Вентиль для миллиметрового диапазона волн

Вентиль для миллиметрового диапазона волн

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Л И С А Н И Е 237744

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сонуэ Соеетскин

Социалистических

Республик

К ПАТЕНТУ

Зависимый от патента №

Заявлено 13.1,1967 (№ 1125509/26-9) 1,л, 21а, 74

Приоритет 14.1.1966 № 45971, Франция.ЧПК Н 01р

Комитет по делам изооретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.372.832.43 (088.8) Опубликовано 12Л1.1969. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 26Л 1.1969

Автсры изобретения

Иностранцы

Брюно Блашиер и Рональд Фюнк (Франция) Иностранная фирма

«Компани Женераль де Телеграфи Сан Филь» (Франция) Заявитель

ВЕНТИЛЬ ДЛЯ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ВОЛН

Предмет изобретения

Известный вентиль для миллиметрового диапазона волн, выполненный в виде отрезка волноводного тракта, внутри которого размещена многослойная структура, не обеспечивает достаточно хорошей раз вязки между вхо- 5 дом и выходом вентиля, В описываемом вентиле для миллиметрового диапазона волн улучшение указанной развязки достигнуто тем, что его многослой- тО ная структура образована широкой стенкой волновода, слоем диэлектрика, например слоем моно- или поликристаллического рути1а, и полупроводниковой пластинкой, например, из антимонида индия, покрытой слоем 15 поглощающего материала, и помещена,в магнитное поле, силовые линии которого перпендикулярны узким стенкам волновода.

Иа чертеже показан вентиль.

Внутри волноводной секции 1, снабженной согласующими переходами 2, расположена слоистая структура, образованная широкой стенкой 8 секции 1, диэлектрическим слоем 4 и полупроводниковой пластинкой 5, покрытой 25 поглощающим слоем б.

Диэлектрическая проницаемость слоя 4 должна быть больше диэлектрической проницаемости пластинки 5. Слой 4 может быть изготовлен из моно- или поликристаллическо-; 30 го ругила, а пластинка 5 — из антимонида индия. Слой размещен в зоне действия магнита 7, который создает магнитное поле, перпендикулярное у эким стенкам 8 секции 1

С нижней стороны стенки 8 установлен охладитель 9. Для согласования структуры с трактом используются диэлектри ческие клинья 10 и 11. -тлектромагнитная волна, распространяющаяся вдоль волновода, в секции 1 преобразуется в волну с круговой поляризацией Е, которая проходит без поглощения через слой

4, а обратная волна поглощается пластинкой

5 слоем б.

В случае использования в качесгве слоя 4 монокристазлического ругила, примени в накачку, можно использовать секцию 1 одновременно в ка;естве параметрического СВЧ-усилителя.

Вентиль для миллиметрового диапазона волн, выполненный в виде отрезка волноводного тракта, внутри которого размещена многослойная структура, от.шиа ощийся тем, что, с целью улучшения развязки между входом и выходом вентиля. многослойная структура образована широкой стенкой волновода, слоем диэлекгрика, например слоем моно- или по237744

< ли та<<и с.н, !!. Г>слицкий

Тскрсд Т. Il. Курилко

Редактор Е. Семанова

1 ори< и ор .->. И. !ванкина

Заказ !ЗI0!16 Тирагк 480 Подиисно<

Ц .-!! IIIII! !<,

Типография, пр. Сапунова, 2 ликристаллнческого ругила, и полупроводннковои пластинкой, например, из антимонида индия, покрытой слоем поглощагощсго ма гcриала, и помещена в магнитное поле, си70выc,л инни которого перпендикулярны узким стенкам во.и!овода.