Сдвиговый регистр, устройство отображения, снабженное таковым, и способ возбуждения сдвигового регистра

Сдвиговый регистр, устройство отображения, снабженное таковым, и способ возбуждения сдвигового регистра

Иллюстрации

Показать все

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

Настоящее изобретение относится к сдвиговому регистру, предусмотренному в схеме возбуждения устройства отображения активного матричного типа, и способу для возбуждения сдвигового регистра.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

Традиционно, известно устройство отображения активного матричного типа, в котором множество линий шины затвора (линий сигнала сканирования) и множество линий шины истока (линий видеосигнала) скомпонованы в виде решетки, и множество частей формирования пикселя скомпонованы в матричном виде на соответствующих пересечениях множества линий шины затвора и множества линий шины истока. Каждая часть формирования пикселя включает в себя TFT (тонкопленочный транзистор), который является коммутационным элементом, присоединенным на своем выводе затвора к линии шины затвора, проходящей через соответствующее пересечение, и присоединенным на своем выводе истока к линии шины истока, проходящей через это пересечение; емкость пикселя для удерживания значения пикселя; и тому подобное. Устройство отображения активного матричного типа также снабжено драйвером затвора (схемой возбуждения линий сканирования), который возбуждает множество линий шины затвора, и драйвером истока (схемой возбуждения линий видеосигнала), который возбуждает множество линий шины истока.

Видеосигнал, указывающий значение пикселя, передается через линию шины истока, и каждая линия шины истока не может передавать за раз (одновременно) видеосигналы, указывающие значения пикселя для множества строк. Поэтому, запись видеосигналов в емкости пикселя в описанных выше частях формирования пикселя, скомпонованных в матричном виде, выполняется последовательно, строка за строкой. Отсюда, для того чтобы множество линий шины затвора могли последовательно выбираться в течение предварительно определенного периода, драйвер затвора является состоящим из сдвигового регистра, включающего в себя множество каскадов.

Фиг.8 - блок-схема, показывающая примерную конфигурацию сдвигового регистра 810, включенного в традиционный драйвер затвора (см. опубликованный перевод на японский язык заявки PCT № 6-505605). Как показано на Фиг.8, драйвер затвора состоит из n-каскадного сдвигового регистра 810. Каждый каскад сдвигового регистра 810 является бистабильной схемой, которая находится в любом одном из двух состояний (первого состояния и второго состояния) в каждый момент времени и выдает сигнал (сигнал состояния), указывающий состояние, в качестве сигнала GOUT сканирования. По существу, сдвиговый регистр 810 состоит из n бистабильных схем SR(1)-SR(n). На сдвиговый регистр 810 подаются трехфазные тактовые сигналы GCK1, GCK2 и GCK3, и начальный импульсный сигнал GSP затвора, который является сигналом для запуска сканирования линий шины затвора. Каждая бистабильная схема снабжена входным выводом для приема любого одного из трехфазных тактовых сигналов в качестве первого тактового сигнала CKA; входным выводом для приема любого одного из трехфазных тактовых сигналов в качестве второго тактового сигнала CKB; входным выводом для приема начального импульсного сигнала GSP затвора или сигнала OUT состояния, выдаваемого из его первого каскада, в качестве сигнала SET установки; и выходной вывод для вывода сигнала OUT состояния.

Фиг.9 - принципиальная схема, показывающая примерную конфигурацию одного каскада (одной бистабильной схемы) описанного выше традиционного сдвигового регистра 810. Бистабильная схема включает в себя шесть тонкопленочных транзисторов T81-T86 и конденсатор C81. В дополнение, бистабильная схема имеет входные выводы для линии VDD электропитания, которая питает относительно высокоуровневый потенциал VGH, и входные выводы для линии VSS электропитания, которая питает относительно низкоуровневый потенциал VGL, а также три входных вывода 81-83 и один выходной вывод 89. Отметим, что входной вывод, который принимает первый тактовый сигнал CKA, обозначен номером 81 ссылки, входной вывод, который принимает сигнал SET установки, обозначен номером 82 ссылки, а входной вывод, который принимает второй тактовый сигнал CKB, обозначен номером 83 ссылки. Также отметим, что потенциал VGH соответствует потенциалу, который помещает тонкопленочный транзистор в части формирования пикселя во включенное состояние, а потенциал VGL соответствует потенциалу, который помещает тонкопленочный транзистор в отключенное состояние.

