Подложка активной матрицы, дисплейная панель и устройство отображения

Подложка активной матрицы, дисплейная панель и устройство отображения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке с активной матрицей, на которой пассивные пикселы расположены вокруг области отображения, к дисплейной панели, имеющей подложку с активной матрицей, и к устройству отображения, имеющему такую дисплейную панель.

Уровень техники

Традиционно жидкокристаллические устройства отображения разрабатываются с помощью различных способов для улучшения надежности и качества дисплея. Одним из таких способов является использование пассивных пикселов. Хотя пассивные пикселы располагаются за пределами области отображения жидкокристаллической панели, пикселы не используются для фактического отображения. Патентная литература 1 раскрывает один пример жидкокристаллического устройства отображения, в котором обеспечиваются пассивные пикселы.

Патентная литература 1 раскрывает жидкокристаллическое устройство отображения с активной матрицей, в котором электроды крайних пикселов, обеспеченные на первой подложке, имеют меньшие размеры, чем электроды других пикселов, при этом самые дальние от центра линии сигнала развертки и самые дальние от центра линии сигнала отображения обеспечиваются направленными внутрь, чтобы самые дальние от центра элементы изображения использовались в качестве неотображающих пассивных пикселов.

Жидкокристаллическое устройство отображения с активной матрицей позволяет эффективно использовать подложку, не вызывая неравномерности яркости и уменьшения способности герметизации жидкого кристалла.

С другой стороны, были разработаны различные технологии для улучшения характеристики угла обзора жидкокристаллического устройства отображения. Патентная литература 2 раскрывает один пример таких технологий. Патентная литература 2 раскрывает электродный блок, имеющий (1) множество электродов (секций ветвления), каждый из которых ответвляется от основной секции так, чтобы отходить диагонально по отношению к основной секции, и (2) промежутки, каждый из которых располагается между смежными секциями ветвления.

Эта технология дает возможность ориентировать молекулы жидких кристаллов под различными углами. В результате может быть улучшена характеристика угла обзора.

Список ссылок

Патентная литература 1

Публикация заявки на патент Японии, Tokukaihei, №9-5780 А (Дата публикации: 10 января, 1997).

Патентная литература 2

Публикация заявки на патент Японии, Tokukai, №2004-4460 А (Дата публикации: 8 января, 2004).

Раскрытие изобретения

Согласно технологии, раскрытой в патентной литературе 2, любой пиксел имеет электрод пиксела, имеющий диагональную конфигурацию. Т.е. любой пиксел имеет несколько электродов пиксела с конфигурациями, имеющими края, параллельные Х направлению или Y-направлению (т.е. направления, параллельные горизонтальной и вертикальной сторонам подложки). Это приводит к следующей проблеме.

В процессе изготовления подложки активной матрицы выполняется фотолитография в отношении множества слоев. Соответственно, в случае, когда один слой формируется с нарушением выравнивания относительного другого слоя, другими словами, в случае, когда происходит нарушение выравнивания, ухудшается качество отображения подложки активной матрицы. Например, в случае, когда электрод пиксела формируется с нарушением выравнивания от заданного положения по отношению к линии шины источника питания, то напряжение, которое будет приложено к жидкому кристаллу, отличается от заданного напряжения. В результате не может быть получено желаемое отображение изображения.

Кроме того, в том случае, когда воздействие является повторяющимся, чтобы сформировать область отображения, и смещение электрода пиксела относительно линии шины источника питания в блоке отличается от смещения электрода пиксела относительно линии шины источника питания в другом блоке, то для этих блоков имеет место различная паразитная емкость между линией шины источника питания и электродом пиксела. В результате яркость изображения дисплея изменяется в зависимости от блока, т.е. возникает так называемое разделение блоков.

