Способ получения безводных галогенидов редкоземельных элементов

Способ получения безводных галогенидов редкоземельных элементов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл, 12m, 17/00

Заявлено 08.VIII.1963 (№ 851653/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК С Olf

УДК 546.65 13.05 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 18Л 11.1969. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 17.ХI 1969

Авторы изобретения Г. Е. Ревзин, В. Д. Замедянская, С. А. Кутолин и A. И. Вулих

Заявитель

f18 -::íò .î-т:". .нсьахад библиотща М5

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БЕЗВОДНЫХ ГАЛОГЕНИДОВ

РЕДКОЗЕМЕЛЪНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к способам получения безводных галогенидов редкоземельных элементов, в особенности их хлоридов, используемых, например, в металлургии редкозем ел ьных элементов.

При известном получении безводных галогенидов редкоземельных элементов, например хлоридов лантана и празеодима, из их кристаллогидратов путем перевода последних в спиртосольваты с последующим термическим разложением продукта при температуре до

280 С и атмосферном давлении не удается выделить конечный продукт нужной степени чистоты и с приемлемым выходом: последний представляет собой смесь безводного хлорида редкоземельного элемента с оксихлоридом и окислом.

Это обстоятельство определяет основной недостаток описанного способа.

Цель предлагаемого способа — устранение вышеуказанного недостатка.

Для этого разложение ведут под вакуумом при температуре 150 †1 С. Вакуум целесообразно поддерживать до остаточного давления 10 в — 10 а мл рт, ст.

При осуществлении способа получают безводные галогениды редкоземельных элементов с высоким выходом (97 — 99%) и высокой степенью чистоты. содержание в них примесей, например оксихлоридов, составляет менее 05%.

Пример 1. 50 г окиси празеодима (Ргс01т) растворяют при нагревании в соляной кислоте и раствор упаривают досуха.

Полученный кристаллогидрат растворяют при перемешивании в 500 мл 95%-ного этилового спирта-ректификата, добавляют 250 мл бензола и реакционную смесь перегоняют на во10 дяной бане, периодически добавляя в нее по мере отгонки еще 350 лтл бензола. По окончании отгонки растворителя к системе подводят вакуум, заменяют водяную баню на глицериновую и ведут вакуумтермическое разложение спиртосольвата при температуре 180 С и остаточном давлении 10 з лтм рт. ст. в течение 2 час.

Получают 71,5 г безводного хлористого пра. зеодима, что составляет 98,3% от теоретиче20 ского.

Вычислено, %: Рг 57,0; CI 43,0; атомное отношение Cl: Pr; нерастворимого остатка

РгОС! нет.

Найдено, %: Pr 57,1; Cl 42,6; Cl: Pr 2,98;

25 нерастворимый остаток 0,3.

Пример 2. 10 г кристаллогидрата хлористого лантана растворяют при перемешивании в 35 лтл 95%-ного этилового спирта-ректификата, к раствору добавляют 15 мл бензола и

3о смесь помещают в колбу перегонного àïïàрата. Отгоняют растворитель на водяной бане, добавляя по мере отгонки еще 35 мл бензола.

Затем заменяют водяную баню на глицериновую и ведут вакуумтермическое разложение спиртосольвата при температуре 150 С и остаточном давлении 10 з мм рт. ст. в течение 1 час.

Получают 6,59 г безводного хлористого лантана, что составляет 99,8% от теоретического.

Вычислено, о/о: Là 5664 Cl 4336 атомное отношение Cl:1 а 3; нерастворимого остатка

LaOC1 нет.

Найдено, о/о: Ьа 56,6; Сl 43,3; атомное отношение Cl: Ьа 3,0; нерастворимый остаток 0,01.

Предмет изобретения

1. Способ получения безводных галогенидов редкоземельных элементов, например хлоридов лантана и празеодима, из их кристаллогидратов путем перевода последних в спиртосольваты с последующим термическим разложением их, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода и степени чистоты конеч1о ного продукта, процесс разложения ведут под вакуумом при температуре 150 †1 C.

2, Способ по п. 1, отличающийся тем, что вакуум поддерживают до остаточного давления 10 2 — 10 з мм рт. ст.

Составитель 8, Заабедив

Редактор Л. Герасимова Техред А. А. Камышннкова Корректор О. И. Усова

Заказ 3426/4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2