Способ получения антидинатронного покрытия на керамике
Патент 243081
Классы МПК
Способ получения антидинатронного покрытия на керамике
Иллюстрации
Реферат
ОП ИСАЙИ Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
243 68I
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 24Х11.1967 (№ 1176104/26-25) с присоединением заявки М
Приоритет
Опубликовано 05.V.1969. Бюллетень Ло 16
Дата опубликования описания 26.IX.1969
Кл. 21g, 13/08
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК H 0iq
УДК 621.3.032.755 (088.8) Авторы изобретения
В. Г. Аветиков, А. А. Звягильский, М. Д. Бершадская, Г. М. Приезжев и О. И. Павлов
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИДИ НАТРОН НОГО
ПОКРЫТИЯ НА КЕРАМИКЕ
При работе электровакуумных приборов большой мощности происходят перегрев и разрушение керамического диэлектрического вывода энергии, вызываемые вторичным электронным разрядом в выводе энергии. В настоящее время для подавления этого разряда керамику покрывают металлами (например, титаном) путем распыления в вакууме и диэлектриком с малым коэффициентом вторичной электронной эмиссии.
Известен способ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой.
Металлические покрытия вызывают дополнительные омические потери, приводящие к дополнительному разогреву керамики, поэтому толщина распыленного металла должна быть строго ограничена, что технологически трудно осуществимо, особенно на изделиях сложной конфигурации.
В случае диэлектрического покрытия вторичный электронный резонансный разряд снижается, но при этом возможно постепенное накопление на поверхности диэлектрика электрического заряда, что может привести к возникновению скользящего разряда с керамики на металлическую манжету и к разрушению керамического изделия.
Предлагаемый способ получения антидинатронного покрытия на керамике отличается тем, что на керамические изделия наносят порошкообразную пятиокись ванадия (ЧеОз), которая после закрепления на керамике термической обработкой в восстановительной среде при 1000 — 1500 С превращается в покрытие, представляющее собой полупроводник с высоким омическим сопротивлением и низким коэффициентом вторичной электронной эмиссии.
Преимущество этого способа состоит в том, что толщина покрытия может колебаться в широких пределах из-за достаточно высокого омического сопротивления покрытия, не вызывающего существенных дополнительных электрических потерь керамики.
Кроме того, благодаря черному цвету по20 крытия увеличивается отвод тепла от керамики-подло>кки излучением.
Сущность предлагаемого способа состоит в следующем.
Порошкообразную пятиокись ванадия сме25 шивают с биндером в мешалке. Полученную суспензию наносят на керамику окунанием, намазкой или распылением в зависимости от вида покрываемых изделий. Покрытие закрепляют термической обработкой в среде фор30 миргаза или водорода при температуре 1000 —243081
Составитель И. Ратенберг
Корректоры: Л. Иванова и Г. Судоржеико
Редактор b. Б. Федотов Техрсд А. А. Камышникова
Заказ 2393,8 Тираж 480 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типография, пр. Сапунова, 2
1500 С в зависимости от вида керамического материала.
Предмет изобретения
Способ получения антидинатронного покрытия на керамике путем нанесения его на покрываемую поверхность с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью снижения коэффициента вторичной эмиссии поверхности керамики и возможности накопления на ней электростатического заряда, наносят слой пятиокиси ванадия, а термообработку проводят в восстановительной среде при температуре 1000 †15 С.