Логическая схема «и—или —не»

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

239381

Сои1з Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21ат, 36/18

Заявлено 01.111968 (№ 1213929/18-24) с присоединением заявки ¹

Комитет по делам изобретений н открытий при Совете Министров

СССР

ЧПК Í 03k

УДК 681.325.65(088.8) Приоритет

Опубликовано 18.111,1969. Бюллетень ¹ 11

Дата опубликования описания 24Л 11.1969

Авторы изобретения

Ю. А. Уральский и Б. В. Кузнецов

Заявитель

ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА «И — ИЛИ вЂ” HE»

Логическая схема может быть использована в цифровых вычислительных машинах и устройствах цифровой автоматики в качестве типового логического элемента.

Известны схемы типовых логических элементов, коэффициеснт разветвления которы.; и реализуется путем соединения выхода элемента с параллельным соединением tl входов аналогичных элементов. Работоспособность одного выхода элемента на и входов аналоги 1ных элементов обеспечиваегся путем использования в качестве источника выходного сигнала транзистора с высоким значением коэффициента усиления по току. Однако в известных схемах для обеспечения высокого значения коэффициента разветвления необходимы транзисторы. имеющие большие зн ачения коэффициента усиления по току (В„).

Предлагаемая схема отличается тем, что для увеличения нагрузочной способности при использовании транзисторов с низким значением коэффициента усиления по току выход диодной схемы «И — ИЛИ» соединен с последовательно соединенными переходами база— эмиттер инверт11рующих транзисторов.

В предлагаемой логической схеме коэффициент разветвления обеспечивается путем соединения выхода данной лог11ческой схемы с последовательным соединением п входов аналоги шых логических схем.

11а чертеже приведена принципиальная схема предложенной логической схемы «И—

ИЛИ вЂ” HE».

Схема состоит из входной д 1олной схемы

«И — НЛИ» на диолах 1 и 2, диола смещения у и инвертирующих транзисторов 4.

В предлагаемой логической сxe»e выход пl Входовой диодной схемы, Выпо1няIощий логическую ф1 нкцшо «И» («ИЛИ», «И — ИЛИ»), 10 соединяется с последовательным соединением входов и инвертирующих транзисторов 4, которые, в свою очередь, соединяются с одним из входов других логических cxcì. Каждый вход логической схемы является переходом

15 база--эмиттер транзистора, Bêëto÷åíного .в последовательную цепь аналогичных транзисторов. Номер вхолного транзистора 4, отсчитанный от то1ки выхода предыдущей схемы, обозначим чеРез E (/X = и„„,). гле 1|»ax — мак20 симальное значение коэффициента разветвления схемы.

Особенностью схемы является то, что при

К ) и требуется вводить дополнительное смещение уровня постоянного напряжения, необ25 xoattiitoe для запирания транз11сторов, составляющих нагрузку схемы.

Эта задача согласования уровня, возникающая во всякэй известной логttческой схеме.

30 решастся в предлагаемой схеме путем вклю239381

Предмет изобретения

Составитель Г. С. Колотова

Редактор Е. В. Семанова Техред А. А. Камышннкова Корректор A. С. Колабин

3 а к аз 1675г 9 Тираж 480 Подписное

БНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 11еитр, пр. Серова, д. 4 типограф!>ии, пр. Сапунова, 2 чения последнего транзистора последовательной ветви, включающей транзистор,на источник напряжения U,„= (n — К) Ut;.», ãäå Uq.,— падение напряжения база — эмиттер транзистора 4.

Б устройстве этот источник, смещения может быть один для всех элементов и представляет собой цспь последовательно включенных к источнику тока р — n-переходов, число которых должно быть, равно и.

Учитывая, что разветвление осуществляется с помощью последовательного соединения транзисторов, к минимальной величине коэффициента усиления по току Вст,„;„пе предья вляется высок 1х требовании.

Работоспособность схемы будет сохраняться при Вст„ив 1,5 — 2, причем требуемая величина Вст,„;„будет уменьшаться при увеличении номера К. Это снижает стоимос гь устройства, так как позволяет применять транзисторы, которые в настоящее время считаются бракова.и ными.

Логическая схема «И вЂ” ИЛИ вЂ” -HE», состояи) щая,из входной диодной схемы «И — ИЛИ» и инвертирующих транзисторов, от1ича1ощаясн тем, что, с целью увеличения,нагрузочной способности при использовании транзисторов с низким значениссм коэффищиент» усиления по

15 току, выход диодной схемы «И — ИЛИ» соединен с последовательно соединенными переходами база — эмиттер инвертирующих транзисторов.