Такое ухудшение качества отображения также возникает в случае, когда ширина конфигурации отличается от заданного значения. Например, в том случае, когда ширина, с которой электрод пиксела перекрывает линию шины источника питания, отличается от заданной ширины, паразитная емкость между линией шины источника питания и электродом пиксела отличается от заданного значения. Соответственно, напряжение, которое должно быть приложено к жидкому кристаллу, отличается от заданного напряжения. В результате, желаемое отображение изображения не может быть получено. Кроме того, в том случае, когда конфигурация электрода пиксела состоит из микроскопических электродов, каждый из которых имеет ширину приблизительно, от 2 до 4 мкм, и эта ширина отличается от заданной ширины, то электрическое поле, которое должно генерироваться под действием приложенного напряжения, изменяется. В результате, желаемая ориентация молекул жидких кристаллов не может быть получена.

Как описывалось выше, измерение ширины линии конфигурации линий и измерение смещения являются важным фактором в процессе изготовления подложек активной матрицы. При необходимости экспонирующим устройством выполняется коррекция времени экспонирования и коррекция выравнивания. Однако, как в случае с осями координат обычных производственных устройств, оси координат измерительного устройства для измерения ширины линии или экспонирующего устройства основаны на горизонтальной и вертикальной сторонах подложки. Поэтому в случае электрода пиксела, описанного в патентной литературе 2, с диагональной конфигурацией практически невозможно измерить ширину линии пиксела и скорректировать смещение линий, поскольку электрод пиксела вряд ли имеет линии, параллельные или перпендикулярные опорным координатным осям. Поэтому необходимо обеспечить вне области отображения дополнительную конфигурацию для измерения ширины линии пиксела и коррекции смещения линий. Это затрудняет уменьшение ширины рамки изображения жидкокристаллической панели и ухудшает точность измерения.

Патентная литература 1 подробно не раскрывает конфигурацию в пассивном пикселе. Поэтому в том случае, когда электрод пиксела, описанный в патентной литературе 2, имеющий диагональную конфигурацию, комбинируется с технологией, описанной в патентной литературе 1, то электроды пикселов для пассивных пикселов также имеют диагональные конфигурации. Соответственно, становится необходимым обеспечивать дополнительное измерение конфигураций за пределами пассивных пикселов. Это затрудняет уменьшение ширины рамки изображения жидкокристаллической панели и ухудшает точность измерения, как и в случае с патентной литературой 2.

Настоящее изобретение было создано с учетом этих проблем. Задачей настоящего изобретения является обеспечение: подложки активной матрицы, которая позволяет без увеличения области рамки изображения жидкокристаллической панели производить измерение ширины линии пиксела и коррекцию выравнивания; дисплейной панели, имеющей подложку активной матрицы; и устройства отображения, имеющего такую дисплейную панель.

Для того чтобы решить эту задачу, подложка активной матрицы настоящего изобретения включает в себя: множество пикселов, составляющих область отображения; и множество пассивных пикселов, обеспеченных вокруг области отображения, причем каждый из множества пикселов имеет диагональную структуру из множества диагональных линий, каждая из которых имеет постоянную ширину, при этом по меньшей мере один из множества пассивных пикселов имеет, по меньшей мере, одну измеряемую структуру из множества вертикальных или горизонтальных линий, каждая из которых имеет постоянную ширину.

Согласно такой компоновке, измеряемая структура, имеющая линии, которые параллельны или перпендикулярны опорной оси устройства измерения ширины линии или устройства коррекции выравнивания, обеспечивается в пассивном пикселе около области отображения. Это позволяет выполнять измерение ширины линии и коррекцию выравнивания относительно линий, имеющихся в пассивном пикселе. Таким образом, нет необходимости дополнительно обеспечивать измеряемую структуру в области прокладки проводников (вычерчивания проводников). Это позволяет измерять ширину линии и коррекцию выравнивания без увеличения области рамки изображения подложки активной матрицы.

В целом, толщина пленки материала проводника и толщина изолирующей пленки в процессе изготовления подложки активной матрицы, входящей в состав дисплейной панели, и толщина пленки резистивного материала в процессе фотолитографии, различна в зависимости от их положений в подложке дисплея. Поэтому, если структура, ширина линий которой фактически измеряется, находится далеко от целевой измерительной области (т.е. области отображения), то ширина линии и т.д. такой конфигурации может варьироваться в зависимости от разницы в толщине пленки. Это вызывает неправильное измерение ширины линии.

