Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник

Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, включающей в себя множество электродов пикселя в области пикселя, и к жидкокристаллическому устройству отображения (режим разделения пикселя), в котором используется подложка активной матрицы.

Уровень техники

В качестве меры для улучшения зависимости от угла обзора гамма-характеристик в жидкокристаллических устройствах отображения (например, сдерживания излишней яркости и т.п. экрана), было предложено жидкокристаллическое устройство отображения, которое управляет множеством подпикселей в пикселе так, что они имеют разную яркость, так что обеспечивается возможность отображения полутонов путем модуляции этих подпикселей по площади (режим разделения пикселей; например, см. Патентную литературу 1).

Подложка активной матрицы, раскрытая в Патентной литературе 1 (см. фиг.36), имеет два электрода 190а и 190b пикселя, расположенные в области пикселя; электрод 178 истока транзистора соединен с линией 171 данных, а электрод 175 стока соединен с электродом 190а пикселя через контактное отверстие 185. Кроме того, соединительный электрод 176 соединен с электродом 175 стока транзистора через удлинитель 177. Кроме того, соединительный электрод 176 и электрод 190b пикселя перекрывают друг друга, и конденсатор связи образуется на этой перекрываемой части (режим разделения пикселя с емкостной связью).

Жидкокристаллическое устройство отображения, в котором используется такая подложка активной матрицы, позволяет сделать подпиксели, смежные с электродом 190а пикселя, яркими подпикселями, а подпиксели, смежные с электродом 190b пикселя, темными подпикселями. Таким образом, можно отображать полутон, используя модуляцию по площади этих ярких подпикселей и темных подпикселей.

Список литературы

Патентная литература

Патентная литература 1

Публикация заявки на японский патент, Tokukai, №2006-221174 (дата публикации: 24 августа 2006 г.).

Раскрытие изобретения

Техническая задача

Однако, при использовании описанной выше подложки активной матрицы, конденсатор связи формируется в части, где электрод 190b пикселя и соединительный электрод 176 перекрывают друг друга. Следовательно, для получения достаточной емкости связи соединительный электрод 176 должен иметь большую площадь, в результате чего снижается апертура.

Цель настоящего изобретения состоит в увеличении апертуры подложки активной матрицы в режиме разделения пикселя с емкостной связью.

Решение задачи

Подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя: линию сигнала данных; первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя, второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с образованием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, а второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с образованием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.

В соответствии с такой конфигурацией, два конденсатора связи (конденсатор, сформированный между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и конденсатор, сформированный между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя), сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно для обеспечения соединения первого и второго электродов пикселя через два включенных параллельно конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади, занимаемой вторым электродом конденсатора, без изменения емкости связи и увеличить емкость связи, без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).

В этом случае, второй электрод пикселя и первый электрод конденсатора могут быть соединены через контактное отверстие, выполненное через первую изолирующую пленку и вторую изолирующую пленку. Кроме того, конфигурация может быть такой, что транзистор имеет проводящий электрод, через который транзистор соединен с первым электродом пикселя через контактное отверстие, а первый электрод пикселя соединен со вторым электродом конденсатора через контактное отверстие, отличающееся от контактного отверстия, соединяющего проводящий электрод транзистора и первый электрод пикселя.

Кроме того, подложка активной матрицы в соответствии с настоящим изобретением включает в себя: линию сигнала данных; первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя, второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и первый электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя.

В соответствии с этой конфигурацией, два конденсатора связи (конденсатор, сформированный между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и конденсатор, сформированный между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя) сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно для обеспечения соединения первого и второго электродов пикселя через включенные параллельно два конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади второго электрода конденсатора без изменения емкости связи, и увеличить емкость связи без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).

В этом случае первый электрод пикселя и первый электрод конденсатора могут быть соединены через контактное отверстие, выполненное через первую изолирующую пленку и вторую изолирующую пленку.

В настоящей подложке активной матрицы первый электрод конденсатора находится в том же слое, что и линия сигнала развертки. Кроме того, второй электрод конденсатора может находиться в том же слое, что и линия сигнала данных.

