Полупроводниковое запоминающее устройство

Полупроводниковое запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к полупроводниковому запоминающему устройству с последовательным доступом и касается способа управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство с последовательным доступом.

Уровень техники

В качестве запоминающих устройств в различном электронном оборудовании широко используют перезаписываемые полупроводниковые запоминающие устройства, такие как электрически стираемое программируемое ПЗУ (EEPROM), флэш-ПЗУ (flash ROM) и т. п. В электронных устройствах возможности полупроводникового запоминающего устройства такого типа не ограничиваются записью входных данных поверх запомненных ранее, когда входные данные удовлетворяют заранее установленным для них условиям; в некоторых случаях эти полупроводниковые запоминающие устройства желательно использовать с условиями, которые ограничивают запись входных данных поверх запомненных ранее, когда эти данные не удовлетворяют указанным условиям для данных. Например, указанные условия могут включать в себя: «выполнение записи только в том случае, если данные для записи больше данных, которые записаны в полупроводниковом запоминающем устройстве (далее их называют «данные, подлежащие перезаписи»)» или условие «выполнять запись только в том случае, если данные для записи меньше данных, подлежащих перезаписи».

Однако в стандартных перезаписываемых полупроводниковых запоминающих устройствах нет системы, которая бы ограничивала перезапись данных, и поскольку при выполнении установленной последовательности для записи данных можно осуществлять запись поверх ранее запомненных данных, то ввести условия на перезапись (например, вышеописанные условия) не представляется возможным.

Заметим, что в качестве технологий для управления записью данных в запоминающее устройство применяют известную технологию, предполагающую использование для запоминающего устройства внешнего для него устройства предотвращения записи, и известную технологию для предотвращения записи в область хранения данных, когда в запоминающее устройство записывают данные, указывающие на запрещение записи в область хранения данных с адресом за конкретной областью хранения данных в запоминающем устройстве.

Кроме того, известны полупроводниковые запоминающие устройства, которые позволяют осуществлять только последовательный доступ к простейшим элементам данных матрицы памяти, например EEPROM. Такого рода полупроводниковое запоминающее устройство относительно дешево, и поэтому его используют в качестве запоминающего устройства для хранения данных, относящихся к оставшемуся объему или потребленному объему потребительских товаров. Объем потребительских товаров сокращается по мере их использования, так что, когда данные, используемые для обновления, в частности данные, записанные в матрицу памяти, представляют собой данные, относящиеся к потребленному объему, значение записываемых данных должно быть больше значения уже существующих данных, запомненных в матрице памяти. В то же время, когда данные, записанные в матрице памяти, представляют собой данные, относящиеся к оставшемуся объему, значение записываемых данных должно быть меньше значения уже существующих данных, запомненных в матрице данных.

Сущность изобретения

Однако встречаются, например, случаи, когда происходят изменения в данных во время пересылки данных, вводимых в полупроводниковое запоминающее устройство, и в таком случае даже при правильной перезаписи данных в полупроводниковом запоминающем устройстве в нем окажутся данные с ошибками. В частности, например, когда данные характеризуются их возрастанием, существует опасность того, что в полупроводниковое запоминающее устройство будут записаны данные, значение которых меньше значения существующих данных. Здесь при использовании данных, относящихся к оставшемуся объему или потребленному объему потребительских товаров, для уменьшения или предотвращения ущерба или проблем с устройством, которое использует потребительские товары, когда данные, относящиеся к оставшемуся объему или потребленному объему потребительских товаров, которые изначально характеризовались возрастанием или убыванием, начинают изменяться в противоположном направлении, с устройством, использующим эти потребительские товары, возникают проблемы.

Настоящее изобретение было создано для решения вышеуказанных проблем, и его целью является ограничение записи данных, значения которых противоречат особенности изменения данных, состоящей в их возрастании или убывании, которая поддерживается данными для записи для полупроводникового запоминающего устройства. Другой целью настоящего изобретения является запрещение записи в полупроводниковом запоминающем устройстве входных данных, которые не удовлетворяют конкретным требованиям для данных.

Первый аспект настоящего изобретения, связанный с решением вышеуказанных проблем, обеспечивает полупроводниковое запоминающее устройство. Полупроводниковое запоминающее устройство по первому аспекту настоящего изобретения имеет энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где запоминают данные, характеризующиеся возрастанием значения, модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы, модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы, модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти, модуль определения, который определяет, больше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных, и блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.

