Способ изготовления ,о—п-переходов
Патент 237268
Авторы
Классы МПК
- H01L21/02 - изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40)
- H01L21/04 - приборов, имеющих хотя бы один потенциальный барьер, на котором осуществляется скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например p-n-переход, обедненный слой, слой с повышенной концентрацией носителей
Способ изготовления ,о—п-переходов
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
237268
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
Кл. 21g, 11/02
Заявлено 11.11.1966 (№ 1056963 26-25) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет—
Оп у бл и ко в а íî 14.Х.1970. В юла стен ь ¹ 32
Дата опубликования описания 5.1т .1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК Н Oll
4 Д1 621 382 2 002 (083.77) (088.8) Авторы изобретения
В. Н. Данилин, А. В. Красилов, Ю. П. Кондратьев, А. Л. Филатов и А. А. Чернявский
Заявитель
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ р — и-ПЕРЕХОДОВ
Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов.
Известные способы создания р — и-переходов (сплавление, диффузия) ц выводов к ним (пайка, сварка, термокомпрессия) не позволяют получать структуры малой площади с малой глубиной залегания перехода.
По предложенному способу примеси одного типа проводимости вводят в поверхностный слой полупроводника противоположного типа провсхдихтости давлением без образования жидкой фазы при температуре выше комнатной, но ниже температуры эвтектики полупроводник — примесный материал. Это позволяет получить переходы малой площади, расположенные на небольшой глубине.
Описываемый способ, иллюстрируется чертежом.
Показанный переход получен термокомцрессцей алюминиевой проволоки 1 к поверхности германиевой пластины 2, легированной сурьмой, при температуре 320 С ц давлении
5 кг .ттл ; образующаяся от внедрения область р-типа 8 имеет толщину менее 0,1 ттк.
По предложеннотj технологии могут изготовляться силовые ц туннельные диоды, ВЧц СВЧ-транзисторы.
10 Предмет изобретения
Способ изготовления р — и-перетсодов методом введения легпруюшей примеси, от.шчаютапйгя тем, что, с целью получения переходов
15 малой плошади и расположенных на небольшой глубине, примеси вводят давлением при температуре выше комнатной, но ниже температуры эвтектнки полупроводник — примеснтлй материал.
237268
Составитель М. Блатова Редактор Т. И. Зубкова Техред Т. П, Курилко Корректор Т. А. Джаманкулова
Заказ 14/44 Тираж 480 Подписное
ЦКИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5
Тип. Харьк. фил. пред, «Патент»