Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства

Подложка активной матрицы, дисплейное устройство, способ проверки подложки активной матрицы и способ проверки дисплейного устройства

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, с множеством первых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество первых межсоединений, сформированных параллельно друг другу в области отображения, и множество первых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, сформированном в соответствующих слоях, к дисплейному устройству, к способу проверки подложки активной матрицы и к способу проверки дисплейного устройства.

Предшествующий уровень техники

В последние годы жидкокристаллические панели широко используются во множестве электронных устройств, таких как мобильные телефоны, PDA, автомобильные навигационные системы и персональные компьютеры. Жидкокристаллические панели характеризуются своей тонкостью, легкостью и энергосбережением. Что касается способов монтажа драйверов на таких жидкокристаллических панелях, известен так называемый способ COG (для монтажа на стеклянную подложку), который заключает в себе непосредственный монтаж драйвера на одной (подложке активной матрицы) из пары подложек, противоположных друг другу, через жидкокристаллический материал (например, см. JP 9-329796A, JP 8-328033A). Использование этого COG-способа дает возможность делать жидкокристаллические панели тоньше, меньше и легче, а также с более высокой четкостью между межсоединениями и контактными выводами.

Кроме того, количество вертикальных и горизонтальных пикселов экранов дисплея жидкокристаллических панелей, используемых в компактных электронных устройствах, таких как мобильные телефоны и PDA, в последние годы изменилось с 160×120 QQVGA и 176×144 QCIF на 320×240 QVGA и даже 640×480 VGA. Это приводит к увеличению количества межсоединений и контактных выводов, которые должны формироваться на подложке активной матрицы, составляющей жидкокристаллическую панель. Тем не менее, чтобы разрешать потребность в более компактных жидкокристаллических панелях более высокой четкости, размер подложки активной матрицы не может увеличиваться.

С учетом этого известна подложка активной матрицы, на которой множество выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество межсоединений затвора, сформированных в области отображения, и множество контактных выводов затвора, размещаемых в области размещения контактных выводов, формируются в двух или более слоях (нескольких слоях) (например, см. JP 2004-53702A, JP 2005-91962A). В частности, заданное количество множества выбирающих межсоединений формируется в слое (первом слое), идентичном слою, в котором формируются межсоединения затвора, и оставшиеся выбирающие межсоединения формируются на слое (втором слое), отличном от слоя, в котором формируются межсоединения затвора. Следует отметить, что изоляционный материал вставляется между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое. Разбиение на множество слоев выбирающих межсоединений обеспечивает возможность реализации более компактной жидкокристаллической панели более высокого разрешения без увеличения размера подложки активной матрицы, поскольку разнесение между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое, может уменьшаться.

В этой связи, поскольку изоляционный материал вставляется между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое, короткие замыкания (утечка) практически никогда не возникают между выбирающими межсоединениями, сформированными в первом слое, и выбирающими межсоединениями, сформированными во втором слое. Тем не менее, короткие замыкания могут возникать между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, вследствие пыли от фотолитографии, остатка от травления и т.п. в ходе изготовления подложки активной матрицы. В частности, в последние годы требуются более компактные жидкокристаллические панели с более высоким разрешением, как пояснено выше, что увеличивает вероятность коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, поскольку разнесение между межсоединениями все в большей степени сокращается в последние годы. Важность проверки на предмет коротких замыканий между выбирающими межсоединениями в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложек активной матрицы тем самым повышается. Таким образом, в процессе монтажа, монтаж драйвера на дефектной подложке активной матрицы, в которой возникает короткое замыкание в межсоединениях, приводит к дополнительным материальным затратам и эксплуатационным затратам.

Тем не менее, несмотря на увеличение важности проверки на предмет коротких замыканий между выбирающими межсоединениями, механизм для обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое относительно каждого из множества слоев в подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, не установлен. В частности, в традиционной подложке активной матрицы, имеющей два или более слоев, идентичный сигнал проверки вводится из идентичного проверочного межсоединения в каждое из смежных выбирающих межсоединений, сформированных в одном и том же слое, так что, хотя разъединение выбирающих межсоединений может обнаруживаться, короткие замыкания между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном том же слое, не могут обнаруживаться.