В полупроводниковом запоминающем устройстве по первому аспекту настоящего изобретения, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления может не выполнять запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения с использованием модуля определения определяется, больше или равно либо нет значение запомненных данных значения считанных существующих данных, и в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значения существующих данных, блок управления, используя модуль записи, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти. Следовательно, можно ограничить запись данных, значение которых противоречит характеристике данных для записи, значение которых возрастает.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения, когда отсчет адресов ячеек с ограничением записи составит n раз (где n - натуральное число) заранее установленной адресной единицы, модуль определения может определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения существующих данных для каждой заранее установленной адресной единицы, и для всех адресов запоминающего устройства с ограничением записи, когда значение существующих данных больше или равно значения данных для записи, блок управления выполняет запись данных для записи с использованием модуля записи по всем адресам ячеек с ограничением записи матрицы памяти.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения для любого из адресов ячеек с ограничением записи, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления может не выполнять запись данных для записи по всем адресам ячеек с ограничением записи.

В вышеуказанном случае, когда полупроводниковое запоминающее устройство имеет множество адресов ячеек с ограничением записи, можно ограничить запись данных, значения которых противоречат характеристике данных для записи, значение которых возрастает, для всех адресов ячеек с ограничением записи.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения модуль определения может считать для каждого 1 адреса данные для записи из модуля сохранения данных для записи каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 адреса, и определяет, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения модуль определения может использовать существующие данные заранее установленной адресной единицы, считанные для каждого 1 адреса модулем считывания, и данные для записи заранее установленной адресной единицы, сохраненные в модуле сохранения данных для записи, и определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных. При такой конфигурации можно определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных, объединенных заранее установленной адресной единицей.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по первому аспекту настоящего изобретения данные могут запоминаться в порядке от самого старшего разряда в адресе ячейки с ограничением записи в матрице памяти, и модуль записи данных может выполнять запись данных в матрицу памяти в порядке от самого старшего разряда.

Когда записанные данные характеризуются убыванием значения, полупроводниковое запоминающее устройство по первому аспекту настоящего изобретения может также представлять собой полупроводниковое запоминающее устройство, которое имеет энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где хранятся данные, характеризующиеся уменьшением значения, модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы, модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы, модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи для каждого 1 адреса в матрице памяти, модуль определения, который определяет, меньше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных, и блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.

Когда значение данных для записи больше значения существующих данных, блок управления может не выполнять запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.

Когда записанные данные характеризуются убыванием значения, полупроводниковое запоминающее устройство по первому аспекту настоящего изобретения может также представлять собой полупроводниковое запоминающее устройство, в котором модуль определения может определять, меньше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных, и в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных, блок управления может выполнить запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи. Также, когда значение данных для записи больше значения существующих данных, запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи может не выполняться, так что можно ограничить запись данных, значение которых противоречит характеристике данных для записи, значение которых уменьшается.

Второй аспект настоящего изобретения обеспечивает полупроводниковое запоминающее устройство, где в качестве перезаписываемых данных запоминают данные, характеризующиеся возрастанием значения. Полупроводниковое запоминающее устройство по второму аспекту настоящего изобретения имеет энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, запоминающих один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, где запоминают перезаписываемые данные, модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти, модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи, модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи, модуль считывания, который считывает существующие данные, сохраненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в 1-разрядных единицах в матрице памяти, модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных, и блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных для любых из данных для записи в виде 8-разрядных единиц, не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.

В полупроводниковом запоминающем устройстве по второму аспекту настоящего изобретения, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления может выполнить запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по второму аспекту настоящего изобретения определение того, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных с использованием модуля определения для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, выполняют запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи. Также, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи. Следовательно, можно ограничить запись данных, значение которых противоречит характеристике данных для записи, значение которых возрастает.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по второму аспекту настоящего изобретения модуль определения может считывать данные для записи из модуля сохранения данных для записи для каждого 1 разряда каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 разряда, и может определить больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных. В этом случае можно определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных, без необходимости иметь структуру для запоминания считанных существующих данных.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по второму аспекту настоящего изобретения модуль определения, используя существующие данные в виде единиц, кратных 8 разрядам, считанных для каждого 1 разряда модулем считывания, и данные для записи в виде единиц, кратных 8 разрядам, сохраненных в модуле сохранения данных для записи, может определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных. При такой конфигурации можно определить, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных объединенных в виде 8-разрядных единиц.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по второму аспекту настоящего изобретения данные могут запоминаться последовательно от самого старшего разряда в простейшем элементе данных строки с ограничением записи, а модуль записи данных может выполнять запись данных в матрицу памяти последовательно с самого старшего разряда.