В настоящей подложке активной матрицы вторая изолирующая пленка может быть выполнена так, что ее толщина не больше толщины первой изолирующей пленки. Кроме того, первая изолирующая пленка может представлять собой изолирующую пленку затвора. Кроме того, вторая изолирующая пленка может представлять собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора.

Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена так, что первый электрод конденсатора имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и второй электрод конденсатора также имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и на виде сверху в перспективе подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны от соответствующих краев второго электрода конденсатора.

Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена таким образом, что первый электрод конденсатора имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и второй электрод конденсатора также имеет два края, проходящие параллельно друг другу, и на виде сверху в перспективе подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны от соответствующих краев первого электрода конденсатора.

Настоящая подложка активной матрицы может быть выполнена так, что она дополнительно включает в себя провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.

Настоящая подложка активной матрицы включает в себя: первую изолирующую пленку; вторую изолирующую пленку; транзистор; первый электрод пикселя, электрически соединенный с транзистором; второй электрод пикселя; первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя; и второй электрод конденсатора, электрически соединенный с транзистором, при этом второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя; второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.

Описанная выше конфигурация может дополнительно включать в себя: третий электрод конденсатора, соединенный со вторым электродом конденсатора, в том же слое, что и второй электрод конденсатора; и провод накопительного конденсатора, формирующий конденсатор с третьим электродом конденсатора.

Настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя подложку активной матрицы. Кроме того, настоящая жидкокристаллическая панель может быть выполнена так, что она включает в себя: подложку активной матрицы; и противоположную подложку, имеющую линейный выступ для контроля выравнивания, который расположен таким образом, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под этим линейным выступом. Кроме того, настоящая жидкокристаллическая панель может быть выполнена так, что она включает в себя подложку активной матрицы; и противоположную подложку, включающую в себя общий электрод (противоположный электрод), который содержит прорезь для контроля выравнивания, расположенную так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под этой прорезью.

Настоящий модуль жидкокристаллического дисплея включает в себя: жидкокристаллическую панель и модуль возбуждения. Кроме того, настоящее жидкокристаллическое устройство отображения включает в себя модуль жидкокристаллического дисплея; и модуль источника света. Кроме того, телевизионный приемник включает в себя жидкокристаллическое устройство отображения и блок тюнера, выполненный с возможностью приема телевизионной широковещательной передачи.

Полезные результаты изобретения

Как описано выше, в соответствии с настоящей подложкой активной матрицы, два конденсатора связи сформированы в направлении толщины подложки, и эти два конденсатора связи включены параллельно, обеспечивая связь между первым и вторым электродами пикселя через включенные параллельно два конденсатора связи. В результате можно увеличить апертуру путем уменьшения площади, занимаемой вторым электродом конденсатора, без изменения емкости связи и увеличить емкость связи без изменения площади второго электрода конденсатора (то есть без изменения апертуры).

Краткое описание чертежей

На фиг.1 показан вид сверху, иллюстрирующий один пример конфигурации настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.2 показана эквивалентная схема настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.3 показан вид в разрезе по линии X-Y жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.

На фиг.4 показана временная диаграмма, иллюстрирующая способ возбуждения жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя жидкокристаллическую панель, представленную на фиг.1.

На фиг.5 показан схематичный вид, иллюстрирующий покадровое состояние отображения в случае, когда используется способ возбуждения, показанный на фиг.4.

На фиг.6 показан вид сверху, иллюстрирующий, как скорректировать жидкокристаллическую панель, представленную на фиг.1.

На фиг.7 показан вид в разрезе по линии X-Y жидкокристаллической панели, представленной на фиг.6.

На фиг.8 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.

На фиг.9 показан вид сверху, иллюстрирующий другую конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.10 показан вид в разрезе, иллюстрирующий жидкокристаллическую панель по фиг.9.

На фиг.11 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.9.

На фиг.12 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели, представленной на фиг.11.

На фиг.13 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.11.

На фиг.14 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по фиг.13.

На фиг.15 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.

На фиг.16 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.

На фиг.17 показан вид сверху еще одной модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.1.

На фиг.18 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.

На фиг.19 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.15.

На фиг.20 показан вид сверху еще одной модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.8.

На фиг.21 показан вид сверху модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.20.

