Способ полупроводникового детектирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

йсесоюэнал литянт .о-тО« .. -,Ясктие лн на

О П

ИЗОЬРЕт ЕНИЯ

23887l

Союз Соеетских

Социалистических

Ресоублнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства М

Кл. 421, 4, 16

Заявлено 29.1.1968 (№ 1212683/26-25) с присоединением заявки №

МП1«6 Oln

УДК 534.441.3(088.8) Приоритет

Опубликовано 10Л11.1969. Бюллетень № 10

Дата опубликования описания 23Х11.1969

Номнтет IIO делам изобретений и открытий орн Сосете Мнннстров

СССР

Авторы изобретения

В. Г. Гугля, А. Д. Гольден, А. А, Жуховицкий и А. В. Бакун

Московский институт стали и сплавов

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТИРОВАНИЯ

Известны способы полу провод никового детектирования для газовой хроматографии, заключающийся в регистрации измене|ния электрофизических свойств благодаря взаимодействию анализируемого вещества на поверхности,детектирующего элемента.

Предлагаемый способ детектирования уменьшает инерцио н ность и повышает чувствительность полупроводникового детектора.

Сущность его заключается в том, что на поверхности чувствительного полупроводникового элемента детектора осуществляют реакцию взаимодействия анализируемого вещества с газом-носителем. По лупро воднико вый элемент в данном случае выполняет роль катализатор а реакции, которой может быть, на пример, реа кция окисления или,восстановления. В качестве газаносителя применяют, например, смесь нейтрального газа с газом-окислителем или .во1сста новителем для анализируемого вещества.

Полупроводниковыми элементами служат,,например, пленки Zno и Ti02 толщиной

2000 А или прессованные,спеченные таблетки из Zno. Газ.носитель — гелий высокой чистоты с содержанием кислорода до 0,0001% или азот с содержанием кислорода до 0,5%, или смесь азота с различным, процентным содержанием кислорода.

При использовании таза-.носителя с примесью кислорода .íà поверхности полупроводникового элемента происходит каталитическая реакция окисления анализируемого IBc5 ще от в а.

Например, для органически. . соединений фиксируется появление пика СОз и соответcTвующее уменьшение пика основного веЩBCTBa.

Ip На чертеже предста влены хроматограммы полупроводнико вого детектора для ацетона: слева для газа-носителя гелия с 0,0001% кислорода, справа — для газа-носителя азота с 0,5% кислорода.

Скорость газа-,носителя 27,ил лин, температура 550 С. Вводили пробы постоя и ного объема 0,4 л л с различными концентрациями ацетона: 002%; 0,62 / и 6,6%

При использовании газа-носителя гелия с

0,0001% кислорода повышение концентрации ацетона приводит к более быстрому росту ширины пика, чем высоты. Наступает насыщение. Использование газа-носителя азота

25 с 0,5% кислорода (правая «роматограмма) приводит к резаком у уменьшению ширины IIIHка и увеличени|о высоты, причем на малых кон центр а ция«0,02 00 — 0,62% ацетона пики ста новятся |почти симметричными. Чтобы по;

30 лучить симметричный пик ацетона 6,6%, тре238871

Предмет изобретения

100

Составитель И. К. Кзндрацкая

Редактор Б. Б. Федотов Техред Л. К. Малова Корректор О. И. Полова

Заказ 1623(18 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 буется увеличить ко(н(центрацию кислорода B газе-носителе.

Применение (в качестве газа-носителя воздуха делает IBñå пи(ки ацетона симметричными и узкими. При этом отношение сигнал/(нуле(вой ток у(величи(вается на 1 — 2 порядка за счет уменьшения нулевого тока, т. е. соответстве(нно увеличивается и чувст(витель ность . детектора.

Минимально детектируемая (концентрация ацетона .при 550 С на пленочном полупроводни(ковом элеме(нте из ZnO не более

10 — 5% об.

Способ (полупрово(днико(ного детектиро(ва.ния для газовой хроматографии, заключаю.щийся в регистрации изменения эле(ктрофизиче(ских свойств за счет взаимодействия анализируемого (вещества (на поверх(ности детвктиру ю(щего элемента, отличающийся тем, что, с целью (увеличения чу(всъвительно(сти и

10 уменьшения инерционяости, на поверхности детектирующего элемента осуществляют каталитическую реакцию взаи(модействия а(нализируемого вещества с газом-носителем.