Когда данные для записи характеризуются убыванием значения, полупроводниковое запоминающее устройство по второму аспекту настоящего изобретения может иметь энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, где запоминают один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, где запоминают перезаписываемые данные, модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти, модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи, модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи, модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в 1-разрядных единицах в матрице памяти, модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, меньше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных, и блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.

Когда значение данных для записи меньше или равно значения существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.

Когда данные для записи характеризуются убыванием значения, полупроводниковое запоминающее устройство по второму аспекту настоящего изобретения может использовать модуль определения для определения того, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных, и, когда для каждой 8-разрядной единицы данных для записи определено, что значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, модуль записи выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи. Также, когда значение данных для записи больше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, запись данных для записи не выполняют во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи. Следовательно, можно ограничить запись данных, значения которых противоречат характеристике данных для записи, значение которых убывает.

Третий аспект настоящего изобретения обеспечивает способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое имеет энергонезависимую матрицу памяти, имеющую адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где запоминаются данные, характеризующиеся возрастанием значения, и для которой данные записывают в матрицу памяти в заранее установленных адресных единицах. Способ согласно третьему аспекту настоящего изобретения содержит считывание существующих данных, запомненных по адресу ячейки с ограничением записи для каждого 1-го адреса в матрице памяти, определение того, меньше или равно либо нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки с ограничением записи, значения считанных существующих данных, и не выполнение записи данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных.

Когда данные для записи характеризуются убыванием значения, способ по третьему аспекту настоящего изобретения может также включать в себя считывание существующих данных, запомненных по адресу ячейки с ограничением записи для каждого 1 адреса в матрице памяти, определение того, больше или равно либо нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки запоминающего устройства с ограничением записи, значения считанных существующих данных, и не выполнение записи данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи больше или равно значения существующих данных.

Согласно способу управления записью данных по третьему аспекту настоящего изобретения можно получить такие же результаты, как в полупроводниковом запоминающем устройстве по первому аспекту настоящего изобретения, причем способ управления записью данных по третьему аспекту настоящего изобретения может быть реализован в различных аспектах так же, как при использовании полупроводникового запоминающего устройства по первому аспекту настоящего изобретения.

Четвертый аспект настоящего изобретения обеспечивает способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое имеет энергонезависимую матрицу памяти, имеющую строку с ограничением записи для запоминания перезаписываемых данных, характеризующихся возрастанием значения, причем матрица имеет последовательный доступ и 8 простейших элементов данных, где запоминают 1 разряд данных на 1 строку, и данные записывают в матрицу памяти в 8-разрядных единицах. Способ по четвертому аспекту настоящего изобретения включает в себя прием данных для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти, сохранение 8 разрядов принятых данных для записи, считывание существующих данных, запомненных в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в 1-разрядных единицах в матрице памяти, определение того, меньше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, и когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, - не выполнение записи данных для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.

Когда данные для записи характеризуются убыванием значения, способ по четвертому аспекту настоящего изобретения может также включать в себя прием данных для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти, сохранение 8 разрядов принятых данных для записи, считывание существующих данных, запомненных в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в 1-разрядных единицах в матрице памяти, определение того, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, и когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, - запись данных для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.

Согласно способу управления записью данных по четвертому аспекту настоящего изобретения можно получить такой же рабочий эффект, как в полупроводниковом запоминающем устройстве по второму аспекту настоящего изобретения, причем способ управления записью данных по четвертому аспекту настоящего изобретения может быть реализован в различных аспектах таким же путем, как при использовании полупроводникового запоминающего устройства по второму аспекту настоящего изобретения.

Способ по третьему и четвертому аспектам настоящего изобретения кроме того может быть реализован в виде программы и считываемого компьютером носителя, на котором записана эта программа.

Пятый аспект настоящего изобретения обеспечивает полупроводниковое запоминающее устройство. Полупроводниковое запоминающее устройство согласно пятому аспекту настоящего изобретения обеспечено энергонезависимой матрицей памяти, и контроллером считывания/записи, для управления записью данных в матрицу памяти и считыванием данных из матрицы памяти, где контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение введенных многоразрядных данных для записи со значением многоразрядных запомненных данных, запомненных в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи, и для многоразрядных данных для записи, которые удовлетворяют конкретному соотношению по величине, выполняет запись в указанную многоразрядную область памяти, а для многоразрядных данных для записи, которые не удовлетворяют указанному конкретному соотношению по величине, запрещает запись в указанную многоразрядную область памяти.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по пятому аспекту настоящего изобретения можно запретить запись данных для записи, которые не удовлетворяют конкретному соотношению по величине с запомненными данными.

