Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев

Устройство для измерения свойств полупроводниковых слоев

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСА, ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства J¹

Кл. 21, 11/02

Заявлено 16.I I I.196? (№ 1141633/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.III.1969. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 11ЛтI I I.1969 iiHIy Н 0ll

УДК 621.382.002

Комитет оо делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

1О. К. Григулис, 3. 3. Аболтинь и Ю. Я. Берзииь

Физико-энергетический институт АН Латвийской ССР

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СВОЙСТВ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

Изобретение относится к измерительным ус1ройствам, предназначенным для измерения удельного сопротивления и толщины полупроводниковых слоев бесконтактным способом, не разрушая образцов, и может быть использовано на,предприятиях полупроводниковой промышленност.и.

Известны СВЧ-устройства для контроля удельного сопротивления и диэлектрической проницаемости однородных полупроводниковых материалов, при помощи которых,,помещая образцы в волновод и определив .параметры стоячей волны (фазу и модуль коэффициента отражения) в волноводе, рассчитывают сооттветствуюц1не свойства образца.

Указанные устройства обеспечивают бесконтактность измерений, IO предназначены для измерения свойств только однородных полупроводниковых материалов, причем форма образца должна быть строго определенной.

Цель изобретения — измерение удельного "опротивления и толщины полупроводникового слоя бесконтактным способом, не разрушая образцов, при одностороннем доступе:к поверхности их, независимо от их формы.

Это достигается тем, ITQ образец накладывается на конец волноводного тракта, имеющий вид щели с предварительным плавным переходом; при помощи специальной конструкции измерительного блока фиксируются параметры стоятей волны в волноводе (напрнмер, фаза в градусах и модуль коэффициента стоячей волны) и с помощью тарировочного графика, построенного по эталонным образцам кли по аналитическим зависимостям, определяются удельное сопротивление и толщина Ilo".óïðîâoäHJIêîâîão слоя.

11а фиг, 1 показана блок-схема устройства; ка фпг. 2 — кинематическая схебта измеритель10 кого блока.

О1 генератора сигналов 1 СВЧ-:волна через аттен1оатор 2 и щелевой излучатель 8 падает а образец 4. Параметры стоячей волны в волководном тракте фиксируются прн помощи

15 зонда 5. детектора 6, индикатора-микроампср :i.òðà 7 н передаточного механизма 8, связанного с,подвижной шкалой 9.

Фаза коэффициента отображения в градусах фиксируется подвижной шкалой 9, модуль ко20 эффнцнента отражения — индикатором и откладывается на подвижной шкале. Под подвижной шкалой помещаются тарировочные графики, по которым определяются соответствующие овойства.

25 Перемещение зонда 5 с дете егором 6 вдоль вслнозодной лнг1нц передается с помощью персдачн точкого механизма 8 подвижной шкале 9, Кулачок рассчитан таким образом, что перемещение зонда вдоль линии передается

30 нодвиксной шкале 9 и фаза, коэффициента от239449

Предмет изобретения яьиа, t

Составитель Б. Пирожников

P(дактор М. В. Афанасьева Техред Л. Я. Левина Корректор А. А. Березуева

:3 а к а 680/8 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москга, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 ражения соответствует, градусной мере неподвижной ш "8„111 10.

Таким образом, процесс измерения заключается в следующем: на конец волноводной линии, имеюгцей вид щелевого излучателя, на кладывается исследуемый образец; при помощи специальной конструиции,измерительного блока находятся параметры стоячей,волны в волноводе (фаза в градусах и модуль коэффициента отражения), которые фиксируются прп помощи подвижной шкалы; по тарировочным графикам, предварительно составленным по эталонным образцам или рассчитанным по аналитическим зависимостям, которые помещаются под подвижной шкалой, находятся удельнос сопротивление и толщича полупроВОДНИКО ВЫХ СЛОЕВ.

Данное СВЧ-устройство для измерения

СВОйетВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ ПОЗВОЛИТ проводить 100% контроль удельного сопротивления и толщины полупроводниковых, слоев.

Устройство для измерения свойств полупроВодниковых слоев, состоящее из СВЧ-генератора и измерительного блока, отличающееся

10 тем, что, с целью измерения двух характеристик образца (удельното сопроти зления и толщины полупроводникового слоя) без разрушения образца, измерительный блок состоит из волно водной измерительной линии в виде чет15 верти круга, ссединенной посредством кулачкового механизма с подвижной шкалой, проградуи ро ванной в единицах модуля коэффициента отражения.