И наоборот, область отображения и множество пассивных пикселов 12 расположены близко друг к другу на подложке активной матрицы. Соответственно, измеряемая структура в каждом из множества пассивных пикселов расположена близко к области отображения. Это позволяет уменьшить эффект колебания толщины пленки. Это, в свою очередь, позволяет осуществить точное измерение ширины линии.

Кроме того, подложка активной матрицы настоящего изобретения предпочтительно выполнена так, что плотность, с которой в указанном по меньшей мере одном из множества пассивных пикселов расположены все линии, включающие в себя множество вертикальных или горизонтальных линий в указанной по меньшей мере одной измеряемой структуре, равна плотности, с которой в каждом из множества пикселов расположены все линии, включающие в себя множество диагональных линий.

Известно, что в микротехнологии, в которой выполняется сухое травление, форма производимого продукта изменяется в зависимости от разницы в плотности обеспечиваемых линий (эффект нагрузки). Плотность, с которой располагаются все линии каждого из множества пассивных пикселов, и плотность, с которой располагаются все линии каждого из множества пикселов в области отображения на подложке активной матрицы, идентичны друг другу. Это позволяет стабилизировать форму линии, которая должна быть сформирована, даже если структура линий каждого из множества пассивных пикселов отличается от структуры линий каждого из множества пикселов. Соответственно, измерение ширины линий одного из множества пассивных пикселов позволяет иметь стабильную и точную информацию о ширине линии диагональной структуры каждого из множества пикселов.

Кроме того, подложка активной матрицы предпочтительно выполнена так, что указанный по меньшей мере один из множества пассивных пикселов имеет половинную часть с диагональной структурой, которая является смежной и идентичной по отношению к диагональной структуре соответствующего пиксела из множества пикселов.

Состояние ориентации жидкокристаллических молекул в каждом из множества пикселов находится под влиянием не только напряжения, приложенного к жидкому кристаллу, но также и ориентации жидкокристаллических молекул в смежном пикселе из множества пикселов. С учетом этого структура линий в той половинной области каждого из множества пассивных пикселов, которая является смежной по отношению к одному из множества пикселов, идентична структуре линий указанного одного из множества пикселов. Поэтому ориентация жидкого кристалла в одном из множества пикселов, который является смежным по отношению к указанному одному из множества пассивных пикселов, находится под влиянием указанного одного из множества пассивных пикселов в степени, по существу равной такому эффекту, вызванному смежным пикселом из множества пикселов. В результате ориентация жидкого кристалла в одном из множества пикселов, который не является смежным по отношению к одному из множества пассивных пикселов, имеет, по существу, одинаковый уровень по отношению к ориентации жидкого кристалла в другом из множества пикселов, который является смежным с одним из множества пассивных пикселов.

Таким образом, подложка активной матрицы позволяет предотвратить такое ухудшение качества отображения, что только самые крайние пикселы из множества пикселов отображаются иным образом по сравнению с другими пикселами во всей области отображения.

Кроме того, подложка активной матрицы настоящего изобретения предпочтительно выполнена так, что множество пассивных пикселов расположено по всему периметру области отображения.

Согласно этому выполнению, структуры линий, параллельные направлению ширины подложки активной матрицы, и структуры линий, перпендикулярных направлению ширины, расположены по всему периметру области отображения (вдоль всех четырех сторон области отображения). Это позволяет производить измерение ширины линий и коррекцию выравнивания по всему периметру области отображения. Другими словами, это позволяет легче произвести измерение ширины линии и легче произвести коррекцию выравнивания. Кроме того, это позволяет осуществить более легкую коррекцию для поворачивающейся системы.

Для того чтобы добиться выполнения задачи изобретения, дисплейная панель настоящего изобретения включает в себя одну из подложек активной матрицы.

Эта компоновка позволяет измерять ширину линии структуры и корректировать выравнивание без увеличения области рамки изображения подложки активной матрицы.

Для того чтобы добиться выполнения задачи изобретения, устройство отображения настоящего изобретения включает в себя дисплейную панель.

Эта компоновка позволяет измерять ширину линии структуры и корректировать выравнивание без увеличения области рамки изображения подложки активной матрицы.

