Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком нолунроводниковой пластины

Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком нолунроводниковой пластины

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

248806

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Кл. 21а, 75

Заявлено 26.11.1968 (№ 1221211/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32

Дата опубликования описания 5.III.1970

МПК H 05k

УДК 621.3.049.75:774 (088.8) Комитет по делам ивобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. А. Гаврилкин и Я. И. Точицкий

Заявитель

СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА

С РИСУНКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ

Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанные на совмещении штриховых знаков.

Цель изобретения — повысить точность совмещения на всех стадиях изготовления интегральных схем.

Достигается это тем, что в толще полупроводниковой, пластины получают штриховой знак, который в прямом отраженном свете имеет вид темного штриха более широкого, чем штриховой знак фотошаблона, а совмещают указанные штрихи при |помощи биссектора.

На чертеже показана, последовательность операций при осуществлении описываемого способа.

Штриховой знак 1 фотошаблона 2 экспонируют на полупроводниковую .пластину 8, покрытую слоем 4,фоторезиста и слоем 5 двуокиси кремния. Загем вытравливают окно б (фиг. 2) в,слое 5 и проводят глубинное травление в материале полупроводниковой пластины 8, получая глубинный штриховой знак (фиг. 3), ширина которого превышает ширину штрихового знака фотошаблона в два-четыре раза и имеет в сечении полуцилиндрическую форму. При освещении знака 7 коллимированным световым пучком в прямом отраженном свете такой глубинный знак дает изображение в виде контрастного темного штриха 8 (фпг.4) с узкой светлой полоской 9 в середине его, обусловленной зеркальным отражением светово;о потока or дна канавки глубинного знака 7 и попадающего во входной зрачок микроскопа.

Изображение этого знака имеет контрастные темные края, обусловленные косым отра10 жением световых лучей, не |попадающих во входной зрачок объектива микроскопа.

При наложении фотошаблона 2 на полупроводниковую пластину 8 в прямом отраженном свете образуется совместное изображение глу15 бинного штрихового знака на полупроводниковой |пластине 8 и штрихового знака на фотошаблоне 10.

Подобная система знаков приводит к обра20 зованию структуры биссектора, позволяющего совмещать оси указанных знаков как Визуальным опособом с применением микроскопа— путем симметричного выравнивания зазоров между контурами штриховых знаков, так и

25 объективным фотоэлектрическим способом— гутем анализа соотношения световых потоков

GT участков, ограниченных контурами IIITpltYoвых знаков фотошаблона и полупроводниковой пластины B совместном изображении указан30 ных знаков.

248806

Способ .совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанньш на совмещении штриховых знаков, отличающийся тем, что, с целью повышения точности совмещения на всех стадиях изготов5

Редактор Э. Рубан Техред 3. Н, Тараненко

Корректор Г. П. Шильман

Заказ 417/5 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4(5

Типография, пр. Сапунова, 2

Предмет изобретения ления интегральных схем, в толще полупроводниковой пластины получают, например, методом травления, штриховой знак, имеющий в прямом отраженном свете изображение в виде

5 темного штриха, ширина которого больше ширины штрихового знака фотошаблона, а совмещают указанные, штрихи посредством биссектор а.