Дифференциальный усилитель

Дифференциальный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, широкополосных усилителях ВЧ и СВЧ диапазонов).

В современной микроэлектронике находят широкое применение классические усилители переменного тока на основе параллельно-балансных дифференциальных усилителей (ДУ), в эмиттерную цепь входных транзисторов которых включены p-n переходы [1-8]. В зависимости от стоящих задач эти p-n переходы могут уменьшать крутизну усиления ДУ, выполнять защитные функции при больших уровнях входного сигнала, расширять диапазон линейной работы ДУ и т.п.

Наиболее близкой по технической сущности к заявляемому устройству является схема по патенту США 3.541.464, fig.1.

Существенный недостаток известного ДУ, архитектура которого присутствует также в других усилительных каскадах [1-8], состоит в том, что при ограничениях на напряжение питания (Е_п), характерных для SiGe технологических процессов (Е_п≤2,0÷2,5 В), его коэффициент усиления по напряжению (K_у) в диапазоне средних частот получается небольшим (K_уmax=10÷20). В первую очередь это обусловлено ограничениями на сопротивления резисторов коллекторной нагрузки, которые из-за малых Е_п не могут выбираться высокоомными.

Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении предельных значений коэффициента усиления по напряжению ДУ для переменных ВЧ и СВЧ сигналов при низковольтном питании.

Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, в эмиттеры которых включены первый 3 и второй 4 p-n переходы, токостабилизирующий двухполюсник 5, включенный между общим узлом первого 3 и второго 4 p-n переходов и первой 6 шиной источников питания, первый 7 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором первого 1 входного транзистора и первым выходом устройства, второй 8 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором второго 2 входного транзистора и вторым выходом устройства, вторую 9 шину источников питания, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введены первый 10, второй 11, третий 12 и четвертый 13 дополнительные транзисторы, база первого 10 дополнительного транзистора соединена с базой первого 1 входного транзистора, коллектор первого 10 дополнительного транзистора подключен к коллектору первого 1 входного транзистора, база второго 11 дополнительного транзистора соединена с базой второго 2 входного транзистора, коллектор второго 11 дополнительного транзистора подключен к коллектору второго 2 входного транзистора, эмиттер первого 10 дополнительного транзистора подключен к коллектору третьего 12 дополнительного транзистора, база третьего 12 дополнительного транзистора подключена к эмиттеру первого 1 входного транзистора, эмиттер третьего 12 дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником 5, эмиттер второго 11 дополнительного транзистора подключен к коллектору четвертого 13 дополнительного транзистора, база четвертого 13 дополнительного транзистора соединена с эмиттером второго 2 входного транзистора, эмиттер четвертого 13 дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником 5, второй вывод первого 7 резистора коллекторной нагрузки соединен со второй 9 шиной источников питания через первый 14 дополнительный резистор и через первый 15 дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру первого 10 дополнительного транзистора, второй вывод второго 8 резистора коллекторной нагрузки соединен со второй 9 шиной источников питания через второй 16 дополнительный резистор и через второй 17 дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру второго 11 дополнительного транзистора.

На фиг.1 показана схема ДУ-прототипа.

Схема заявляемого устройства, соответствующего формуле изобретения, показана на фиг.2.

На фиг.3 представлена схема заявляемого ДУ фиг.2 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях интегральных транзисторов HJW.

Графики фиг.4 характеризуют зависимость коэффициента усиления по напряжению (K_у) ДУ фиг.3 от численных значений емкости конденсаторов С₀=C₁=ϑar, полученную в результате моделирования.

На фиг.5 показаны графики зависимости K_у схемы фиг.3 в укрупненном масштабе. Из их рассмотрения следует, что в схеме фиг.3 K_уmax=55,3 дБ, в то время как в ДУ фиг.3 при C₀=C₁₁=0 коэффициент усиления значительно меньше - 36,8 дБ.

Дифференциальный усилитель фиг.2 содержит входной первый 1 и второй 2 входные транзисторы, в эмиттеры которых включены первый 3 и второй 4 p-n переходы, токостабилизирующий двухполюсник 5, включенный между общим узлом первого 3 и второго 4 p-n переходов и первой 6 шиной источников питания, первый 7 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором первого 1 входного транзистора и первым выходом устройства, второй 8 резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором второго 2 входного транзистора и вторым выходом устройства, вторую 9 шину источников питания. В схему введены первый 10, второй 11, третий 12 и четвертый 13 дополнительные транзисторы, база первого 10 дополнительного транзистора соединена с базой первого 1 входного транзистора, коллектор первого 10 дополнительного транзистора подключен к коллектору первого 1 входного транзистора, база второго 11 дополнительного транзистора соединена с базой второго 2 входного транзистора, коллектор второго 11 дополнительного транзистора подключен к коллектору второго 2 входного транзистора, эмиттер первого 10 дополнительного транзистора подключен к коллектору третьего 12 дополнительного транзистора, база третьего 12 дополнительного транзистора подключена к эмиттеру первого 1 входного транзистора, эмиттер третьего 12 дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником 5, эмиттер второго 11 дополнительного транзистора подключен к коллектору четвертого 13 дополнительного транзистора, база четвертого 13 дополнительного транзистора соединена с эмиттером второго 2 входного транзистора, эмиттер четвертого 13 дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником 5, второй вывод первого 7 резистора коллекторной нагрузки соединен со второй 9 шиной источников питания через первый 14 дополнительный резистор и через первый 15 дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру первого 10 дополнительного транзистора, второй вывод второго 8 резистора коллекторной нагрузки соединен со второй 9 шиной источников питания через второй 16 дополнительный резистор и через второй 17 дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру второго 11 дополнительного транзистора.

