Пленочный полевой триод
Иллюстрации
Реферат
т -1 с-н т „, О П И С-"Х Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
243738
Сова Соеетоииа
Социилиотннееиии
РаепуОдие
К ЛВтО СКОМЬ СВИДЕтЕЛЬСтВМ
Зависимое от а вт. свидетельства №
Заявлено 15.IV,1968 (№ 1232221/26-25) Кл. 21g, 11/02 с присоединением заявки №
Пр;иоритет
Опубликовано 14Х.1969. Бюллетень № 17
Дата опубликования описания 26.IX.1969
МПК Н Oll
УДК 621.382.322 (088.8) Комитет по делам иао6ретений и открытий при Соеете Миииотрое
СССР
Авторы изобретения
1О. 3. Бубнов, М. С. Лурье, Г, А. Филаретов и П. Д. Токарев
Заявитель
ПЛЕНОЧНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРИОД
Предмет изобретения
Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено в вычислительных устройствах.
Известны тонкопленочные полевые триоды, у которых параметры нестабильны, что объясняется адсорбцией воды и кислорода на поверхности полупроводн ика из атмосферы остаточных газов промышленных вакуумных установок.
Стабилизация параметров пленочных полевых триодов достигается нанесением химически активного промежуточного слоя обедненной кислородом моноокиси германия. Предлагаемая конструкция пленочного полевого триода имеет структуру, в которой моноокись германия нанесена на полупроводниковую пленку сульфида или соленида кадмия под диэлектрический слой затвора. Толщина химически активной пленки моноокиси германия на границе раздела полупроводник — диэлекто рик составляет 200 А.
В результате связывания кислорода и воды в предлагаемой структуре триода резко снижается релаксация пленочного полевого триода. Стабильность полученных полевых триодов по сравнению с известными значительно возрастает. Относительная нестабильность полученных IlJIpHO÷íûõ полевых триодов составляет 0,02 — 0,2.
Пленочный полевой триод со структурой ме15 талл-диэлектрик-полупроводник, например алюминий-окись кремния-сульфид кадмия, отличающийся тем, что, с целью стабилизации его параметров, между полупроводником и диэлектриком расположен подслой обедненной
20 кислородом моноокиси германия.