Сущность изобретения

Настоящее изобретение осуществлено с учетом вышеуказанных проблем.

Задачей настоящего изобретения является создание подложки активной матрицы, дисплейного устройства, способа проверки подложки активной матрицы и способа проверки дисплейного устройства, которые обеспечивают возможность достоверного обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, в случае если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.

Средство решения проблемы

Для решения вышеуказанной задачи подложка активной матрицы в настоящем изобретении включает в себя множество первых межсоединений, сформированных параллельно друг другу в области отображения, множество вторых межсоединений, сформированных параллельно друг другу и так, чтобы пересекать множество первых межсоединений в области отображения, множество первых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, множество вторых контактных выводов, размещаемых в области размещения контактных выводов, множество первых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество первых межсоединений и множество первых контактных выводов, и множество вторых выбирающих межсоединений, соответственно, соединяющих множество вторых межсоединений и множество вторых контактных выводов. Множество первых выбирающих межсоединений включает в себя множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, причем третьи выбирающие межсоединения формируются в слое, идентичном слою, в котором первые межсоединения формируются, по меньшей мере, часть четвертых межсоединений формируется в слое, отличном от слоя, в котором первые межсоединения формируются с размещенным между ними изоляционным материалом, и третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения формируются попеременно в расчете на каждое межсоединение в области периферийных межсоединений, которая является отличной от области отображения и области размещения контактных выводов, и подложка активной матрицы включает в себя множество первых соединительных межсоединений, соответственно, подключенных к множеству первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются множество вторых соединительных межсоединений, соответственно, подключенных к множеству первых контактных выводов, к которым множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются множество объединенных межсоединений - каждые состоят из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения, объединенных друг с другом, причем первое общее межсоединение в общем соединяет объединенные межсоединения, которые не смежены друг с другом из множества объединенных межсоединений, а второе общее межсоединение в общем соединяет объединенные межсоединения, которые смежены друг с другом и не подключены к первому общему межсоединению из множества объединенных межсоединений.

В подложке активной матрицы согласно настоящему изобретению сигналы проверки могут вводиться в третьи выбирающие межсоединения и четвертые выбирающие межсоединения через объединенные межсоединения, первые соединительные межсоединения и вторые соединительные межсоединения посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки - в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Таким образом, взаимно независимые сигналы проверки могут вводиться в смежные третьи выбирающие межсоединения. Следует отметить, что третьи выбирающие межсоединения формируются в слое, идентичном слою, в котором формируются первые межсоединения. Тем самым могут обнаруживаться короткие замыкания между смежными третьими выбирающими межсоединениями. Взаимно независимые сигналы проверки также могут вводиться в смежные четвертые выбирающие межсоединения. Следует отметить, что, по меньшей мере, часть четвертых выбирающих межсоединений формируется в слое, отличном от слоя, в котором первые межсоединения формируются с размещенным между ними изоляционным материалом. Тем самым могут обнаруживаться короткие замыкания между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями.

Подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению снабжена множеством объединенных межсоединений, каждое из которых состоит из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения, объединенных друг с другом, причем каждые из множества объединенных межсоединений подключаются к первому общему межсоединению или второму общему межсоединению. Расстояние между межсоединениями тем самым может увеличиваться, и количество соединительных частей в слое межсоединений для электрического подключения межсоединений, сформированных в различных слоях, может сокращаться по сравнению с режимом, в котором каждые из множества первых соединительных межсоединений и множества вторых соединительных межсоединений непосредственно подключаются к первому общему межсоединению или второму общему межсоединению без обеспечения объединенных межсоединений. Таким образом, короткие замыкания между межсоединениями практически никогда не возникают, поскольку разнесение между межсоединениями (между объединенными межсоединениями) может увеличиваться. Кроме того, повреждения соединения и т.п. в соединительных частях в слое межсоединений могут уменьшаться вследствие возможности сокращать количество соединительных частей в слое межсоединений.