Вывод затвора тонкопленочного транзистора T81, вывод истока тонкопленочного транзистора T82 и вывод стока тонкопленочного транзистора T83 присоединены друг к другу. Отметим, что область (линия проводного соединения), где они присоединены друг к другу, указывается ссылкой как «netA» ради удобства. В дополнение, вывод затвора тонкопленочного транзистора T83, вывод истока тонкопленочного транзистора T84 и вывод стока тонкопленочного транзистора T85 присоединены друг к другу. Отметим, что область (линия проводного соединения), где они присоединены друг к другу, указывается ссылкой как «netB» ради удобства.

Тонкопленочный транзистор T81 присоединен на своем выводе затвора к netA, присоединен на своем выводе стока к входному выводу 81 и присоединен на своем выводе истока к выходному выводу 89. Тонкопленочный транзистор T82 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 82, присоединен на своем выводе стока к линии VDD электропитания и присоединен на своем выводе истока к netA. Тонкопленочный транзистор T83 присоединен на своем выводе затвора к netB, присоединен на своем выводе стока к netA и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Тонкопленочный транзистор T84 присоединен на своем выводе затвора к netB, присоединен на своем выводе стока к выходному выводу 89 и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Тонкопленочный транзистор T85 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 83, присоединен на своем выводе стока к линии VDD электропитания и присоединен на своем выводе истока к netB. Тонкопленочный транзистор T86 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 82, присоединен на своем выводе стока к netB и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Конденсатор C81 присоединен на одном своем конце к netA и присоединен на своем другом конце к выходному выводу 89.

В конфигурации, такой как описанная выше, трехфазные тактовые сигналы GCK1, GCK2 и GCK3, имеющие формы сигнала, показанные на Фиг.10A-10C, и начальный импульсный сигнал GSP затвора, имеющий форму сигнала, показанную на Фиг.10D, подаются на сдвиговый регистр 810. Затем, сигналы GOUT(1)-GOUT(n) сканирования, которые последовательно переходят на высокий уровень в течение одного периода горизонтального сканирования, как показано на Фиг.10E-10G, выдаются из сдвигового регистра 810.

Со ссылкой на Фиг.9 и 11A-11F ниже будет описана работа каждого каскада (бистабильной схемы) сдвигового регистра 810. Отметим, что Фиг.11A-11F показывают формы сигнала для бистабильной схемы SR(1) первого каскада, а что касается бистабильных схем SR(2)-SR(n) второго и последующих каскадов, такие же формы сигнала, как показанные на Фиг.11A-11F, появляются задержанными на один период горизонтального сканирования. Другими словами, n бистабильных схем SR(1)-SR(n) выполняют одну и ту же операцию за исключением привязки по времени. Соответственно, в последующем, описание будет дано с фокусированием только на одной бистабильной схеме SR(1) первого каскада.

Во время работы устройства отображения, первый тактовый сигнал CKA, имеющий форму сигнала, показанную на Фиг.11A, подается на входной вывод 81, а второй тактовый сигнал CKB, имеющий форму сигнала, показанную на Фиг.11B, подается на входной вывод 83. Во время периодов до момента t0 времени, потенциалами сигнала SET установки, netA и сигнала OUT состояния является VGL, а потенциалом netB является VGH.

При достижении момента t0 времени, импульс сигнала SET установки подается на входной вывод 82. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T82 и T86 помещаются во включенное состояние (проводящее состояние). В дополнение, в момент t0 времени, потенциал второго тактового сигнала CKB, подаваемого на входной вывод 83, изменяется с VGL на VGH. Соответственно, тонкопленочный транзистор T85 помещается во включенное состояние. Посредством помещения тонкопленочного транзистора T82 во включенное состояние, потенциал netA приводится к VGH и, таким образом, тонкопленочный транзистор T81 помещается во включенное состояние. В дополнение, тонкопленочный транзистор T85 помещается во включенное состояние, и тонкопленочный транзистор T86 также помещается во включенное состояние и, таким образом, ток протекает с вывода стока тонкопленочного транзистора T85 на вывод истока тонкопленочного транзистора T86. Отсюда, потенциал netB приводится к VGL. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T83 и T84 помещаются в отключенное состояние (непроводящее состояние). Посредством помещения тонкопленочного транзистора T83 в отключенное состояние, потенциал netA не уменьшается в течение периода от t0 до t1.

Тонкопленочный транзистор T81, как описано выше, помещается во включенное состояние в момент t0 времени, но потенциал первого тактового сигнала CKA, подаваемого на входной вывод 81, имеет значение VGL в течение периода от t0 до t1. Отсюда, потенциал сигнала OUT состояния, выдаваемого с выходного вывода 89, сохраняется на VGL. В это время, напряжение с амплитудой «VGH-VGL» прикладывается между затвором и истоком тонкопленочного транзистора T81 (между двумя выводами конденсатора C81).

