Логическая схема «и —не»

Логическая схема «и —не»

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1 патент .о--с:., " - =:r.;-гт

O Il H C A H H E

ИЗОБРЕТЕНИЯ

235I04

Союз Соеетскик

Социалистически,т

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 21а>, 36/18

Заявлено 01.Х11.1967 (¹ 1200144/18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 16.1.1969. Бюллетень № 5

Дата опубликования описания ЗХ1,1969

Хомнтет оо делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

МПК Н 03k ДК 681.325.65(088.8) Авторы изобретения В. М. Долкарт, Г. Х. Новик, M. М. Каневский и В. Н. Степанов

Заявитель

Л ОГ И т1 ЕСКАЯ СХЕМА «И — Н Е»

Логическая схема «И вЂ” НЕ» относится к элементам цифровых вычислительных машин, выполненных в транзисторно-транзисторной логике.

Известны логические схемы «И — HE» транзисторно-транзисторной логики, содержащие входной многоэмиттерный транзистор, усилительный каскад и выходной каскад, состоящий из эмиттерного повторителя на составном транзисторе и выходного транзистора с заземленным эмиттером, коллектор которого соединен с эмиттсром составного транзистора. В известных логических схемах «И — НЕ» транзисторно-транзисторной логики база составного транзистора выходного каскада соединена через резистор с земляной шиной. Недостаток известных схем «И вЂ” ИЛИ вЂ” НЕ» маломощной серии заключается в большом расходе мощности на упомянутом резисторе.

Предложенная схема отличается тем, что база выходного каскада составного транзистора через резистор соединена с коллектором выходного транзистора и выходом схемы. Это позволяет уменьшить мощность рассеяния.

Предложенная схема «И вЂ” НЕ» приведена н а чертеже.

Она содержит входной многоэмиттерный транзистор 1, коллектор которого соединен с базой усилительного каскада на транзисторе

2 и резисторах 8 и 4: коллектор транзистора 2 подключен к базе входного каскада 5 составного транзистора, а эмиттер — к базе выходного транзистора б. Коллектор выходного транзистора б соединен с базой выходного каскада 7 составного транзистора через резистор 8. Коллектор сос через резистор 9 соединсн с плюсовой шиной источника питания.

При подаче на выход входного многоэмит10 терного транзистора 1 низкого потенциала ток через резистор 10 переключается в эмиттср этого транзистора, так что транзистор 2 выключается, и ток через его коллекторный резистор 8 переключается в базу входного кас15 када б составного транзистора.

Резистор 4 обеспечивает запирание выходного транзистора б. Благодаря включению входного каскада б составного транзистора включается выходной каскад 7 этого транзи20 стора, что обеспечивает подачу высокого выходного уровня через токоограничивающий резистор 9.

При подаче на входы многоэмиттерного транзистора 1 высоких входных сигналов ток

25 через резистор 10 переключается в базу транзистора 2, затем включается выходной транзистор б. В коллекторе транзистора 2 устанавливается низкий потенциал, и входной каскад б составного транзистора выключается. Бла30 годаря шунтир ющему действию резистора 8, 235104

Составите II Г, Колотова

Техре.l А, А. Камышникова Корректор А. П. Татаринцева

Редактор M. Афанасьева

Заказ 729,8 Тиран(480 Подписное

ЦИИИПИ Комитета по делам изооретсний открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2 подкл10 1енного к коллектору ВыхОднОГО транзистора 6, выключается также Выходной каскад Т составного транзистора.

На чертеже указан выход 11 схемы.

Предмет изобретения

Логическая схема «И вЂ” 1-1Е», содержащая входной многоэмиттерный транзистор, усилительныЙ кяскяд и ВыходнОЙ кяскяд состоящиЙ из эмиттерного повторителя на составном транзисторе и выходного транзистора с заземленным эмиттером, кол IcKTop которого соединен с эмиттером составного транзистора, от.1ичаюи аяся тем, что, с целью уменьшения мощности рассеяния, база выходного каскада составного транзистора через резистор соединена с коллектором выходного транзистора и выходом схемы.