Подложка активной матрицы настоящего изобретения позволяет измерять ширину линии структуры в пикселе и корректировать выравнивание без увеличения области рамки изображения подложки активной матрицы.

Для более полного понимания сущности и преимуществ изобретения следует сделать ссылку к последующему подробному описанию в сочетании с прилагаемыми чертежами.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 является видом, иллюстрирующим компоновку части дисплейной панели одного варианта осуществления изобретения.

Фиг.2 является видом, иллюстрирующим компоновку устройства отображения одного варианта осуществления изобретения.

Фиг.3 является видом, иллюстрирующим структуру линий, которые сформированы в пикселе, входящем в состав области отображения.

Фиг.4 является видом, иллюстрирующим пассивные пикселы. Фиг.4(а) является видом, иллюстрирующим пассивный пиксел, имеющий горизонтальную структуру линий. Фиг.4(b) является видом, иллюстрирующим пассивный пиксел, имеющий вертикальную структуру линий.

Описание вариантов осуществления изобретения

В дальнейшем описывается один вариант осуществления изобретения на основании фиг.1-4.

Фиг.2 является видом, иллюстрирующим компоновку устройства 1 отображения одного варианта осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг.2, устройство 1 отображения включает в себя дисплейную панель 2. Согласно настоящему варианту осуществления изобретения, дисплейная панель 2 является жидкокристаллической дисплейной панелью, которая отображает изображение, используя изменение состояния ориентации жидкого кристалла. Соответственно, устройство 1 отображения является так называемым жидкокристаллическим устройством отображения. Однако настоящее изобретение не ограничивается дисплейной панелью 2 и устройством 1 отображения, в каждом из которых используется жидкий кристалл.

Фиг.1 является видом, иллюстрирующим компоновку части подложки 3 активной матрицы одного варианта осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг.1, подложка 3 активной матрицы включает в себя множество пикселов 5, множество пассивных пикселов 6, множество пассивных пикселов 8, множество пассивных пикселов 10 и множество пассивных пикселов 12. Подложка 3 активной матрицы и обычная подложка (не показана) составляют дисплейную панель 2.

В подложке 3 активной матрицы множество пикселов 5 скомпонованы в матричные структуры так, чтобы ограничить единую область 4 отображения. Изображение, символ и/или подобный элемент отображаются с помощью комбинирования такого пиксела (пикселов) из множества пикселов 5 в области 4 отображения, который находится в активном состоянии ON, с тем пикселом (пикселами) из множества пикселов 5, который находится в неактивном состоянии OFF. Множество пассивных пикселов 6, множество пассивных пикселов 8, множество пассивных пикселов 10 и множество пассивных пикселов 12 обеспечиваются вокруг области 4 отображения и не используются для отображения изображения, символа, и/или подобного элемента. То есть каждый из множества пассивных пикселов 6, множества пассивных пикселов 8, множества пассивных пикселов 10 и множества пассивных пикселов 12 имеет форму пиксела, но не имеет функцию пиксела. Множество пассивных пикселов 6 обеспечивается выше области 4 отображения. Множество пассивных пикселов 8 обеспечивается ниже области 4 отображения. Множество пассивных пикселов 10 обеспечивается слева от области 4 отображения. Множество пассивных пикселов 6 обеспечивается справа от области 4 отображения.

Фиг.3 является видом, иллюстрирующим структуру проводников, которые обеспечиваются в каждом из множества пикселов 5, составляющих область 4 отображения. Как показано на фиг.3, каждый из множества пикселов 5 имеет диагональную структуру 14 из множества диагональных линий, каждая из которых имеет постоянную ширину. Достаточно обеспечить диагональную структуру 14 линий по меньшей мере в одном из множества слоев, которые составляют каждый из множества пикселов 5. Например, каждый из электродов пиксела может иметь диагональную структуру 14 линий. Кроме того, в том случае, когда обеспечивается общий электрод на стороне подложки активной матрицы, как в случае использования IPS (in plane switching - внутриплатная коммутация), общий электрод может иметь диагональную структуру 14 линий. В этом случае, как показано на фиг.3, электрод пиксела каждого из множества пикселов 5 имеет диагональную структуру 14 линий, в которой линии ориентированы по меньшей мере в двух направлениях. Это позволяет свободно, в четырех направлениях, ориентировать молекулы жидкого кристалла в каждом из множества пикселов 5.