На фиг.22 показан вид сверху другой модификации жидкокристаллической панели, представленной на фиг.9.

На фиг.23 показан вид сверху, иллюстрирующий еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.24 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.23.

На фиг.25 показан вид сверху, иллюстрирующий другую модификацию жидкокристаллической панели, представленной на фиг.23.

На фиг.26 показана эквивалентная схема, иллюстрирующая еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.27 показан вид сверху, в частности, иллюстрирующий пример жидкокристаллической панели, представленной на фиг.26.

На фиг.28 схематично показан вид, иллюстрирующий состояние отображения полутона жидкокристаллическим устройством отображения, включающим в себя жидкокристаллическую панель по фиг.26.

На фиг.29 (а) схематично представлен вид, иллюстрирующий конфигурацию настоящего жидкокристаллического модуля отображения, и (b) схематично показан вид, иллюстрирующий конфигурацию настоящего жидкокристаллического устройства отображения.

На фиг.30 показана блок-схема, иллюстрирующая общую конфигурацию настоящего жидкокристаллического устройства отображения.

На фиг.31 показана блок-схема, иллюстрирующая функции настоящего жидкокристаллического устройства отображения.

На фиг.32 показана блок-схема, иллюстрирующая функции настоящего телевизионного приемника.

На фиг.33 показан вид в перспективе с покомпонетным представлением деталей, иллюстрирующий конфигурацию настоящего телевизионного приемника.

На фиг.34 показан вид сверху, иллюстрирующий еще одну конфигурацию настоящей жидкокристаллической панели.

На фиг.35 показан вид в разрезе жидкокристаллической панели по фиг.34.

На фиг.36 показан вид сверху, иллюстрирующий конфигурацию обычной жидкокристаллической панели.

Осуществление изобретения

Один вариант осуществления в соответствии с настоящим изобретением будет описан ниже, со ссылкой на фиг.1-35. Для простоты пояснения, направление, в котором проходит линия сигнала развертки, обозначено как направление строки. Однако само собой разумеется, что линия сигнала развертки может проходить в горизонтальном направлении или в вертикальном направлении в используемом (просматриваемом) состоянии жидкокристаллического устройства отображения, включающего в себя настоящую жидкокристаллическую панель (или подложку активной матрицы, используемую в нем). Следует отметить, что каждый из чертежей жидкокристаллической панели представлен с соответствующим исключением структур управления выравниванием (например, прорезей, предусмотренных в электроде пикселя подложки активной матрицы, и ребер, сформированных на подложке цветного фильтра).

На фиг.2 показана эквивалентная схема одной части жидкокристаллической панели в соответствии с настоящим вариантом осуществления (например, в нормально черном режиме). Как показано на фиг.2, настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя: линии 15х и 15y сигнала данных, которые проходят в направлении столбца (вертикальное направление на фиг.2); линии 16х и 16у сигнала развертки, которые проходят в направлении строки (горизонтальное направление на фиг.2); пиксели (101-104), которые выровнены в направлениях столбца и строки; линии 18р и 18q накопительных конденсаторов; и общий электрод (противоэлектрод) com. Конфигурации пикселей идентичны друг другу. Следует отметить, что столбец пикселей, включающий в себя пиксели 101 и 102, расположен смежно со столбцом пикселей, включающим в себя пиксели 103 и 104, а строка пикселей, включающая в себя пиксели 101 и 103, расположена смежно со строкой пикселей, включающей в себя пиксели 102 и 104.

В настоящей жидкокристаллической панели один пиксель связан с одной линией сигнала данных, одной линией сигнала развертки и одним проводом накопительного конденсатора. Кроме того, один пиксель включает в себя два электрода пикселя, которые выровнены друг относительно друга в направлении столбца.

Например, в пикселе 101, электрод 17а пикселя соединен с линией 15х сигнала данных через транзистор 12а, который соединен с линией 16х сигнала развертки, а электрод 17а пикселя соединен с электродом 17b пикселя через конденсаторы Cab1 и Cab2 связи. Накопительный конденсатор Cha сформирован между электродом 17а пикселя и проводом 18р накопительных конденсаторов, а накопительный конденсатор Chb сформирован между электродом 17b пикселя и проводом 18р накопительных конденсаторов. Жидкокристаллический конденсатор Сlа сформирован между электродом 17а пикселя и общим электродом com, а жидкокристаллический конденсатор Clb сформирован между электродом 17b пикселя и общим электродом com. Следует отметить, что конденсаторы Cab1 и Cab2 связи включены параллельно.