Полупроводниковое запоминающее устройство по пятому аспекту настоящего изобретения может быть скомпоновано следующим образом. Полупроводниковое запоминающее устройство согласно пятому аспекту настоящего изобретения может быть снабжено энергонезависимой матрицей памяти и контроллером считывания/записи для управления записью данных в матрицу памяти и считывания данных из матрицы памяти, где контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение введенных многоразрядных данных для записи со значением многоразрядных данных, которые запомнены в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи, причем указанное сравнение выполняется последовательно по разрядам, начиная с наибольшего разряда из многоразрядных данных для записи, где, если имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине по отношению к каждому значению разряда в запомненных данных, то выполняется запись для данных для записи от этого разряда вперед, а если имеется разряд, для которого указанное конкретное соотношение по величине не удовлетворяется, то запрещается запись для данных для записи с этого разряда вперед.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по пятому аспекту настоящего изобретения, снабженному вышеупомянутой структурой, в полупроводниковом запоминающем устройстве, где доступ данных выполняется одноразрядными единицами, можно легко запретить запись данных для записи, которые не удовлетворяют конкретному соотношению по величине относительно запомненных данных.

Заметим, что полупроводниковое запоминающее устройство согласно пятому аспекту настоящего изобретения также можно воплотить в виде способа записи в полупроводниковое запоминающее устройство, компьютерную программу или считываемый компьютером носитель, на котором записана указанная программа.

Шестой аспект настоящего изобретения обеспечивает полупроводниковое запоминающее устройство. Полупроводниковое запоминающее устройство согласно шестому аспекту настоящего изобретения снабжено энергонезависимой матрицей памяти для запоминания данных о количестве потребленного материала, которые являются данными, относящимися к количеству потребленного материала, характеризующимися возрастанием значения, модулем записи данных, который записывает новые данные о количестве потребленного материала, подлежащих запоминанию в матрице памяти, модуль считывания, который считывает существующие данные о количестве потребленного материала, которые уже были запомнены, из матрицы памяти; и блок управления для выполнения записи новых данных о количестве потребленного материала через средство записи данных, когда значение новых данных о количестве потребленного материала больше или равно значения существующих данных о количестве потребленного материала, и не выполнения записи новых данных о количестве потребленного материала с использованием средства записи данных, когда значение новых данных о количестве потребленного материала меньше значения существующих данных о количестве потребленного материала.

Согласно полупроводниковому запоминающему устройству по шестому аспекту настоящего изобретения можно получить такой же рабочий эффект, как для полупроводникового запоминающего устройства по первому и второму аспектам настоящего изобретения.

Полупроводниковое запоминающее устройство, изложенное в первом, втором, пятом и шестом вариантах согласно настоящему изобретению, можно использовать, установив его в контейнере для записывающего материала для печати, предназначенном для хранения записывающего материала для печати, причем этот контейнер является съемным и монтируется на печатающем устройстве для запоминания данных, относящихся к количеству записывающего материала для печати. В этом случае можно повысить надежность информации, относящейся к количеству записывающего материала для печати.

Седьмой аспект настоящего изобретения обеспечивает систему печати, содержащую печатающее устройство и датчик записывающего материала для печати, в котором имеется полупроводниковое запоминающее устройство согласно первому, второму, пятому и шестому аспектам настоящего изобретения, причем этот датчик является съемным и монтируется на печатающем устройстве. В системе печати согласно шестому аспекту настоящего изобретения печатающее устройство включает в себя хост-компьютер, где хост-компьютер подсоединен к полупроводниковому запоминающему устройству датчика записывающего материала для печати через шину сигнала данных, шину тактового сигнала, шину сигнала сброса, положительную шину источника питания и отрицательную шину источника питания, и посылает данные о количестве записывающего материала для печати, потребленного в печатающем устройстве, в полупроводниковое запоминающее устройство; и полупроводниковое запоминающее устройство, прикрепленное к датчику записывающего материала для печати, запоминает в матрице памяти количественные данные, касающиеся записывающего материала для печати, которые были получены. Согласно седьмому аспекту настоящего изобретения имеется возможность повысить надежность записи данных, длина которых больше длины данных, которые можно запомнить в одной строке в матрице памяти, предусмотренной в полупроводниковом запоминающем устройстве, при запоминании информации, касающейся количества записывающего материала для печати, который потребляется во время печати.

