовательно вк IfoHOHH»fx сопротивления 11 и 12, общая

TGчка «:оторых сОед!«не«та с нагрузкои 1(1 fop c.) конденсатор 18.

При режиме покоя, когда на базу транзистора 8 не подастся сигнал от источника 1, постоянство напряжения смещения на стабилитроне 5 обеспечивает постоянное падение напряжения на сопротивления. 8 и 9 и стабильность проходящих через ННх токов эмиттеров

10 транзисторов 8 и 4, Причем стабилитрон 5 компенсирует температурный дрейф напряжен|«я на эмпттерном переходе транзистора 4.

Ток смещения через стабилитрон 5 задается сопротивлениями 11 и 12.

15 Динамическое сопротивление IIQ постоянному току в цепи эмиттера транзистора 8 велико и намного превышает величину сопротивлсHHH 8 H 9, та« как из«менение постоянного тока через»ffv мало, благодаря соединению эмиттсра транзистора 8 через стабилитрон 5 с базой транзистора 4. Поэтому влияние температурного, дрейфа напряжения на эмиттерном переходе транзистора 8 на его режим очень мало, коэффициент нестабильности тока эмиттера транзистора 8, характеризующий влияние дрейфа обратного тока коллектора, также мал.

Динамическое сопротивление по постоянному току в цепи базы транзистора 4 низкоомно, так как определяется малым сопротивлc

3Q нием стабилитрона 5, поэтому коэффициент

232323

Предмет изобретения где

Составитель Л. Рубинчик

Техред Т. П, Курилко Корректор А, П. Васильева

Редактор E. Кравцова

Заказ 441/l4 Тирана 437 Подписное

11НИИПИ Комитет; по делам изобретений и открь тий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 нестабильности тока эмиттера транзистора 8 также мал.

Когда на базу транзистора 8 подается от источника 1 сигнал, переменный ток эмиттера этого транзистора проходит на нагрузку 10 че- 5 рез сопротивление 8. Возникающее при этом падение напряжения переменного тока на этом сопротивлении приложено через стабилитрон 5 между общей точкой сопроти)вления 8 и 9 и базой транзистора 4. В результате появляется 40 переменный ток эмиттера транзистора 4, который проходит на нагрузку 10 через сопротивление 9. Ток нагрузки равен сумме токовэмиттеров транзисторов 8 и 4.

Симметрия, т. е. равенство токов эмиттеров 15 транзисторов 8 и 4, выполняется при условии:

Rs — Rg+Rв(1 — d4)+h 11 ) 1 а = Rв

R.- — динамическое сопротивление стабилитрона 5; 20

RII и R9 — сопротивления 8 .и 9; д, —,коэффициент усиления по току транзистора 4;

h 11ч — входное сопротивление транзистора 4 в схеме с общей базой 25 при .короткозамкнутом выходе.

При этом условии усиление .по току предлагаемого повторителя в два раза больше, чем усиление по току транзистора 8 (или извест- 30 ного симметрированного эмиттерного повторителя),и практически не зависит от коэффицисита усиления по току транзистора 4. Лмплитуда тока нагрузки,в два раза может превышать величину постоянного тока эмиттеров транзисторов 8 и 4.

Конденсатор 18 включен для уменьшения тока чсрез сопротивление 11 и стабилитрон 5.

Предлагаемый повторитель предназначен для использования в качестве оконечного .каскада,высококачественных предварительных усилителей звуковой частоты на транзисторах (в кино-, радио- и телевизионной аппаратуре), может быть также использован для усиления сигналов инфра- и ультразвуковых частот (например, в измерительной аппаратуре).

Симметрированный эмиттерный повторитель для усиления сигналоiв звуковой частоты, содержащий два транзистора различной проводимости, соединенных последовательно по цепи питания, отличQfoщайся тем, что, с целью увеличения усиления по току, уменьшения нелинейных искажений и повышения .надежности, входной сигнал подается на базу. одного из транзисторов, эмиттер которого соединен с базой другого транзистора через цепь с малым динамическим сопротивлением, например стабилитрон, а .нагрузка подключена к общей точке двух резисторов, включенных последовательно между эмиттерами упомянутых транзисторов.