Вторичный гальванический элемент

Вторичный гальванический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 .

: М 23375

"1;.

ПАТЕНТ НА ИЗОБРЕТЕНИЕ

Класс 21Ь, 25

ОПИСАНИЕ вторичного гальванического элемента.

К патенту нн-ной фирмы „Мирес Яимитед" (М егев Limited), в г. Лондоне, Великобритания, заявленному 7 июня 1929 года (заяв. свнд. № 46448).

Действительный изобретатель нн-ц Л. А. Леви (L. А. Levy).

О выдаче патента опубликовано ЗО сентября 1931 года. Действие патента распространяется на 15 лет от 30 сентября 1931 года.

Предмет патента.

Л. В. еал. «Печатный Tpi-э

Предлагаемое изобретение касается устройства вторичного гальванического элемента цинко-галоидного типа, в котором цинковый электрод снабжен нерастворимым основанием из ферро-силиция. Изобретение состоит в том, что в качестве ферро-силиция применен сплав, содержащий от 14 5 до 15 5% кремния по отношению к железу.

Элемент работает с избытком относительно цинка галоидов, связанных с анодом, который должен быть всегда частично заряженным. Катод имеет гладкую полированную поверхность или шороховатую, но покрытую амальгамой ртути. Такая поверхность назначена обеспечить интенсивное выделение водорода и удержать его на катоде, вследствие чего должна понизиться электродвижущая сила поляризации. Избыток галоидов обеспечивает полное удаление осадка цинка после разрядки и. устраняет наросты, могущие образоваться на электроде, так как такие элементы имеют тенденцию к неправильному осаждению цинка при зарядке.

В качестве электролита в элементе может быть применен раствор хлористого или бромистого цинка, в которых ферросилиций не растворяется.

Вторичный гальванический элемент цинко-галоидного типа, в котором цинковый электрод снабжен нерастворимым основанием из ферро-силиция, отличающийся тем, что в качестве ферросилиция применен сплав, содержащий от 14,5 до 15,5% кремния.