Краткое описание чертежей

Фиг. 1 - блок-схема, показывающая внутреннюю функциональную структуру полупроводникового запоминающего устройства по первому варианту осуществления;

Фиг. 2 - пояснительная таблица, отображающая внутреннюю конфигурацию матрицы памяти, предусмотренной в полупроводниковом запоминающем устройстве по первому варианту осуществления;

Фиг. 3 - временные диаграммы, показывающие временные соотношения между сигналом RST сброса, внешним тактовым сигналом SCK, сигналом SDA данных и значением счетчика адреса во время выполнения операции считывания;

Фиг. 4 - временные диаграммы, показывающие временные соотношения между сигналом RST сброса, внешним тактовым сигналом SCK, сигналом SDA данных и значением счетчика адреса во время выполнения операции записи;

Фиг. 5 - блок-схема алгоритма, показывающая программу обработки для процесса подтверждения приращения в процессе записи, выполняемой полупроводниковым запоминающим устройством по первому варианту осуществления;

Фиг. 6 - блок-схема алгоритма, показывающая программу обработки для процесса подтверждения приращения в процессе записи, выполняемой полупроводниковым запоминающим устройством по первому варианту осуществления;

Фиг. 7 - блок-схема алгоритма, показывающая программу обработки для процесса верификации данных в процессе записи, выполняемой полупроводниковым запоминающим устройством 10 по первому варианту осуществления;

Фиг. 8 - пояснительная таблица, где показаны примерные результаты обработки для процесса подтверждения приращения по первому варианту осуществления;

Фиг. 9 - пояснительный чертеж, показывающий прикладной пример полупроводникового запоминающего устройства по первому варианту осуществления;

Фиг. 10 - блок-схема, иллюстрирующая внутреннюю схемную структуру полупроводникового запоминающего устройства согласно второму варианту осуществления;

Фиг. 11 - блок-схема алгоритма, иллюстрирующая процедуру выполнения операции записи данных согласно второму варианту осуществления;

Фиг. 12 - блок-схема, иллюстрирующая внутреннюю схемную структуру полупроводникового запоминающего устройства согласно третьему варианту осуществления;

Фиг. 13 - блок-схема алгоритма, иллюстрирующая процедуру выполнения операции записи данных согласно третьему варианту осуществления;

Фиг. 14 - блок-схема алгоритма, иллюстрирующая процедуру выполнения операции записи данных в модифицированном примере третьего варианта осуществления;

Фиг. 15 - блок-схема алгоритма, иллюстрирующая процедуру выполнения операции записи данных в модифицированном примере третьего варианта осуществления.

Осуществление изобретения

Далее со ссылками на чертежи описываются полупроводниковое запоминающее устройство и способ управления записью данных в полупроводниковое устройство по настоящему изобретению на основе нескольких вариантов осуществления изобретения.

Состав полупроводникового запоминающего устройства

Состав полупроводникового запоминающего устройства по первому варианту описывается ниже со ссылками на Фиг. 1 и Фиг. 2. На Фиг. 1 представлена блок-схема, показывающая внутреннюю функциональную структуру полупроводникового запоминающего устройства по первому варианту осуществления. На Фиг. 2 представлена пояснительная таблица, отображающая внутреннюю структуру матрицы памяти для полупроводникового запоминающего устройства по первому варианту.

Полупроводниковое запоминающее устройство по первому варианту осуществления является запоминающим устройством с последовательным доступом, где не требуется ввод извне адресных данных, которые задают адрес назначения доступа. Полупроводниковое запоминающее устройство 10 имеет матрицу 100 памяти, счетчик 110 адреса, контроллер 120 ввода/вывода, компаратор 130 идентификационных данных (ID), контроллер 140 считывания/записи, контроллер 150 приращения, схему 160 подкачки заряда и 8-разрядный регистр-защелку 170. Каждая из этих схем подсоединена к сигнальной линии шинного типа (далее сигнальная шина).

Матрица 100 памяти имеет матрицу 101 EEPROM и матрицу 102 ROM с масочным программированием. Матрица 101 EEPROM является областью запоминания, имеющей EEPROM характеристики, которые в состоянии обеспечить стирание и запись данных электрическим путем, и при записи данных матрица 101 EEPROM, используемая для этого варианта осуществления, может записывать данные прямо, без стирания существующих данных. Матрица 102 ROM с масочным программированием является областью запоминания, которая имеет характеристики ROM с масочным программированием, не позволяющие стирать и перезаписывать данные, запи