Устройство для разделения изменяющегоб^ по величине электрического тока на отдельные

Устройство для разделения изменяющегоб^ по величине электрического тока на отдельные

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Сава!сана

Соцналистическиа

Респуолнк

К АВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 17Х|.1966 (№ 1085816, 26-24)

C I1))llCOCiIIIICIIIICil зая!)ки v¹

Приоритет

Комитет ло делан изо0ретеннй и открытий лри Совете Министров

СССР

88.8) Опубчикот)аио 24.Х11.1968. Бюллетень ¹ 3 за 1969 г.

Дата опубликования описания 5Лт.)969

11 тепе и((<

) Авторы изобретения В. И. Турченков и В. С. Смирнов

Заявитель Центральный научно-исследовательский институт ком тизации йфа: Еуту)ГГ", Л

i1t Г Р

P/(. i1/ (J 6

УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ ИЗМЕНЯЮЩЕГОС

ПО ВЕЛИЧИНЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА НА ОТДЕЛЪНЫЕ

П ОДД ИАПАЗО Н Ь|

11:)всстиы устройства для разделения изменяющегося по величине входного электрического тока (ч!ли иапря)ксн !я) на отдельные иоддиапазоны, содержащие последовательно вкл1О1(енные каскады на транзисторах и делитель напряжения, подключенный к источнику питания.

Цель изобретения —.повышение точности работы устройства. Достигается это тем, что !

3 прсдчо)ксииом jjcT))ollcTI)L коллекторы

СОСT!! ВИ)>I!(T))

Принципиальная схема устройства изображена на чертеже.

Устройство состоит из нескольких,последовательно вкгпочснных каскадов, число I ojop(lx равно числу требуемых поддиапазонов. Каж(ый каскад выполнен Hcl двух транзисторах

1 и 2, включенных по схсМс составного транзистора. Коллекторы транзистороз каждого предшсствующсго каскада соединены с эмитторами транзисторов последующих каскадов, Базы составных транзисторов соединены между собой через диоды ) и подключены к делителю напряжения, образованному резисторами 4.

Делитель напряжения !подключен .к источнику питания, подсоединенному к зажимам 5, 1-1агрузочныс резисторы 6 включены в коллекториые цопи составных транзисторов 2.

Входной ток I,„ поступает на вход очередного каскада Jlillllb п!ри достижсчllп(и;Iсыlцсиия Il))(диl(TI)) !0(ÖCÃО к;!Ок;lд;I. 11ри уlи JIIIÂI(IIIIII пх()диого т()к;! ()ч пуля т()l(,!!р<) !(к;!(г ии;1и!1ле только и:1 131>D:o)lc II())1301 к",!(к;1;1;1, II)) IIчем он возрастает ог нуля до определенного

15 предела, О11ределясмОГО т01 Ом насыщсния пс рного транзистора.

При даль)!сйшса! увеличении входного тока чсрсз нагрузочный pcs)«тор второго каска <

НаЧИНаЕт .ПРОтСКатЬ тОК, РаВИЫй Р!!З)3ОС !и(2О входного тока и тока, проходящего чсрсз нагрузочный резистор первого каскада.

По мсрс увеличения входного тока через нагрузочный рсзист()р третьего каскада начинает .протекать ток, величина которого р;!виа

25 разности между входным током и токами,:протекающими чсрсз нагрузочные резисторы первых двух каскадов.

Таким образом, входной ток оказывается разделенным на ряд поддиапазонов, которые

30 могут быль при соответствующем выборе со233742 3

Г1рсдмст изобретения

Составитель Ю. Козлов

Редактор Т. В. Данилова Тскрсд Л. Л. Квмышиикова Корректор О. Б. Тюрина

Заказ Г>вэ/Ь Тираж 137 Подписное !

1ППИПИ Комитета по делам изобретений и открыти!! при Совете Министров СССР

>Чоскв«и центр, пр. Ссрова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 и))OTИВ;1(nliи 1)е:!П(Toj)011 () как ОдниI XI H !

1!!Ибол),п)сс знач(нис вкодного тока опреЛс.15>(TC51 ВОЛH IiinOII Ма io(I! X!3Ë!>НО toil > CTИМОГО

То«;1, llj)oT(l(ilIoIlt(ГО чс )сз Il(. ()В! !11 )1)анзи Toj).

Дл)1 того, чтоб)ы повысить допустимую велич!Гну вко;!ного тока и получить сс большей мtlêcnì3ëníî допустимогo тока через первыll

TP

Гp, Hïû, 3!с)кд hoTÎj)1>!ми В!(llo I(ni>1 б«130-эмитт срныс и(р(.колы шунтиру!ощик траизисторои 7, коллекторы послслник соединены между

Гобои и H01«110>lcnI>I к за)ким5 <> нколной цепи (H;I чертеже показан один шунтирующий транзистор). Korea каскад, прсдшествующ;!й транзистору 7, псрсколllT в режим насыщения, открывается база-эмнттсрный псрекод трапзистор3 7, и д3льнcéøåñ прира)цсние вкодиого тока происколит через него. Места вкгиочсния шунтиру1ои(ик триодов выбираются так, чтобы предшествуницис им каскады вколилн в режим иасьицеиия при вел!Гчинс вкодного тока, меньшей максимально допустимого тока через(первый транзистор.

Устройство обладает малой крутизной кар!1«теj)1!стики 1!3 у

1;ысокую температурную стабильность н позволяет;!спользовать прн соответствующем выбоГ> с T j) 3 H 3 n c To p o B л ю О ы с в к 0 ли!>1(то l « I i.

))cTj)oIlcT для раздел(ни51 и !)1 HH101110ГОся по величине элсктри !еского тока на отдельные поддиапазоны, содержащее несколько посзс,tOB3TCËI>nO ВКЛ10ЧСHHHIX Ка(.К«)ЛОВ Н3 ТРВИЗИСто|)3 x i дсл итсль и 3р51 ж(.Hnя, под« 110чси)1ы Й

«исто шику питания, От))ичп)О(цсе(.<1 тем, ITo, с целью,повышения точности работы устройст33, коллекторы транзисторов кажлогo,ïðåäøåствующсго кас«ала, например составнык тр;)нзисторов, соединены с эмиттерами т )!1ИзисторОВ последующик каскадов, базы составнык з ранзисторов сосд:!иены между собой через

ЛПОды и подклю (сны к ЛсггnTc1lo нап!)яжсния, каскады на транзисторак объединены в группы, между которыми вкл)очены базо-эмиттсрные !Псрскоды шунтирующик транзисторов, и коллекторы этик транзисторов соединены

25 между собой .It 1подключень) ко вкодной цепи.