Как результат, в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев, короткие замыкания между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном слое, могут достоверно обнаруживаться посредством простой конфигурации.

Для решения вышеуказанной задачи дисплейное устройство в настоящем изобретении содержит подложку активной матрицы согласно настоящему изобретению. Следует отметить, что дисплейное устройство предпочтительно является жидкокристаллическим дисплейным устройством.

Для решения вышеуказанной задачи способ проверки подложки активной матрицы или дисплейного устройства в настоящем изобретении является способом проверки вышеуказанной подложки активной матрицы или дисплейного устройства, снабженного вышеуказанной подложкой активной матрицы, включающим в себя процесс проверки третьих выбирающих межсоединений и четвертых выбирающих межсоединений посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение и процесс обрезания множества первых соединительных межсоединений и множества вторых соединительных межсоединений после этапа проверки.

В способе проверки подложки активной матрицы или дисплейного устройства согласно настоящему изобретению, короткие замыкания между смежными третьими выбирающими межсоединениями и короткие замыкания между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями могут обнаруживаться посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение. Множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений затем обрезаются в процессе обрезания. Множество первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, тем самым электрически отделяются от множества первых контактных выводов, к которым соответственно, подключаются множество четвертых выбирающих межсоединений.

Как описано выше, подложка активной матрицы, дисплейное устройство и способ проверки подложки активной матрицы настоящего изобретения обеспечивают эффект возможности достоверного обнаружения коротких замыканий между смежными выбирающими межсоединениями, сформированными в одном и том же слое, посредством простой конфигурации в случае, если выбирающие межсоединения формируются в каждом из множества слоев.

Краткое описание чертежей

На чертежах:

Фиг. 1 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели согласно варианту 1 осуществления настоящего изобретения;

Фиг. 2 изображает поперечный разрез по линии a-a' на фиг. 1;

Фиг. 3 изображает укрупненный вид части E₁ на фиг. 1;

Фиг. 4 изображает укрупненный вид части E₂ на фиг. 1;

Фиг. 5 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели согласно модификации;

Фиг. 6 изображает укрупненный вид части, идентичной части E₁, показанной на фиг. 1.

Лучший вариант осуществления изобретения

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором множество первых соединительных межсоединений и множество вторых соединительных межсоединений обрезаются так, что электрическая непрерывность не устанавливается между множеством первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, и множеством первых контактных выводов, к которым множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются. Этот режим приводит к электрическому отделению множества первых контактных выводов, к которым, соответственно, подключаются множество третьих выбирающих межсоединений, от множества первых контактных выводов, к которым, соответственно, подключаются множество четвертых выбирающих межсоединений.

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент подключается, по меньшей мере, к одним из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения. В частности, предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент подключается к каждым из взаимно смежных первого соединительного межсоединения и второго соединительного межсоединения. Этот режим предоставляет возможность обрезания объединенных межсоединений вместо первых соединительных межсоединений и вторых соединительных межсоединений в процессе обрезания в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Другими словами, количество межсоединений, которые должны обрезаться, меньше, чем в случае обрезания первых соединительных межсоединений и вторых соединительных межсоединений. Как результат, может уменьшаться фактическое время в процессе обрезания. Кроме того, расстояние между межсоединениями, которые должны обрезаться, может увеличиваться, обеспечивая сокращение случаев возникновения повреждений, таких как замыкание накоротко смежных межсоединений вследствие остатков от обрезания, сформированных в ходе обрезания.

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором резистивный элемент, подключенный к первому соединительному межсоединению, и резистивный элемент, подключенный ко второму соединительному межсоединению, имеют практически идентичное значение сопротивления. Этот режим позволяет быть фактически эквивалентным величинам задержки сигналов проверки, которые должны вводиться в выбирающие межсоединения, соответствующие смежным соединительным межсоединениям, и в первые межсоединения, соответствующие выбирающим межсоединениям, в процессе проверки в ходе изготовления и т.п. подложки активной матрицы. Тем самым могут обнаруживаться повреждения, которые, хотя и не приводят к разъединению, возникают в случаях, к примеру, когда ширина межсоединения является очень малой.