В жидкокристаллическом устройстве отображения, включающем в себя настоящую жидкокристаллическую панель, когда выбрана линия 16х сигнала развертки, электрод 17а пикселя соединен с линией 15х сигнала данных (через транзистор 12а). Поскольку электрод 17а пикселя соединен с электродом 17b пикселя через конденсаторы Cab1 и Cab2 связи, то |Va|>|Vb|, где Va представляет собой электрический потенциал электрода 17а пикселя, после которого транзистор 12а переключается в состояние ВЫКЛЮЧЕНО, а Vb представляет собой электрический потенциал электрода 17b пикселя, после которого транзистор 12а переключается в состояние ВЫКЛЮЧЕНО (следует отметить, что |Vb|, например, обозначает разность электрических потенциалов между Vb и электрическим потенциалом corn (=Vcom)). В результате, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя, становится ярким подпикселем, а подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя, становится темным подпикселем, что позволяет отображать полутона с помощью модуляции по площади этих ярких подпикселей и темных подпикселей. Следовательно, можно улучшить характеристики угла обзора для настоящего жидкокристаллического устройства отображения.

На фиг.1 иллюстрируется частный пример пикселя 101, показанного на фиг.2. Для простоты представления на фиг.1 приведены только элементы подложки активной матрицы, а элементы подложки цветного фильтра (против подложки) не представлены на чертеже. Как показано на фиг.1, транзистор 12а расположен вблизи места пересечения линии 15х сигнала данных и линии 16х сигнала развертки; электрод 8 истока транзистора 12а соединен с линией 15х сигнала данных, линия 16х сигнала развертки также используется как электрод затвора транзистора 12а, а электрод 9 стока транзистора 12а соединен с вытянутым электродом 27 стока. В области пикселя, отделенной двумя линиями (15х и 16х) сигнала, электрод 17а пикселя (первый электрод пикселя), расположенный ближе к транзистору 12а, и электрод 17b пикселя (второй электрод пикселя) выровнены относительно друг друга в направлении столбца.

Кроме того, вытянутый электрод 27 стока соединен с электродом 17а пикселя через контактное отверстие 11а, а также соединен с электродом 37 конденсатора верхнего слоя (вторым электродом конденсатора) в том же слое. Электрод 37 конденсатора верхнего слоя продолжается до места, где электрод 17b пикселя прерывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, электрод 77 конденсатора нижнего слоя (первый электрод конденсатора) расположен так, что его перекрывает электрод 17b пикселя и электрод 37 конденсатора верхнего слоя, при этом электрод 77 конденсатора нижнего слоя соединен с электродом 17b пикселя через контактное отверстие 11f. Следует отметить, что два края электрода 37 конденсатора верхнего слоя расположены ниже электрода 17b пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца, и два края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены ниже электрода 17b пикселя, и эти края проходят вдоль направления столбца. На виде сверху в перспективе оба края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренних сторон соответствующих краев электрода 37 конденсатора верхнего слоя.

В данном варианте осуществления электрод 77 конденсатора нижнего слоя расположен в том же слое, что и линия 16х сигнала развертки, а электрод 37 конденсатора верхнего слоя расположен в том же слое, что и линия 15х сигнала данных. На участке, где электрод 77 конденсатора нижнего слоя, электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 17b пикселя перекрывают друг друга, изолирующая пленка затвора расположена между электродом конденсатора 77 нижнего слоя и электродом 37 конденсатора верхнего слоя, и межслойная изолирующая пленка расположена между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя. В результате, конденсатор Cab1 связи (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя, а конденсатор Cab2 связи (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя.

Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов расположен так, что он пересекает область пикселя. Электрод 17а пикселя и электрод 17b пикселя перекрывают провод 18р накопительных конденсаторов так, что изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя или электродом 17b пикселя. В результате, накопительный конденсатор Cha (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17а пикселя перекрывает провод 18р накопительных конденсаторов, и накопительный конденсатор Chb (см. фиг.2) формируется на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает провод 18р накопительного конденсатора.

