Полупроводниковый прибор
Иллюстрации
Реферат
Воасоюзкз л в1ате н т1. о -т:.: библиотека й11эд
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства М
Кл, 21р, 11/02
Заявлено 26.Х.1966 (№ 1109595/26-25) с присоединением заявки М
Приоритет
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК Н Oll
X ДК 621.382.3 (088.8) Опчбл!!ковано 03.11.1969. Бюллетень ¹ 7
Дата опубликования описания 6Л 1.1969
Авторы и 3 0 б р с т I I I I SI
И. Н. Ларионов, Н. М. Ройзин и А. Г. Колесова
Заявитель
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Микроминиатюрпзация электронных схем, улучшение ряда электрических характеристик полупроводниковых приборов требуют выполнения их активных областей возможно меньших геометрических размеров, что затрудняет присоедш1ение электрических выводов. Такис
>ке трудности возникают в случае необходимости изготовления электродов полупроводниковых приборов в виде полосовых структур весьма малой ширины.
Известны конструкции полупроводниковых планарных приборов. В них пассивная площадь электродов превышает активную, но это достигается при использовании слоев различных материалов (диэлектрических и метал7ических слоев). При этом чтобы получить малую активную область, используют тонкий диэлектрический слой, что приводит к большой паразитной емкости.
Сущность изобретения заключается в выполнении монокристаллических электродов в форме прямой трехгранной призмы, две боковые грани которой ориентированы в плоскостях типа (III), а одна — в плоскости (110), и частично или полностью утоплены в тело кристалла.
IIa чертеже изображен транзистор с призматическим эмиттерным электродом.
Прибор состоит из металлизированного слоя базового электрода, эмнттерного электроQa 2 приз>1ати !сеной ф017..i1ь1, оазовог0 с 70Н п-типа 8 слаболсгииоваииого слоя коллектор» р-Ти па 4, си, IHHO, ICI It pOBBHFIOI 0 C, Iott 1 О 77е! ТОр". р-типа 5 и металли 1еской подложки 6.
5 В этом приборе пассивная область эмиттера бо7ьи!е активной, что удобно для присоединения выводов и обеспечивает малое сопротивление при протекании электрического тока вдоль эмиттера.
10 Эмиттер служит маской при нанесении слоя мета7ла на 7оверхность эмиттера и базы, что
Обеспе и!вает электрическое разъединение их контактов, позволяя расположить металлизиров IHHI>III oaaoahlH .Опта! .т б.71tatio к а! Тинной
15 области прибора. При этом ширина грани э х1 и т 7 е p H o I 0 э7 е к т р 0 д а может и хl е т ь хl ив u»aëüíûe размеры порядка 10 с!1.
Возможно 0TI IQHcHIIe ооковых гpaHcll эхlиттера в активной области от плоскостей (111)
20 порядка атомных размеров.
3 I е !i T P Од 17 P 1 i а х1 а T i t tee 1 0 É ф 0 P lt bt м 0 ж с 7 быть легирован несколькими электрически активными примесями, которые распределены в нем равномерно и отсутствуют в основном
25 кристалле.
Таким образом, р-и переход íà грани11е эмиттер-база может быть редким.
Призматический эмиттериый электрод удоое», Tat< i aIc ширина еТО рабочей части tttol«eT
30 быть значитечьио меньше, чем ширина верх236656
Предмет изобретения
Редактор Б. Федотов
1i;оррсктор Г. И. Плешаков;I
Тскрсд Л. Я. Левина
Заказ 1149)7 Тираж 480 1о тписио.
Ц111!11ПИ Когпитст ) по делам изобретений и открытий при Сопстс Министров СССР
МоскВа Цс))тр ир. Серо))а Д 1
7 ипогра< ии, пр. Сапунова, 2 ней !асТН aлект1зода, к «OTopoily 11pllcoegli!»iется электри 1еский вывод.
Полупроводниковый прибор, состоящий из полупроводникового кристалла с решеткой типа 3лмаза и монокр сталлического электрода, имеющего общую кристаллическую решетку с кристаллом, г)т.)ичаюи1иися тем, что, с целью улу пиения электрически.; н меканнческик .характеристик, по крайней мере один из электродов выполнен в форме прямой трехгранной
5 г1 17 н 3 м 1.1, g B B c P 3 H I l I< 0 T o P o I!,7 с 71 a T
cT>I типа (1 1 1) а O3!Ia — II !7.7ocI