Способ легирования области кристалла полупроводника

Способ легирования области кристалла полупроводника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ибли

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависим»е от явт, свидетельства ¹

1,л, 21g, 11/02

12о 1 t/16

Заявлено 26.Х.1966 (№ 1109596/26-25) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК H 01/

В 011 о ДК 621.382.2(088.8) Приоритет

Опубликовано 03.1!.1969. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 4Х1.1969

Авторы изобретения

И. Н. Ларионов и Н. М. Ройзин

Заявитель

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ОБЛАСТИ КРИСТАЛЛА

ПОЛ УП РО ВОДН И КА поло«»ВОЙ с, IOÉ,,(cTIIPOB3IIII»II(Ятох(яз(и металла, а та«:кс другими примесями, иахо1?!(Ц(l. !И«5! В РЯСП IЯВЕ.

При псрсмсщсиии расплавленной обла ти в ияпряВлеиии (110) как раlстВОрепие, та? Il «pll, талл (33(!((?? полупроводника происходит пар 3«lлсл1>и» пл»с«Ости (1 1 1), ITÎ ll приВОлпт к !

1».1 ЧС?(ИIО ПОЛО«О»ОГО Х!ОНО?,РИСТЯЛЛИЧССI ОГО э IL I:òj?0?3 в форме прях!Ой приза!ы с p3BI(t

ОС t j? Cпн Ы Х! ТРСХ ГО ль??И!СОХ(В 0«110»3111111.

В сл ?Яс хкс, когда электрол получают в вплс трапе(ши, п»всрхности кристалла ориентиру?от в плоскости (111), а вектор плотности т»«я в:!апра»ленин (112).

L11IIpII;I3 пол»с»»ОГО ыонокристялли (с с«ОГО электрола опрс tc,aBCTcst размерами расплавленной капли, я длина электрода сщс и предельной рястг>оримо«тью металла в полупроВОЛ?(И«С, Таким Обр330м 5(oiK(to э Ic«Tpoëû шириной полосы В прелелах

0.1 — 100 .((к «м:1«ронеоднороли»стью по краю меньше 0,01 л!к.

СЛОсОб ЛСГПРОВяпия Ооля«TII 1 1уистялля IIOлупроволни«я или металла с решеткой типа алмаз путем перемещения расплавленной зос присоединением заявки М

Изобретение относится к технологии изготовления полупроволн(I«о в!(х приборов.

Известные спÎcÎбы изготовления эле«Tpî !О»

И ЛCГИ РОВ Я(1 И Я ПC;III (ÎT;I? ИIТЬ ПОЛО: »вЂ” вой электрод в виде прямой призмы с р i»il,— мерным распределением примесей.

Предлагается лля легирован?(я полупроволииковогÎ материала перс мещать ряспля?и Ic? (пыи металл пОл лсистВисм тока, а тя?си;C Озлавать мон»кристалличсcêèå электр»лы в виде прямой многогранной призмы. Суt!t! Io«ть способа заключается в том, что выбрав «(р :1сталлографичсскую ориентацию поверх:!»«т? ( полупроводника и направление вектора пл»тности электрического гока, используют я»ление перемещения пол действием тока расплав,ленного металла ия поверхности полупр»»,!;I,— пика.

Пол действием электрического тока в Объеме капли металла,происходит электропсре,?nс атомов полупроводника так, что на одной границе расплава с кристаллом Ilx концентрация у вел и чиВя ется и стяноВится Оольшс ря»II»BLcной, а иа,(ругой границе — меньше равнов"сной. В связи с этим на одной из границ I?p»ll«холит растворение, а Ita другой — «ристаллизация полупроводника, и капля перемещает«я в c t?»pot!?, границы, на которой происходит растворснис. В результате такого перемещения капля оставляет 33 собой монокристалличесПр лмс т из»брстсиия

236657

Редактор Л. К. Ушакова

Корректоры: А. Николаева и В. Петрова

Тскрсд Л. К. Малова

Лаказ 783/13 Тараки 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изооретеиий и открытий при Совете Министров СССР, !!осква, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ны по поверхности кристалла под действием электрического тока, отлика ощийся тем, что, с целью получения монокристаллических электродоB в форме прямой многогранной призмы, вектор плотности электрического тока направляют параллельно поверхности кристалла и котя бы одной из плоскостей наибольшей упаковки атомов.