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором каждое из множества объединенных межсоединений обрезано. Этот режим приводит к электрическому отделению множества первых контактных выводов, к которым множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются от первого общего межсоединения и второго общего межсоединения.

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором первые межсоединения являются межсоединениями затвора, а вторые межсоединения являются межсоединениями истока. Здесь, в режиме, в котором количество первых межсоединений и количество вторых межсоединений взаимно отличается, например, короткие замыкания между межсоединениями затвора, которые имеют высокую частоту отказов, могут обнаруживаться, если первые межсоединения являются межсоединениями затвора, в случае, если имеется больше первых межсоединений, чем вторых межсоединений. Установка возбуждающей схемы (драйвера) для межсоединений затвора на дефектной подложке активной матрицы, в которой короткое замыкание возникает между межсоединениями затвора, тем самым может предотвращаться. Таким образом, дополнительные материальные затраты и эксплуатационные затраты могут уменьшаться. Следует отметить, что возбуждающая схема для межсоединений затвора имеет простую конфигурацию по сравнению с возбуждающей схемой для межсоединений истока, которая подает сигналы истока (видеосигналы), соответствующие множеству градаций. В случае, если имеется больше первых межсоединений, чем вторых межсоединений, для сокращения размера области размещения контактных выводов и уменьшения стоимости подложек активной матрицы первые межсоединения предпочтительно являются межсоединениями затвора, а вторые межсоединения предпочтительно являются межсоединениями истока.

В вариантах осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором первые межсоединения являются межсоединениями истока, а вторые межсоединения являются межсоединениями затвора. Этот режим обеспечивает проверку для коротких замыканий между межсоединениями истока. Таким образом, поскольку возбуждающая схема (драйвер) для межсоединений истока должна подавать сигналы истока (видеосигналы), соответствующие множеству градаций, конфигурация является сложной по сравнению с возбуждающей схемой (драйвером) для межсоединений затвора. Другими словами, возбуждающая схема для межсоединений истока является дорогой по сравнению с возбуждающей схемой для межсоединений затвора. Установка возбуждающей схемы (драйвера) для межсоединений истока на дефектной подложке активной матрицы, в которой короткое замыкание возникает между межсоединениями истока, тем самым может предотвращаться. Таким образом, дополнительные материальные затраты и эксплуатационные затраты могут уменьшаться.

В варианте осуществления настоящего изобретения предпочтительно осуществляется режим, в котором способ проверки подложки активной матрицы согласно вариантам осуществления настоящего изобретения или дисплейного устройства, содержащего подложку активной матрицы согласно вариантам осуществления настоящего изобретения, включает в себя процессы проверки третьих выбирающих межсоединений и четвертых выбирающих межсоединений посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение и обрезания множества объединенных межсоединений после процесса проверки. Этот режим обеспечивает возможность обнаружения коротких замыканий между смежными третьими выбирающими межсоединениями и коротких замыканий между смежными четвертыми выбирающими межсоединениями посредством ввода взаимно независимых сигналов проверки в первое общее межсоединение и второе общее межсоединение. Множество объединенных межсоединений затем обрезается в процессе обрезания. Первые контактные выводы, к которым множество третьих выбирающих межсоединений и множество четвертых выбирающих межсоединений, соответственно, подключаются, тем самым электрически отделяются из первого общего межсоединения и второго общего межсоединения.

Далее описаны варианты осуществления настоящего изобретения со ссылками на чертежи. На чертежах, упомянутых в дальнейшем в этом документе, тем не менее, для простоты описания, показаны в упрощенной форме, только главные элементы, необходимые для того, чтобы описать настоящее изобретение, из составляющих элементов вариантов осуществления настоящего изобретения. Соответственно, подложка активной матрицы согласно настоящему изобретению может содержать произвольные составляющие элементы, которые не показаны на чертежах, упомянутых в настоящем описании изобретения. Кроме того, размеры элементов на чертежах не предназначены для того, чтобы точно представлять фактические размеры составляющих элементов или размерные соотношения элементов.