Рассмотрим работу ДУ фиг.2 на переменном токе.

Предельный коэффициент усиления по напряжению дифференциального каскада фиг.2 по первому выходу при емкости дополнительного конденсатора 15 (C₁₅), равной нулю, определяется сопротивлением первого 7 резистора коллекторной нагрузки (R7>>R14):

где S_1-2=2(r_э1+r_э2+r_э3+r_э4)^-1 - крутизна усиления ДУ в режиме короткого замыкания по выходу «Вых.1», зависящая от сопротивлений эмиттерных переходов (r_э1, r_э2) транзисторов 1, 2 и дифференциальных сопротивлений p-n переходов 3 и 4 (r_э3, r_э4).

В предлагаемом ДУ фиг.2 комплексный коэффициент усиления по напряжению для выхода «Вых.1» определяется формулой:

где α₁₀≈0,98÷0,99 - коэффициент усиления по току эмиттера транзистора 10;

r_э10 - сопротивление эмиттерного перехода транзистора 10;

R₁₄ - сопротивление двухполюсника 14;

K_у.п - коэффициент усиления по нагрузке ДУ-прототипа;

С₁₅ - емкость конденсатора 15.

В области средних частот, когда влиянием конденсатора 15 можно пренебречь, а r_э10<<R₁₄:

Если учесть, что типовые значения α₁₀=0,98-0,99, а r_э10=25÷30 Oм<<R₁₄, то из (3) следует, что предлагаемая схема ДУ имеет более высокий коэффициент усиления по напряжению в диапазоне средних частот (в пределах которого влиянием емкости С₁₅ на K_у можно пренебречь).

Данные выводы подтверждаются результатами компьютерного моделирования (фиг.4 и фиг.5).

Таким образом, в предлагаемом ДУ фиг.2 при низкоомных резисторах коллекторной нагрузки 7 и 8 реализуются более высокие значения коэффициента усиления по напряжению.

Заявляемая схема особенно перспективна для использования в микроэлектронных SiGe изделиях СВЧ устройств, реализованных по технологии SG25VD.

Источники информации

1. Патент США №5.339.044 (1:1).

2. Патент США №3.541.464.

3. Патент США №3.801.923, fig.1.

4. Патент Японии №53-78151, fig.1.

5. Патент Японии №55030218.

6. Ав.св. СССР №593301.

7. Патент США №4.8913.604, fig.4.

8. Достал, И. Операционные усилители [Текст] / И.Достал. - М.: Мир, 1982. - С. 84, рис.3.18в.

Дифференциальный усилитель, содержащий первый (1) и второй (2) входные транзисторы, в эмиттеры которых включены первый (3) и второй (4) p-n переходы, токостабилизирующий двухполюсник (5), включенный между общим узлом первого (3) и второго (4) p-n переходов и первой (6) шиной источников питания, первый (7) резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором первого (1) входного транзистора и первым выходом устройства, второй (8) резистор коллекторной нагрузки, первый вывод которого соединен с коллектором второго (2) входного транзистора и вторым выходом устройства, вторую (9) шину источников питания, отличающийся тем, что в схему введены первый (10), второй (11), третий (12) и четвертый (13) дополнительные транзисторы, база первого (10) дополнительного транзистора соединена с базой первого (1) входного транзистора, коллектор первого (10) дополнительного транзистора подключен к коллектору первого (1) входного транзистора, база второго (11) дополнительного транзистора соединена с базой второго (2) входного транзистора, коллектор второго (11) дополнительного транзистора подключен к коллектору второго (2) входного транзистора, эмиттер первого (10) дополнительного транзистора подключен к коллектору третьего (12) дополнительного транзистора, база третьего (12) дополнительного транзистора подключена к эмиттеру первого (1) входного транзистора, эмиттер третьего (12) дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником (5), эмиттер второго (11) дополнительного транзистора подключен к коллектору четвертого (13) дополнительного транзистора, база четвертого (13) дополнительного транзистора соединена с эмиттером второго (2) входного транзистора, эмиттер четвертого (13) дополнительного транзистора соединен с токостабилизирующим двухполюсником (5), второй вывод первого (7) резистора коллекторной нагрузки соединен со второй (9) шиной источников питания через первый (14) дополнительный резистор и через первый (15) дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру первого (10) дополнительного транзистора, второй вывод второго (8) резистора коллекторной нагрузки соединен со второй (9) шиной источников питания через второй (16) дополнительный резистор и через второй (17) дополнительный конденсатор подключен к эмиттеру второго (11) дополнительного транзистора.