Патент ссср 232389

Патент ссср 232389

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

232389

Союз Советских

Социалистикеских

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25.1Ч.1967 (№ 1153097/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 10.1Х.1969. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 26.1.1970

Кл. 21g, 11/02

МПК Н 011

УДК 621.382.2:621.319,4 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВАРА КТО Р

Изобретение относится к тонкопленочным приборам с нелинейными характеристиками, используемым для целей параметрического усиления, электрической перестройки контуров и фильтров, амплитудной и частотной модуляции и в частности к полупроводниковым управляемым емкостям.

Известен полупроводниковый варактор (см.

W. G. Р1апп С.G.Â. Garrett, Proc IR (47, 2011, 1959), выполненный в виде структуры металл —,изолятор —.полуп,роводник — металл.

Этот прибор обладает V-образной вольт-емкостной характеристикой, если в Heì использован узкозонный полупроводник, проводимость которого мало отличается от собственной.

В случае широкозонных полупроводников, которые используются при повышенных температурах, V-образная характеристика не может быть получена, так как для этого необходимы очень большие электрические поля, превосходящие электрическую прочность применяемых изоляторов. Кроме того, такой варактор обладает недостаточной кругизной характеристики.

Целью изобретения является получение

V-образной вольт-емкостной характеристики в случае широкозонного полупроводника прп малых внешних электрических полях и большей крутизны характеристики. Для этого полупроводниковый вар актор выполнен в виде многослойной структуры металл — изолятор— полупроводник — изолятор — металл. Толщина пленки полупроводника не превосходит несобственную дебаевскую длину экрапирования.

Это обеспечивает положение минимума вольт. емкостной кривой при изгибах зон, практиче.

5 ски близких к нулю, т. е. минимум емкости (переход на вторую ветвь) достигается при очень малых внешних электрических полях.

На чертеже .приведена схема описываемого варактора.

10 Полупроводниковый варактор состоит из полупроводниковой пленки 1, отделенной двумя слоями изолятора 2 от полевых металлических электродов 8. Электрический контакт 4 обеспечивает симметричное включение варактора

15 в схему. Вся структура размешена на изолир ую ще и п одлож ке 5.

Для включения варактора необходимо закоротить полевые электроды 8 и подсоединить их к одной из клемм источника переменного

20 напряжения, контакт 4 соединить с другой клеммой этого источника. С изменением величины внешнего напряжения емкость тонкопленочного полупроводникового варактора будет меняться по V-образному закону.

Предмет изобретения

Полупроводниковый варактор, выполненный

30 в виде многослойной сгруктуры металл — изолятор — полупроводник — изолятор — металл, 232389

Составитель А, Кот

Редактор О. Филиппова Техред 3. Н. Татаренко Корректоры: E. Ласточкина и А. Абрамова

Заказ 3717/14 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Ьтличающийся тем, что,,с целью получения

V-образной вольт-емкостной характеристики с большей крутизной и большим коэффициентом перекрытия, слой полупроводника имеет толщину порядка или меньше несобственной дебаевской длины экранирования.