На фиг.3 показан вид в разрезе по линии X-Y на фиг.1. Как представлено на фиг.3, настоящая жидкокристаллическая панель включает в себя подложку 3 активной матрицы, подложку 30 цветного фильтра, обращенную к подложке активной матрицы 3, и слой 40 жидких кристаллов, расположенный между этими двумя подложками (3 и 30). Подложка 3 активной матрицы содержит линию 16х сигнала развертки, провод 18р накопительных конденсаторов и электрод 77 конденсатора нижнего слоя, расположенные на стеклянной подложке 31, и на этих элементах изолирующая пленка 22 затвора расположена так, что она покрывает эти элементы. Вытянутый электрод 27 стока и электрод 37 конденсатора верхнего слоя расположены в слое выше изолирующей пленки 22 затвора. Хотя они не показаны на виде в разрезе, полупроводниковый слой (слой i и слой n+), электрод 8 истока и электрод 9 стока, которые находятся в контакте со слоем n+, и линия 15х сигнала данных сформированы в слое выше изолирующей пленки 22 затвора. Кроме того, межслойная изолирующая пленка 25 (неорганическая межслойная изолирующая пленка) выполнена так, что она покрывает этот металлический слой. Электроды 17а и 17b пикселя выполнены на межслойной изолирующей пленке 25, и выравнивающая пленка 7 выполнена так, что она покрывает эти электроды пикселя. В контактном отверстии 11a межслойная изолирующая пленка 25 выполнена со сквозным отверстием через нее, что позволяет соединять электрод 17а пикселя с электродом 37 конденсатора верхнего слоя. Кроме того, в контактном отверстии 11f изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 выполнены со сквозным отверстием через них, обеспечивая, таким образом, возможность соединения электрода 17b пикселя с электродом 77 конденсатора нижнего слоя.

В варианте осуществления электрод 77 конденсатора нижнего слоя накладывается на электрод 37 конденсатора верхнего слоя так, что изолирующая пленка 22 затвора расположена между электродом 77 конденсатора нижнего слоя и электродом 37 конденсатора верхнего слоя, и конденсатор Cab1 связи (см. фиг.2) образуется на этом (77, 37) перекрытии. Кроме того, электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 17b пикселя так, что межслойная изолирующая пленка 25 расположена между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя, и конденсатор Cab2 связи (см. фиг.2) образуется на этом участке (37, 17b) перекрытия. Кроме того, провод 18р накопительных конденсаторов перекрыт электродом 17а пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17а пикселя; в результате чего на этом участке (18р, 17а) перекрытия образуется накопительный конденсатор Cha (см. фиг.2). Аналогично, провод 18р накопительных конденсаторов перекрыт электродом 17b пикселя так, что изолирующая пленка 22 затвора и межслойная изолирующая пленка 25 расположены между проводом 18р накопительных конденсаторов и электродом 17b пикселя, в результате чего накопительный конденсатор Chb (см. фиг.2) образуется на этом участке (18р, 17b) перекрытия.

Материал и толщина изолирующей пленки 22 затвора, и материал и толщина межслойной изолирующей пленки 25 определяются с учетом (i) функций изолирующей пленки 22 затвора, в качестве изолирующей пленки затвора, (ii) функций межслойной изолирующей пленки 25, как защитной пленки канала транзистора, и, дополнительно, с учетом (in) требуемой емкости связи. В варианте осуществления используется нитрид кремния (SiNx) для каждой из изолирующей пленки 22 затвора и межслойной изолирующей пленки 25, и межслойная изолирующая пленка 25 образована более тонкой, чем изолирующая пленка 22 затвора.

В то же время подложка 30 цветного фильтра имеет цветной слой (слой цветного фильтра) 14, расположенный на стеклянной подложке 32, и общий электрод (com) 28 расположен в слое выше цветного слоя 14. Кроме того, выравнивающая пленка 19 образована на общем электроде 28 так, что она покрывает общий электрод 28.