Фиг.4(а) является видом, иллюстрирующим один из множества пассивных пикселов 12, который имеет горизонтальную структуру 16 линий. Фиг.4(b) является видом, иллюстрирующим один из множества пассивных пикселов 12а, который имеет вертикальную структуру 18 линий. Как показано на фиг.4(а), диагональная структура 14 линий, которая является идентичной диагональной структуре 14 линий, которой обладает каждый из множества пикселов 5, обеспечивается в той половине одного из множества пассивных пикселов 12, которая является смежной с областью 4 отображения, т.е. в той половине (левой половине), которая непосредственно соседствует с одним из множества пикселов 5. С другой стороны, горизонтальная структура 16 линий обеспечивается в другой половине (правой половине) этого одного из множества пассивных пикселов 12, которая не является смежной с одним из множества пикселов 5. Ширина каждой из множества линий, составляющих горизонтальную структуру 16 линий, идентична ширине каждой из множества диагональных линий, составляющих диагональную структуру 14 линий. Множество линий, составляющих горизонтальную структуру 16 линий, параллельно направлению ширины подложки 3 активной матрицы. Другими словами, множество линий параллельно опорной оси устройства измерения ширины линии или устройства коррекции выравнивания.

Поэтому измерение ширины линии в горизонтальной структуре 16 линий одного из множества пассивных пикселов 12 позволяет узнать ширину линии в диагональной структуре 14 линий каждого из множества пикселов 5 в области 4 отображения. Кроме того, измерение величины отклонения линий в горизонтальной структуре 16 линий позволяет корректировать отклонение линий в диагональной структуре 14 линий. Поэтому нет необходимости дополнительно обеспечивать с наружной стороны каждого из множества пассивных пикселов 12 измерительную структуру для измерения ширины линий. Это позволяет измерить ширину линии и скорректировать выравнивание без увеличения области рамки изображения подложки 3 активной матрицы.

В целом, толщина пленки материала проводников и толщина изолирующей пленки в процессе изготовления подложки 3 активной матрицы, а также толщина пленки материала резиста в процессе фотолитографии варьируется в зависимости от их положения внутри подложки дисплея. Поэтому, если структура, ширина линий которой фактически измерена, находится в отдалении от целевой области измерения (т.е. области отображения), то ширина линий и т.д. может варьироваться в зависимости от разницы в толщине пленки. В результате это приводит к некорректному измерению толщины линии.

И наоборот, как показано на фиг.1 и фиг.4(а), область 4 отображения и множество пассивных пикселов 12 находятся в близком соседстве друг к другу на подложке 3 активной матрицы. Соответственно, горизонтальная структура 16 линий в каждом из множества пассивных пикселов 12 находится близко к области 4 отображения. Это позволяет уменьшить влияние колебания толщины пленки для линий. Это позволяет выполнять точное измерение ширины линии.

Как показано на фиг.4(b), множество пассивных пикселов 12а может располагаться справа от области 4 отображения вместо множества пассивных пикселов 12. Диагональная структура 14 линий, идентичная диагональной структуре 14 линий, которой обладает каждый из множества пикселов 5 в той половине каждого из множества пассивных пикселов 12а, которая является смежной по отношению к области 4 отображения, т.е. в той половине, которая непосредственно соседствует с одним из множества пикселов 5. С другой стороны, вертикальная структура 18 линий обеспечивается в другой половине каждого из множества пассивных пикселов 12а, которая не является смежной по отношению к одному из множества пикселов 5. Ширина каждой из множества линий, составляющих вертикальную структуру 18 линий, идентична ширине каждой из множества диагональных линий, составляющих диагональную структуру 14 линий. Множество линий, составляющих вертикальную структуру 18 линий, параллельно направлению длины подложки 3 активной матрицы. Другими словами, множество линий параллельно опорной оси устройства измерения ширины линии или устройства коррекции выравнивания. Поэтому измерение ширины линии вертикальной структуры 18 линий позволяет знать ширину линии каждого из множества пикселов 5.

