Способ изготовления кремниевого быстродействующего диода

Способ изготовления кремниевого быстродействующего диода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

2 40И1

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 21g, 11/02

Заявлено 17.Х.1966 (№ 1107829/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 20.Ч1Л 969. Бюллетень ¹ 21

Дата опубликования описания 18.XI.1969

МПК Н 01!

УДК 621.382.002 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Ю. P. Носов и М. Б. Цыбульников

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО

БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ДИОДА рехода, так как это вызывает уменьшение градиента концентрации акцепторов в нем.

Для выполнения указанных противоречивых требований предлагается проводить диф5 фузию в три стадии. Режим первой и второй стадии выбирают по известным соотношениям так, чтобы поверхностная концентрация не была слишком большой. Это обеспечивает малую емкость, Затем проводят третью ста10 дию, при которой поверхностная концентрация увеличивается до значения, соответствующего предельной растворимости (выше

5 10 с сл >), но не меняется распределение примеси в самом р — n-переходе. Таким обра15 зом обеспечивается устойчивость к .образованию инверсионного слоя на поверхности.

Глубина диффузии на третьей стадии должна быть не меньше микрона, что достигается выбором достаточно высокой температу20 ры диффузии.

Чтобы исключить эрозию и обеднение поверхности диффузантом, третью стадию проводят в нейтральной среде с добавкой кислорода (0,1 — 5o/,) или брома (0,01 — 0,5%) при

25 тем пер атуре 950 — 1150 С.

Способ изготовления кремниевого быстро30 действующего диода с использованием маскиИзобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления кремниевых быстродействующих диодов.

При изготовлении кремниевых быстродействующих диодов в настоящее время диффузию проводят в две стадии (загонка и разгонка), что не обеспечивает высокого быстродействия (малой емкости) и стабильности обратных токов при повышенной температуре.

Цель настоящего изобретения заключается в одновременном достижении высокого быстродействия и стабильности обратных токов при повышенной температуре и в увеличении процента выхода годных изделий. Это достигается за счет проведения третьей стадии диффузии.

Пленка $10„используемая для защиты поверхности планарных диодов, имеет положительный пространственный заряд, плотность которого при повышенной температуре может доходить до 2 10 с кул/см- и выше. Такой заряд приводит к конверсии р-кремния с концентрацией акцепторов 101 см — >. Поэтому необходимо повышать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р — n-перехода. С другой стороны, для уменьшения емкости диода и увеличения пробивного напряжения необходимо снижать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р — n-neПредмет изобретения

240111

Составитель М. Лепешкина

Техред Л. В. Куклина

Редактор Г. Громова

Корректоры: А. Николаева и Е. Ласточкина

Заказ 2885/3 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 рующего действия пленки Si02 и диффузии из газовой фазы, проводимой в две стадии, отличающийся тем, что, с целью одновременного достижения высокого быстродействия и стабильных обратных токов при повышенной температуре и увеличения процента выхода годных приборов, после проведения стадии

4 диффузии для создания р — п-перехода (загонки) и второй стадии (разгонки) проводят третью диффузию из газовой фазы соответствующего диффузанта (например, бора) в потоке инертного газа с примесью окислителя, например кислорода или брома, при температуре 950 †11 С.