На фиг.4 показана временная диаграмма, иллюстрирующая способ возбуждения настоящего жидкокристаллического устройства отображения (жидкокристаллическое устройство отображения с нормально черным режимом), включающего в себя панель, представленную на фиг.1 и 2. Sv и SV представляют собой электрические потенциалы сигнала, которые подают в линии 15х и 15y сигнала данных (см. фиг.2), соответственно; Gx и Gy представляют собой сигналы импульса включения затвора, которые подают в линии 16х и 16у сигнала развертки, соответственно; Va-Vd представляют собой электрические потенциалы электродов 17а-17d пикселя, соответственно; а VA и АВ представляют собой электрические потенциалы электродов 17А и 17В пикселя, соответственно.

Как показано на фиг.4, в таком способе возбуждения линии сигнала развертки последовательно выбирают для (i) инверсии полярности электрического потенциала сигнала, подаваемого в линии сигнала данных за один период (1Н) горизонтальной развертки, и (ii) инверсии полярности электрического потенциала сигнала, который подают в каждый из периодов горизонтальной развертки, имеющий идентичный обычный порядковый номер в соответствующих кадрах для модулей размером в один кадр. Кроме того, электрические потенциалы сигнала противоположных полярностей подают в две соседние линии сигнала данных в один идентичный период горизонтальной развертки.

Более конкретно, в случае последовательных кадров F1 и F2, в F1 последовательно выбирают линию сигнала развертки; в одну из двух смежных линий сигнала данных подают электрический потенциал сигнала с положительной полярностью в первый период горизонтальной развертки (например, включающий в себя период записи электрода 17а пикселя), и электрический потенциал сигнала с отрицательной полярностью подают во второй период горизонтальной развертки; в другую одну из двух линий сигнала данных электрический потенциал сигнала с отрицательной полярностью подают в первый период горизонтальной развертки, и электрический потенциал сигнала положительной полярности подают во второй период горизонтальной развертки. В результате, |Va|>|Vb| и |Vc|>|Vd|, как показано на фиг.4; например, подпиксель, включающий в себя электрод пикселя 17а (положительной полярности) становится ярким подпикселем (ниже, "яркий"), подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (положительной полярности) становится темным подпикселем (ниже, "темный"), подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (отрицательной полярности) становится "ярким", и подпиксель, включающий в себя электрод 17d пикселя (отрицательной полярности) становится "темным". В целом, подпиксели становятся такими, как показано в позиции (а) на фиг.5.

Кроме того, в момент времени F2 последовательно выбирают линию сигнала развертки; в одну из двух соседних линий сигнала данных подают сигнал в виде электрического потенциала отрицательной полярности в первый период горизонтальной развертки (например, включающий в себя период записи электрода 17а пикселя), и электрический потенциал сигнала положительной полярности подают во второй период горизонтальной развертки; в другую из двух линий сигнала данных электрический потенциал сигнала положительной полярности подают в первый период горизонтальной развертки, и электрический потенциал сигнала отрицательной полярности подают во второй период горизонтальной развертки. В результате, |Va|>|Vb| и |Vc[>|Vd|, как представлено на фиг.4; например, подпиксель, включающий в себя электрод 17а пикселя (отрицательной полярности) становится "ярким", подпиксель, включающий в себя электрод 17b пикселя (отрицательной полярности) становится "темным", подпиксель, включающий в себя электрод 17с пикселя (положительной полярности) становится "ярким", и подпиксель, включающий в себя электрод 17d пикселя (положительной полярности) становится "темным". В целом, подпиксели становятся такими, как показано в позиции (b) на фиг.5.

Хотя структура управления выравниванием не показана на фиг.1 и 3, например, в жидкокристаллической панели в режиме MVA (многодоменное вертикальное выравнивание), прорези для управления выравниванием предусмотрены на каждом из электродов пикселей подложки активной матрицы, и ребра для управления выравниванием предусмотрены на подложке с цветными фильтрами. Вместо ребра на общем электроде подложки цветного фильтра может быть предусмотрена прорезь для управления выравниванием.

