Стеклокристаллический материал

Изобретение относится к производству радиопрозрачных стеклокристаллических материалов. Технический результат изобретения заключается в уменьшении термического коэффициента линейного расширения, термостабилизации диэлектрической проницаемости и снижении температуры варки. Стеклокристаллический материал содержит следующие компоненты, мас.%: SiO2 - 43,8-52,5; Аl2О3 - 24,6-30,2; MgO - 9,3-11,9; TiO2 - 8,8-12,9; Аs2О3 - 0,1-1,9; ZnO - 0-1,5; CeO2 - 0-2,5; фторопол - 0,1-7,5. 2 табл.

Реферат

Изобретение относится к производству радиопрозрачных стеклокристаллических материалов (ситаллов) в бесщелочной магнийалюмосиликатной системе с низким термическим расширением и высокой термостабильностью диэлектрической проницаемости вплоть до 1200°С для авиакосмической техники и ракетостроения. В настоящее время производство таких материалов в России отсутствует.

Наиболее известным стеклокристаллическим материалом, используемым в США для аналогичных целей, является пирокерам 9606 (З.Стрнад «Стеклокристаллические материалы», М. «Стройиздат», 1988, стр.108, 197-198), включающий следующие компоненты, мас.%:

SiО2 - 56,0; Аl2О3 - 20,0; MgO - 15,0; TiO2 - 9,0

Недостатком этого материала является высокое значение температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР) ≈57·10-7, К-1 в интервале температур от 20 до 320°С.

Наиболее близким к изобретению по химическому составу является стеклокристаллический материал (патент США №4304603 от 8 декабря 1981 г), содержащий следующие компоненты, мас.%:

SiО2 - 48,0-53,0;

Аl2О3 - 21,0-25,0;

MgO - 15,0-18,0;

TiO2 - 9,5-11,5;

As2О3 - 0-1,0

Данный стеклокристаллический материал характеризуется хорошими диэлектрическими свойствами (диэлектрической проницаемостью 8 и тангенсом угла диэлектрических потерь tgδ) и пониженным по сравнению с пирокерамом 9606 ТКЛР. Однако температура варки этих стекол составляет ≈1600°С. Высокое содержание оксида магния ведет к разъеданию огнеупоров, так как с ростом концентрации оксида магния повышается агрессивность расплава стекломассы по отношению к материалам варочных сосудов. Все это затрудняет получение качественного стекла в существующих стекловаренных печах. Кроме того присутствие кристобалита в качестве сопутствующей кристаллической фазы вызывает опасность растрескивания заготовок в процессе термообработки из-за значительной разности ТКЛР у кордиерита (основная кристаллическая фаза) и кристобалита. Высокие показатели свойств достигаются путем введения дополнительных технологических операций - химической обработки в растворах щелочи и кислоты.

Целью изобретения является уменьшение термического коэффициента линейного расширения, термостабилизация диэлектрической проницаемости в области рабочих температур и снижение температуры варки стекла.

Это достигается тем, что стеклокристаллический материал, включающий SiО2, Аl2О3, MgO, TiO2, As2О3 дополнительно содержит ZnO, СеО2 и фторопол в следующем соотношении, мас.%:

SiО2 - 43,8-52,5;

Аl2О3 - 24,6- 30,2;

MgO - 9,3-11,9;

TiO2 - 8,8-12,9;

As2О3 - 0,1-1,9;

ZnO - 0-1,5;

СеО2 - 0-2,5;

Фторопол - 0,1-7,5

Авторы установили, что сочетание компонентов в заявляемом количественном соотношении позволяет получить стеклокристаллический материал с низким значением ТКЛР, добиться термостабилизации диэлектрической проницаемости вплоть до 1200°С и снизить температуру варки до (1550±10)°С. Кроме того, уменьшение концентрации оксида магния снижает агрессивность расплава стекломассы по отношению к огнеупору, что позволяет получать качественную стекломассу в существующих стекловаренных печах.

В таблице 1 приведены примеры конкретного выполнения составов стеклокристаллического материала, мас.%.

Таблица 1
Наименование компонента Номер стекла
1 2 3 4 5
SiО2 43,8 47,5 51,5 49,7 47,7
Аl2О3 29,8 27,9 25,3 24,6 28,0
MgO 11,8 9,7 9,5 10,5 9,4
TiO2 12,7 11,9 11,0 8,8 11,0
As2О3 1,8 0,5 0,2 0,1 0,4
ZnO - - 1,4 - 1,0
СеО2 - 2,4 1,0 - -
Фторопол 0,1 0,1 0,1 6,3 2,5

Сочетание приведенного состава и выбранного режима термообработки с максимальной температурой кристаллизации (1270-1320)°С позволило снизить температурный коэффициент линейного расширения. В качестве основных кристаллических фаз в полученном стеклокристаллическом материале присутствуют кордиерит и рутил, что способствует стабилизации диэлектрических свойств.

В таблице 2 приведены свойства синтезированных стеклокристаллических материалов.

Таблица 2
№ п/п Наименование свойств Един. измер. Номера стекол
1 2 3 4 5 Прототип
1 ε при частоте 1010 гц
при: 20°С 7,62 7,12 6,52 6,29 7,53 6
700°С 7,65 7,18 6,55 6,32 7,59
1200°С 7,67 7,19 6,59 6,35 7,60
Δε % 0,66 0,98 1,07 0,95 0,92
2 tgδ при частоте 1010 гц
при: 20°С tgδ·104 19 13 9 13 13 3,5
700°С 55 195 179 246 251
1200°С 211 390 368 470 370
3 ТКЛР(20-300)°С α·107, 15 9 26 12 12 30-44,4
(20-900)°С К-1 25 20 30 26 20
4 Температура варки °С 1550 1550 1540 1530 1540 1600
5 Температура крист. °С 1320 1260 1270 1230 1230 1000-1300
6 Кристаллические фазы Корд. Рутил Сил. Корд. Рутил Сил. Корд. Рутил Корд. Рутил Сил. Корд. Рутил Кордиерит Рутил кристобалит алюмотитанат Mg
Примечание. Корд. - кордиерит; Сил. - силлиманит.

Из приведенных данных видно, что предлагаемый состав стеклокристаллического материала позволяет снизить температуру варки до 1550±10°С, уменьшить температурный коэффициент линейного расширения в рабочем диапазоне температур и стабилизировать диэлектрическую проницаемость до температуры 1200°С. Все приведенные составы соответствуют цели изобретения.

Используемая литература:

1. З.Стрнад «Стеклокристаллические материалы», М. «Стройиздат», 1988, стр.108, 197-198).

2. Патент США №4304603 от 8 декабря 1981 г.

Стеклокристаллический материал, включающий SiO2, Аl2O3, MgO, TiO2, As2O3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит ZnO, CeO2 и фторопол в следующем соотношении, мас.%: SiO2 43,8-52,5; Аl2О3 24,6-30,2; MgO 9,3-11,9; TiO2 8,8-12,9; Аs2О3 0,1-1,9; ZnO 0-1,5; CeO2 0-2,5; фторопол 0,1-7,5.