Известно, что в микротехнологии, в которой осуществляется сухое травление, форма готового продукта меняется в зависимости от разницы в плотности, с которой обеспечены линии (эффект нагрузки). Как показано на фиг.3 и 4(а), плотность, с которой расположены все линии в каждом из множества пассивных пикселов 12, и плотность, с которой расположены все линии в каждом из множества пикселов 5 в области 4 отображения, идентичны друг другу на подложке 3 активной матрицы. Это позволяет стабилизировать форму линии, которая должна быть сформирована, даже если структура линий каждого из множества пассивных пикселов 12 отличается от структуры линий каждого из множества пикселов 5. Соответственно, измерение ширины линии одного из множества пассивных пикселов 12 позволяет иметь устойчивую и точную информацию о ширине линии диагональной структуры 14 линий каждого из множества пикселов 5.

В соответствии с настоящим изобретением, диагональная структура 14 линий, идентичная диагональной структуре 14 линий, которой обладает каждый из множества пикселов 5, обеспечивается в той половине каждого из множества пассивных пикселов 12, которая является смежной по отношению к одному из множества пикселов 5, как показано на фиг.4(а). Состояние ориентации молекул жидкого кристалла в каждом из множества пикселов 5 зависит не только от напряжения, приложенного к жидкому кристаллу, но также и от ориентации молекул жидкого кристалла в смежном пикселе из множества пикселов 5. В связи с этим структура линий в этой половине каждого из множества пассивных пикселов 12, которая является смежной по отношению к указанному одному из множества пикселов 5, идентична структуре линий указанного одного из множества пикселов 5. То же справедливо и для множества пассивных пикселов 6, множества пассивных пикселов 8 и множества пассивных пикселов 10. Поэтому ориентация жидкого кристалла в одном из множества пикселов 5, который является смежным по отношению к одному из множества пассивных пикселов 12, подвержена влиянию одного из множества пассивных пикселов 12 в такой степени, которая практически равна такому влиянию, вызванному смежным пикселом из множества пикселов 5. В результате, ориентация жидкого кристалла в одном из множества пикселов 5, который не является смежным с пикселом из множества пассивных пикселов 12, имеет практически равный уровень по отношению к степени ориентации жидкого кристалла в другом пикселе из множества пикселов 5, который является смежным с одним из множества пассивных пикселов 12.

Кроме того, как показано на фиг.1, множество пассивных пикселов 6, множество пассивных пикселов 8 и множество пассивных пикселов 10 скомпонованы так же, как и в случае множества пассивных пикселов 12. То есть структура линий в той половине (нижняя половина) каждого из множества пассивных пикселов 6, которая является смежной по отношению к одному из множества пикселов 5, идентична диагональной структуре 14 линий одного из множества пикселов 5. Кроме того, структура линий в той половине (верхняя половина) каждого из множества пассивных пикселов 8, которая является смежной по отношению к одному из множества пикселов 5, идентична диагональной структуре 14 линий одного из множества пикселов 5. Кроме того, структура линий в той половине области (правая половина) каждого из множества пассивных пикселов 10, которая является смежной по отношению к одному из множества пикселов 5, является идентичной диагональной конфигурации 14 линий одного из множества пикселов 5.

Таким образом, среди всего множества пикселов 5 в области 4 отображения любой пиксел, который является смежным по отношению к любому из множества пассивных пикселов 6, множества пассивных пикселов 8, множества пассивных пикселов 10 и множества пассивных пикселов 12, окружен диагональными структурами 14 линий. То есть такой пиксел из множества пикселов 5 является таким же пикселом, что и пикселы, которые не являются смежными по отношению к любому из таких пассивных пикселов. Соответственно, все множество пикселов 5 в области 4 отображения реализует одинаковое качество отображения. Это дает возможность предотвратить такую проблему подложки 3 активной матрицы, которая заключается в ухудшении качества отображения, в результате чего внешние пикселы из множества пикселов 5 отображаются иначе, чем другие пикселы во всей области 4 отображения.