Вышеуказанные первое и второе общие межсоединения описываются в настоящем варианте осуществления как первое проверочное межсоединение и второе проверочное межсоединение.

Первый вариант осуществления

Фиг. 1 изображает вид сверху, показывающий схематичную конфигурацию жидкокристаллической панели 1 согласно настоящему варианту осуществления. Как показано на фиг. 1, жидкокристаллическая панель 1 содержит подложку 2 активной матрицы и противоположную подложку 3, которая располагается напротив подложки 2 активной матрицы. Жидкокристаллический материал (не показан) удерживается между подложкой 2 активной матрицы и противоположной подложкой 3. Следует отметить, что слой цветных светофильтров, который включает в себя R (красные), G (зеленые) и B (синие) цветные светофильтры и черную матрицу, которая предотвращает попадание света между этими цветными светофильтрами, формируется на противоположной подложке 3 согласно настоящему варианту осуществления. Общие электроды формируются в слое цветных светофильтров.

Жидкокристаллическая панель 1 согласно настоящему варианту осуществления используется в электронном устройстве для мобильных терминалов, таком как, например, мобильный телефон, PDA (персональное цифровое устройство), PHS (система персональных мобильных телефонов) или HHT (карманный терминал). Кроме электронного устройства для мобильных терминалов, жидкокристаллическая панель 1 согласно настоящему варианту осуществления также используется в электронном устройстве, таком как игровой терминал, автомобильная навигационная система, персональный компьютер, телевизионный приемник, видеокамера или цифровая камера. Здесь, электронное устройство, содержащее жидкокристаллическую панель 1, является одним вариантом осуществления жидкокристаллического дисплейного устройства согласно настоящему изобретению. Следует отметить, что подложка 2 активной матрицы согласно настоящему варианту осуществления может быть предусмотрена в панели (дисплейном устройстве), отличной от жидкокристаллической панели 1, такой как дисплей с автоэлектронной эмиссией, плазменный дисплей, органический электролюминесцентный дисплей или неорганический электролюминесцентный дисплей.

Подложка 2 активной матрицы имеет область 4 отображения, область 5 размещения контактных выводов и область 6 периферийных межсоединений, которая находится за пределами области 4 отображения и окружает область 4 отображения. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, одна сторона жидкокристаллической панели 1 обозначается как первая сторона S₁ (нижняя сторона на фиг. 1), стороны слева и справа от данной первой стороны S₁ обозначаются, соответственно, как вторая сторона S₂ и третья сторона S₃, а сторона, располагающаяся напротив первой стороны S₁, обозначается как четвертая сторона S₄.

Здесь, как показано на фиг. 1, длина H второй стороны S₂ (третьей стороны S₃) подложки 2 активной матрицы превышает длину L второй стороны S₂ (третьей стороны S₃) противоположной подложки 3. В случае, если подложка 2 активной матрицы и противоположная подложка 3 склеиваются через жидкокристаллический материал (не показан), область 5 размещения контактных выводов подложки 2 активной матрицы размещается ближе в направлении первой стороны S₁, чем противоположная подложка 3.

Первые межсоединения 40₁-40₇ затвора, вторые межсоединения 41₁-41₇ затвора и межсоединения 42₁, 42₂, 42₃,...,42_i истока формируются в области 4 отображения. Здесь, первые межсоединения 40₁-40₇ затвора, соответственно, имеют входные концы 43₁-43₇ для стробирующих сигналов на одном конце. Кроме того, вторые межсоединения 41₁-41₇ затвора, соответственно, имеют входные концы 44₁-44₇ для стробирующих сигналов на противоположном конце. Дополнительно, межсоединения 42₁, 42₂, 42₃,...,42_i истока, соответственно, имеют входные концы 45₁, 45₂, 45₃,..., 45_i для сигналов истока на одном конце.

На фиг. 1 для простоты описания показано семь первых межсоединений 40₁-40₇ затвора и семь вторых межсоединений 41₁-41₇ затвора, но количество первых межсоединений затвора и вторых межсоединений затвора, которые должны формироваться в области 4 отображения, фактически превышает его. Количество первых межсоединений затвора и вторых межсоединений затвора, тем не менее, является произвольным и конкретно не ограничено.

Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе только в случае, если отдельные межсоединения должны различаться, описание приводится с присоединенными нижними индексами для различения отдельных межсоединений, например, таких как межсоединение 42₁ истока, а в случае, если отдельные межсоединения не должны конкретно различаться, либо в случае, если на межсоединения ссылаются совместно, приводится описание без присоединения нижних индексов, как, например, межсоединения 42 истока. Кроме того, в дальнейшем в этом документе в случаях, если первые межсоединения 40₁-40₇ затвора и вторые межсоединения 41₁-41₇ затвора необязательно должны различаться или упоминаются совместно, описание ссылается просто на межсоединения 40 и 41 затвора.

В настоящем варианте осуществления первые межсоединения 40₁-40₇ затвора и вторые межсоединения 41₁-41₇ затвора формируются в области 4 отображения попеременно в расчете на каждые межсоединения и так, чтобы быть параллельными друг другу. Таким образом, межсоединения 40 и 41 затвора формируются в области 4 отображения, чтобы размещаться от четвертой стороны S₄ в направлении первой стороны S₁ следующим образом: первое межсоединение 40₁ затвора, второе межсоединение 41₁ затвора, первое межсоединение 40₂ затвора, второе межсоединение 41₂ затвора, первое межсоединение 40₃ затвора, второе межсоединение 41₃ затвора и т.д. Межсоединения 42₁, 42₂, 42₃,...,42_i истока формируются в области 4 отображения параллельно друг другу и так, чтобы пересекать межсоединения 40 и 41 затвора.

В настоящем варианте осуществления межсоединения 42 истока формируются в области 4 отображения в расчете на RGB. Другими словами, межсоединения 42 истока для R, межсоединения 42 истока для G и межсоединения 42 истока для B формируются в области 4 отображения. В случае монохромной жидкокристаллической панели 1, тем не менее, настоящее изобретение не ограничено этим. Дополнительно, кроме межсоединений 40 и 41 затвора и межсоединений 42 истока, межсоединения накопительного конденсатора (не показаны) формируются в области 4 отображения. Межсоединения накопительного конденсатора формируются в области 4 отображения так, чтобы быть параллельными межсоединениям 40 и 41 затвора.

Следует отметить, что переключающие элементы, такие как TFT (тонкопленочные транзисторы) или MIM (структура "металл-диэлектрик-металл") (не показаны) и электроды элементов изображений (R, G или B) (не показаны), подключенные к этим переключающим элементам, формируются в пересекающихся частях межсоединений 40 и 41 затвора и межсоединений 42 истока.

Область 5 размещения контактных выводов является областью, в которой множество контактных выводов 51 затвора и множество контактных выводов 52 истока размещаются на подложке 2 активной матрицы. Драйвер или подложка на основе гибких межсоединений, снабженная драйвером, электрически подключена к контактным выводам 51 затвора и контактным выводам 52 истока в области 5 размещения контактных выводов. Контактные выводы 51 затвора тем самым являются контактными выводами, в которые стробирующие сигналы могут вводиться из драйвера. Контактные выводы 52 истока являются контактными выводами, в которые сигналы истока могут вводиться из драйвера. Следует отметить, что драйвер может подключаться в области 5 размещения контактных выводов посредством способа COG (для монтажа на стеклянную подложку).

Кроме того, подложка на основе гибких межсоединений, содержащая драйвер, может подключаться в области 5 размещения контактных выводов посредством способа TCP (ленточного кристаллоносителя). Следует отметить, что способ соединения конкретно не ограничен здесь.

Следует отметить, что фиг. 1 изображает пример, в котором один драйвер может быть расположен в области 5 размещения контактных выводов, но настоящее изобретение не ограничено этим. Например, посредством обеспечения множества областей 5 размещения контактных выводов на подложке 2 активной матрицы может быть осуществлена конфигурация, в которой множество драйверов может быть расположено в каждой из множества областей 5 размещения контактных выводов.

Расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₁-61₇ затвора (первые, выбирающие межсоединения), соответственно, соединяющие контактные выводы 51 затвора и входные концы 43₁-43₇ для стробирующих сигналов, предоставленных на одном конце первых межсоединений 40₁-40₇ затвора, формируются в области 6 периферийных межсоединений. Таким образом, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₁-61₇ затвора выбираются из входных концов 43₁-43₇ для стробирующих сигналов в направлении третьей стороны S₃, формируются в области 6 периферийных межсоединений вдоль третьей стороны S₃ и подключаются к контактным выводам 51 затвора.

Здесь, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₁-61₇ затвора включают в себя первые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₁, 61₃, 61₅ и 61₇ затвора (третьи выбирающие межсоединения) и вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₂, 61₄ и 61₆ затвора (четвертые выбирающие межсоединения). Первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 61₁, 61₃, 61₅ и 61₇ затвора являются выбирающими межсоединениями, сформированными в слое, идентичном слою, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, слой, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора, упоминается как "первый слой". Вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₂, 61₄ и 61₆ затвора являются выбирающими межсоединениями, из которых, по меньшей мере, часть формируется в слое, отличном от слоя (первого слоя), в котором межсоединения 40-41 затвора формируются с размещенным между ними изоляционным материалом. Следует отметить, что, в дальнейшем в этом документе, слой, отличный от слоя, в котором формируются межсоединения 40 и 41 затвора, упоминается как "второй слой". Другими словами, межсоединения 42 истока формируются во втором слое.

Здесь, вторые, расположенные с правой стороны выбирающие межсоединения 61₂, 61₄ и 61₆ затвора, соответственно, имеют первые соединительные части 62₂, 62₄ и 62₆ в слое межсоединений, сформированные рядом с входными концами 43₂, 43₄ и 43₆ для стробирующих сигналов, и вторые соединительные части 63₂, 63₄ и 63₆ в слое межсоединений, сформированные рядом с контактными выводами 51 затвора. В настоящем варианте осуществления межсоединение вторых, расположенных с правой стороны выбирающих межсоединений 61₂, 61₄ и 61₆ затвора между входными концами 43₂, 43₄ и 43₆ для стробирующих сигналов и первыми соединительными частями 62₂, 62₄ и 62₆ в слое межсоединений формируется в первом слое, межсоединение между первыми соединительными частями 62₂, 62₄ и 62₆ в слое межсоединений и вторыми соединительными частями 63₂, 63₄ и 63₆ в слое межсоединений формируется во втором слое и межсоединение между вторыми соединительными частями 63₂, 63₄ и 63₆ в слое межсоединений и контактными выводами 51 затвора формируется в первом слое. Таким образом, межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, соответственно, электрически подключены к первым соединительным частям 62₂, 62₄ и 62₆ в слое межсоединений и вторым соединительным частям 63₂, 63₄ и 63₆ в слое межсоединений.

Следует отметить, что относительно способа электрического подключения межсоединений, межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, могут непосредственно соединяться через контактные окна, сформированные в изоляционном материале, или межсоединение, сформированное в первом слое, и межсоединение, сформированное во втором слое, могут быть электрически подключены через электроды, дополнительно сформированные в отдельном слое. Таким образом, относительно способа электрического подключения межсоединения могут использоваться различные произвольные способы, причем способ конкретно не ограничен здесь. Кроме того, положения первых соединительных частей 62₂, 62₄ и 62₆ в слое межсоединений и вторых соединительных частей 63₂, 63₄ и 63₆ в слое межсоединений являются произвольными и не ограничиваются положениями, показанными на фиг. 1.

Фиг. 2 изображает поперечный разрез по линии a-a' на фиг. 1. Как показано на фиг. 2, первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 61₁, 61₃, 61₅ и 61₇ затвора формируются как первый слой на подложке 2 активной матрицы. Изолирующая пленка (изоляционный материал) 7 формируется на подложке 2 активной матрицы, чтобы покрывать первые, расположенные с правой стороны, выбирающие межсоединения 61₁, 61₃, 61₅ и 61₇ затвора. Вторые, расположенные с правой стороны, выбирающ