Способ юстировки пленочных резистивных углеродистых элементов

Способ юстировки пленочных резистивных углеродистых элементов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

233779

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сова Саветскик

Социалистическиа

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21с, 55/01

Заявлено 24Х1.1967 (№ 1165996 26-9) с присоединением заявки №

МПК H 01с

Приоритет

Комитет по делам иаобретеиий и открытий при Совете Мииистрав

СССР ДК 621.316./23.2 (088.8) Опубликовано 24.Х11.1968. Бюллетень ¹ 3 за 1969 г.

Дата опубликования описашья 7Х.19б9

Лвтор изобретения

В. П. Елескин

Заявитель

СПОСОБ ЮСТИРОВКИ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТИВНЫХ

УГЛЕРОДИСТЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Предмет изобретения

Известный способ юстировки пленочных резистивных углеродистых элементов, например резистивных элементов поглотителей С ВЧэнергии, основанный на окислении материала резистивного слоя и непрерывном контроле величины омического сопротивления элемента, не позволяет получить заданный закон распределения величины поверхностного сопротивления по всей площади резистивного слоя.

В описываемом способе юстировки пленочных резистивных углеродистых элементов получение заданного закона распределения величины поверхностного сопротивления по всей площади резистивного слоя достигнуто тем, что окисление производят струей нагретого кислорода, участок соприкосновения которой с резистивцым слоем перемещают вдоль поверхности резистивного элемента.

Кислород нагревают до 1000 — 1200 С. Участок резистпвного элемента, на котором происходит интенсивное окисление резистивного слоя, не превышает 1 пя -, Точность юстировки не хуже 10%.

Способ юстпровки пленочных резистивных углеродистых элементов, например резистивных элементов поглотителей СВЧ-энергии, 10 основанный на окислении материала резистивного слоя и непрерывном контроле величины омического сопротивления элемента, отличающийся тем, что. с целью получения заданного закона распределения велич:шы

15 поверхностного сопротивления по всей плошади резистпвного слоя, окисление производят струей íà-ретого кислорода, участок соприкосновения которой с резистивным сл зсм перемещают вдоль поверхности рсзистивцого

20 элемента.