Двухтактный транзисторный усилитель класса «в»

Двухтактный транзисторный усилитель класса «в»

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 24075!

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сома Соеетских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.Vll.1967 (№ 1175598/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01 IV 1969. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 15.VI I 1.1969

Кл. 21а-, 18/08

МПК Н 03f

УДК 621.375.127(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете й1ииистрое

СССР

Автор изоб.ре1 ечия — — Д. В. Пуцыкович

ЗИЙ

Заявитель

ДВУХТАКТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА «В»

Двухтактные усилительные каскады класса «В» с транзисторами мощными или средней мощности, включенными по схеме с общим эмиттером, являются одним из наиболее широко распространенных элементов схем, в частности, электронных блоков в системах автоматического регулирования на переменном токе.

Недостатками известных устройств являются низкая температурная стабильность усилителя и возможность пробоя перехода база— эмиттер усилительных транзисторов входным сигналом большой величины.

Описываемое устройство отличается тем, что входы мощных усилительных транзисторов двухтактного каскада класса «В», включенных с общим эмиттером, шунтируются маломощными транзисторными ключами, которые при отсутствии входного сигнала насыщены, и, следовательно, активное сопротивление в базах мощных транзисторов мало. При появле нии сигнала на входе часть этого сигнала используется для управления ключами. В зависимости от мгновенной полярности входного сигнала ключи попеременно размыкаются, и мсщный транзистор, в цепи которого ключ разомкнут, усиливает входной сигнал. Для предотвращения перегрузки источника входного сигнала транзисторными ключами между вторичной обмоткой входного трансформатора и базами усилительных транзисторов включены диоды, которые при замкнутых ключах не проводят входной сигнал.

Предлагаемое устройство снижает в несколько раз неуправляемую паразитную мощность, рассеиваемую в усилительных транзисторах, обеспечивает тепловую устойчивость усилительных транзисторов независимо от активного сопротивления вторичной обмотки входного трансформатора, а также предотвра1р щает возможность возникновения обратного напряжения на переходе база — эмиттер в широком диапазоне входных сигналов.

На чертеже представлена принципиальная схема описываемого устройства.

15 Принцип действия устройства заключается в следующем.

В исходном состоянии, когда сигнал на входе отсутствует, маломощные транзисторы 1 и 2 находятся в состоянии насыщения. Режим на2р сыщения задается постоянным током от источника питания с помощью сопротивлений 8 — 5 для транзистора 1 и сопротивлений 6 — 8 для транзистора 2. Поскольку для схемы выбраны маломощные транзисторы с высоким коэффи2б циентом усиления, то для их насыщения требуется незначительный ток и от источника питания отбирается незначительная мощность.

Так как транзисторы 1 и 2 работают при малых напряжениях коллектора, то, выбрав со3р ответствующий тип транзистора, можно в со240751

Составитель Э. Гилинскаи

Техред Л. Я. Левина Корректор Л. Г. Корогод

Редактор Е, Г. Мельникова

Заказ 854/4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 стоянии насыщения получить очень малое остаточное напряжение коллектор — эмиттер для транзисторов 1 и 2. Это означает, что потенциал базы мощных усилительных транзисторов 9 и 10 практически равен нулю и при отсутствии сигнала на входе они включены с общей базой, а не с общим эмиттером, т. е. обеспечен режим максимальной температурой стабильности. Как только положительный сигнал на базе транзистора 2 превысит отрицательное смещение от источника питания (а это .произойдет при небольшой величине сигнала), транзистор 2 закроется, и сопротивление коллектор — эмиттер этого транзистора сравнительно с сопротивлениями других участков схемы станет бесконечно большим. Входной сигнал через диод 11 поступает на базу мощного транзистора 10 и усиливается им, поскольку транзистор 11 заперт.

В этот момент диод 12 закрыт, а транзистор 1 еще более насыщается. При дальнейшем увеличении входного сигнала мгновенной полярности транзистор 2 еще более закрывается, транзистор 1 еще более насыщается, а транзистор 10 работает в линейном усилительном режиме с общим эмиттером, причем диод 12 заперт, и при любой величине входного сигнала напряжение база — эмиттер транзистора 9 практически равно нулю.

П р едм ет и з о бр етения

Двухтактный транзисторный усилитель класса «В», содержащий два усилительных транзистора, включенных по схеме с общим эмиттером, входной и выходной трансформа1О торы, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности усилителя и предотвращения пробоя перехода база— эмиттер усилительных транзисторов входным сигналом большой величины, между базами

15 усилительных транзисторов и средней точкой вторичной обмотки входного трансформатора включены транзисторные ключи, причем начало вторичной обмотки соединено с базой трачзисторного ключа, коллектор которого вместе

20 с базой усилительного транзистора подключен через диод к концу вторичной обмотки входного трансформатора, а конец этой обмотки соединен с базой транзисторного ключа, коллектор которого вместе с базой усилительного

25 транзистора подключен через диод к началу обмотки.