Кроме того, согласно настоящему варианту осуществления изобретения, каждый из всех таких пассивных пикселов на подложке 3 активной матрицы имеет горизонтальную структуру 16 линий или вертикальную структуру 18 линий, как показано на фиг.1. То есть структуры линий, параллельные направлению ширины подложки 3 активной матрицы, и структуры линий, перпендикулярные направлению ширины подложки 3 активной матрицы, расположены со всех сторон области 4 отображения (вдоль всех четырех сторон области 4 отображения). Это позволяет со всех сторон области 4 отображения выполнять измерение ширины линий и коррекцию выравнивания. Другими словами, это позволяет более легко измерять ширину линий и позволяет более легко выполнять коррекцию выравнивания.

Подложка 3 активной матрицы, составляющая жидкокристаллическое устройство 1 отображения, может быть выполнена следующим образом, описанным ниже.

Сначала титановая пленка, алюминиевая пленка и титановая пленка, содержащая азот, укладываются друг на друга в этом порядке с помощью напыления на прозрачную изолирующую подложку, такую как стеклянная подложка, таким образом, чтобы иметь толщину соответствующей пленки 30 нм, 100 нм и 50 нм. Затем линии сигналов затвора, электроды затвора, линии накопительного конденсатора и т.д. формируются с помощью фотолитографии или сухого травления. Затем пленка из нитрида кремния, которая имеет толщину 400 нм и служит в качестве изолирующей пленки затвора, формируется таким образом, чтобы покрывать линии сигналов затвора, электроды затвора, линии накопительного конденсатора, и т.д. Затем аморфная кремниевая пленка, которая имеет толщину 130 нм и используется в качестве полупроводникового слоя, формируется на пленке из нитрида кремния. Затем n+аморфная кремниевая пленка, которая имеет толщину 40 нм и используется в качестве электрода истока и электрода стока, формируется на аморфной кремниевой пленке. Пленка из нитрида кремния, пленка из аморфного кремния и n+аморфная кремниевая пленка непрерывно формируются с помощью плазмы CVD (chemical vapor deposition - химического осаждения из газовой фазы). Слоистая пленка, изготовленная таким образом, подвергается процессу фотолитографии и сухого травления, для того чтобы получился слой полупроводника.

Затем титановая пленка и алюминиевая пленка укладываются с помощью напыления с получением толщины соответственно в 30 нм и 100 нм, для того чтобы сформировалась металлическая пленка. Затем линии сигналов истока, электродов истока, электродов стока и противоэлектроды накопительного конденсатора соединяются с электродами стока, формируемыми с помощью фотолитографии и сухого травления.

Затем слой n+аморфного кремния в полупроводниковом слое подвергается травлению с использованием электродов истока и электродов стока в качестве маски. Таким образом формируется канал каждого TFT (Thin-Film Transistor - тонкопленочный транзистор). На подложке, на которой формируются TFT, пленка из нитрида кремния, которая служит как первая межслойная изолирующая пленка, формируется с помощью плазмы CVD, чтобы получить толщину 300 нм. Затем на пленку из нитрида кремния наносится смола таким образом, что формируется органическая изолирующая пленка (акриловая смола), которая служит как вторая межслойная изолирующая пленка. Затем пленка из нитрида кремния подвергается травлению с использованием в качестве маски структуры на электроде стока и противоэлектроде накопительного конденсатора. Это позволяет обеспечить электрическое соединение с контактным окном и электродом отвода стока. Следует заметить, что маска готовится за счет формирования структуры органической изолирующей пленки (акриловая смола), в то же время экспонируется и подвергается обработке с использованием фотомаски.

Затем, пленка из оксида индия и олова толщиной 100 нм и пленка из оксида индия и цинка, или подобного материала, формируется с помощью напыления на межслойной изолирующей пленке, таким образом создавая двухслойную структуру. Затем сформированная таким образом пленка структуризуется с помощью фотолитографии таким образом, что формируются электроды пикселов.