Жидкокристаллическая панель, показанная на фиг.1, имеет конденсатор Cab1 связи (конденсатор связи на участке, где электрод 37 конденсатора верхнего слоя перекрывает электрод 77 конденсатора нижнего слоя) и конденсатор Cab2 связи (конденсатор связи на участке, где электрод 17b пикселя перекрывает электрод 37 конденсатора верхнего слоя), образованные в направлении толщины подложки, причем конденсаторы Cab1 и Cab2 связи включены параллельно. Это позволяет соединять электроды 17а и 17b пикселя через параллельно включенные конденсаторы Cab1 и Cab2 связи. В результате, становится возможным увеличить апертуру путем уменьшения площади электрода 37 конденсатора верхнего слоя без изменения емкости связи, и увеличить емкость связи без изменения площади электрода 37 конденсатора верхнего слоя (без изменения апертуры).

Кроме того, в настоящей жидкокристаллической панели нитрид кремния (SiNx) используется для каждой из изолирующей пленки 22 затвора и межслойной изолирующей пленки 25, и межслойную изолирующую пленку 25 формируют более тонкой, чем изолирующая пленка 22 затвора. Толщина изолирующей пленки 22 затвора значительно влияет на свойства транзистора, и при этом нежелательно в значительной степени изменять ее толщину для достижения эффекта увеличения апертуры или увеличения емкости связи. С другой стороны, толщина межслойной изолирующей пленки 25 (пленка защиты канала) относительно мало влияет на свойства транзистора. Следовательно, для улучшения описанного выше эффекта, при сохранении свойств транзистора предпочтительно уменьшить толщину межслойной изолирующей пленки 25, и предпочтительно, как и в настоящей жидкокристаллической панели, сделать толщину межслойной изолирующей пленки 25 более тонкой, чем толщина изолирующей пленки 22.

Кроме того, поскольку оба края электрода 77 конденсатора нижнего слоя расположены с внутренней стороны соответствующих краев электрода 37 конденсатора верхнего слоя на виде сверху в перспективе настоящей жидкокристаллической панели, емкость связи вряд ли изменится, даже если выравнивание электрода 77 конденсатора нижнего слоя или электрода 37 конденсатора верхнего слоя будет сдвинуто в направлении строки (устойчивость в отношении сдвига выравнивания). С учетом устойчивости к сдвигу выравнивания оба края электрода конденсатора 37 верхнего слоя могут быть расположены с внутренних сторон соответствующих краев электрода 77 конденсатора нижнего слоя. Однако, как показано на фиг.1, в результате того, что электрод 37 конденсатора верхнего слоя имеет большую ширину и электрод 37 конденсатора верхнего слоя образует конденсатор связи как с электродом 77 конденсатора нижнего слоя, так и с электродом 17b пикселя, можно улучшить такие эффекты, как увеличение апертуры или еще большее увеличение емкости связи.

Если электрод 37 конденсатора верхнего слоя и электрод 77 конденсатора нижнего слоя замкнуть накоротко на фиг.1 и 3, электрод 17а пикселя и электрод 17b пикселя также будут короткозамкнуты. Однако в таком случае можно исправить это короткое замыкание с сохранением конденсатора Cab2 связи (конденсатора связи между электродом 37 конденсатора верхнего слоя и электродом 17b пикселя) путем обрезки для удаления части электрода 17b пикселя, причем эта часть расположена внутри контактного отверстия 11f.

Ниже описан способ изготовления настоящей жидкокристаллической панели. Способ изготовления жидкокристаллической панели включает в себя этап изготовления подложки активной матрицы, этап изготовления подложки цветного фильтра и этап сборки путем соединения двух подложек вместе и заполнения жидким кристаллом пространства между двумя подложками.

Вначале на подложке, изготовленной из стекла, пластика или тому подобного, формируют металлическую пленку из титана, хрома, алюминия, молибдена, тантала, вольфрама, меди или подобного металла, или пленку из сплава этих металлов, или ламинированную пленку из этих металлов (толщиной от 1000 до 3000 Å) путем напыления, и после этого формируют структуру, используя фотолитографическую технологию (процесс фотогравировки, называемый "технологией PEP"), для формирования линии сигнала развертки (электрода затвора транзистора), провода накопительных конденсаторов и электрода конденсатора нижнего слоя.

Далее, на всей подложке, на которой были сфор