Выравнивающая пленка, имеющая характеристику вертикального выравнивания, формируется на каждой из полученных таким образом подложек 3 активной матрицы, и на противоположной подложке, имеющей цветные фильтры и обычные электроды. Подложка 3 активной матрицы и противоположная подложка прикрепляются друг к другу. Затем жидкий кристалл, имеющий отрицательную диэлектрическую анизотропию, заливается и герметизируется между подложкой 3 активной матрицы и противоположной подложкой. Таким образом изготавливается дисплейная панель 2.

Для описанного таким образом изобретения будет очевидно, что тот же самый способ может видоизменяться и выполняться многими способами. Такие изменения способа не должны рассматриваться как отход от объема и сущности изобретения, при этом предполагается, что все такие модификации, как было бы очевидно специалисту с данной области техники, включены в объем следующей далее формулы изобретения.

Например, подложка 3 активной матрицы может быть выполнена таким образом, что по меньшей мере один из таких пассивных пикселов, выполненных вокруг области 4 отображения, имеет по меньшей мере одну структуру измерения (горизонтальную структуру 16 или вертикальную структуру 18), имеющую (1) множество вертикальных линий, каждая из которых имеет ширину, равную ширине каждой из диагональных линий, составляющих диагональную структуру 14 в каждом из множества пикселов 5, или (2) множество горизонтальных линий, каждая из которых имеет ширину, равную ширине каждой из диагональных линий, составляющих диагональную структуру 14 в каждом из множества пикселов 5. То есть в том случае, когда по меньшей мере один из всех таких пассивных пикселов имеет горизонтальную структуру 16 или вертикальную структуру 18, то измерение ширины линии по меньшей мере одного из всех таких пассивных пикселов позволяет иметь информацию о ширине линий в каждом из множества пикселов 5 в области 4 отображения, при этом коррекция несовпадения направления линий по меньшей мере одного из всех таких пассивных пикселов позволяет скорректировать несовпадение направления линий каждого из множества пикселов 5.

Варианты осуществления изобретения и конкретные примеры применения, обсуждаемые в предшествующем подробном объяснении, служат только для иллюстрации технических деталей настоящего изобретения, которое не следует узко интерпретировать в пределах таких вариантов осуществления изобретения и конкретных примеров, но скорее могут быть применены во многих вариантах в рамках сущности настоящего изобретения, обеспеченные такими изменениями, чтобы не превышать объем формулы изобретения, сформулированной ниже.

Промышленная применимость

Настоящее изобретение имеет широкую применимость для различных подложек активной матрицы, различных дисплейных панелей и различных устройств отображения.

Список ссылочных позиций

1 - устройство отображения,

2 - дисплейная панель,

3 - подложка активной матрицы,

4 - область отображения,

5 - пиксел,

6, 8, 10, 12 и 12а - пассивный пиксел,

14 - диагональная структура,

16 - горизонтальная структура,

18 - вертикальная структура.

1. Подложка активной матрицы, содержащая:множество пикселов, составляющих область отображения; имножество пассивных пикселов, расположенных вокруг области отображения;причем каждый из множества пикселов содержит диагональную структуру из множества диагональных линий, каждая из которых имеет постоянную ширину; апо меньшей мере один из множества пассивных пикселов содержит по меньшей мере одну измерительную структуру из множества вертикальных или горизонтальных линий, каждая из которых имеет постоянную ширину.

2. Подложка активной матрицы по п.1, в которой плотность всех линий указанного по меньшей мере одного из множества пассивных пикселов, включающих в себя множество вертикальных или горизонтальных линий по меньшей мере в одной измерительной конфигурации, равна плотности всех линий каждого из множества пикселов, включающих в себя множество диагональных линий.

3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой половина указанного по меньшей мере одного из множества пассивных пикселов содержит диагональную структуру, причем указанная половина является смежной с соответствующим пикселом из множества пикселов, а указанная диагональная структура идентична диагональной структуре указанного пиксела из множества пикселов.

4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой множество пассивных пикселов расположено со всех сторон вокруг области отображения.

5. Дисплейная панель, содержащая подложку активной матрицы по п.1 или 2.

6. Устройство отображения, содержащее дисплейную панель по п.5.

7. Устр