При достижении момента t1 времени, потенциалы сигнала SET установки и второй тактовый сигнал CKB изменяются с VGH на VGL. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T82, T85 и T86 помещаются в отключенное состояние. В дополнение, в момент t1 времени, потенциал первого тактового сигнала CKA изменяется с VGL на VGH. В это время, поскольку напряжение между затвором и истоком тонкопленочного транзистора T81 поддерживается на «VGH-VGL» конденсатором C81, тонкопленочный транзистор T81 находится во включенном состоянии. В дополнение, формируется паразитная емкость (не показана) между затвором и стоком тонкопленочного транзистора T81. Вследствие вышеприведенного, потенциал стока тонкопленочного транзистора T81 увеличивается с увеличением потенциала на входном выводе 81 и, таким образом, потенциал netA дополнительно увеличивается от VGH из-за паразитной емкости. Как результат, большое напряжение прикладывается к выводу затвора тонкопленочного транзистора T81 и, таким образом, потенциал сигнала OUT состояния увеличивается до потенциала VGH первого тактового сигнала CKA. Соответственно, линия шины затвора, присоединенная к выходному выводу 89 бистабильной схемы, помещается в выбранное состояние. Между тем, во время периода от t1 до t2, поскольку тонкопленочный транзистор T85 находится в отключенном состоянии, потенциал netB поддерживается на VGL. Отсюда, в течение этого периода, тонкопленочный транзистор T83 поддерживается в отключенном состоянии и, таким образом, также поддерживается потенциал netA. Отметим, что для увеличения потенциала netA в момент t1 времени, потенциал в идеале увеличивается до удвоенного уровня VGH, но, на практике, потенциал не увеличивается до удвоенного уровня VGH вследствие наличия паразитных емкостей, сопротивлений, и т.д., у netA, входного вывода 81, выходного вывода 89 и тонкопленочного транзистора T81.

При достижении момента t2 времени, потенциал первого тактового сигнала CKA изменяется с VGH на VGL. В момент t2 времени, поскольку потенциал netA является более высоким, чем VGH, когда потенциал стока тонкопленочного транзистора T81 уменьшается с уменьшением потенциала на входном выводе 81, ток протекает с вывода истока на вывод стока тонкопленочного транзистора T81. Соответственно, потенциал выходного вывода 89, то есть потенциал сигнала OUT состояния, уменьшается до VGL. Соответственно, линия шины затвора, присоединенная к выходному выводу 89 бистабильной схемы, помещается в невыбранное состояние. Отметим, что, во время периода с t2 до t3, поскольку потенциал второго тактового сигнала CKB имеет значение VGL и, таким образом, тонкопленочный транзистор T85 находится в отключенном состоянии, потенциал netB поддерживается на VGL. Отсюда, в течение этого периода, тонкопленочный транзистор T83 поддерживается в отключенном состоянии, и также поддерживается потенциал netA.

При достижении момента t3 времени, потенциал второго тактового сигнала CKB изменяется с VGL на VGH. Отсюда, тонкопленочный транзистор T85 помещается во включенное состояние. Соответственно, потенциал netB приводится к VGH и, таким образом, тонкопленочные транзисторы T83 и T84 помещаются во включенное состояние. Посредством помещения тонкопленочного транзистора T83 во включенное состояние, потенциал netA приводится к VGL и, таким образом, тонкопленочный транзистор T81 помещается в отключенное состояние. В дополнение, посредством помещения тонкопленочного транзистора T84 во включенное состояние, потенциал сигнала OUT состояния поддерживается на VGL.

Работа, такая как описанная выше, последовательно выполняется на n бистабильных схемах SR(1)-SR(n), так чтобы привязка по времени задерживалась на один период горизонтального сканирования. Соответственно, в каждом периоде кадровой развертки, n линий шины затвора GL1-GLn последовательно помещаются в выбранное состояние на один период горизонтального сканирования.

В еще одном примере, случай, в котором схема сдвигового регистра, раскрытая в выложенной заявке № 62-234298 на патент Японии, применена к драйверу затвора устройства отображения, будет описан со ссылкой на Фиг.12, 13, 14A-14J и 15A-15D. Фиг.12 - структурная схема, показывающая конфигурацию сдвигового регистра 910, включенного в драйвер затвора. Как показано на Фиг.12, сдвиговый регистр 910 состоит из n бистабильных схем SR(1)-SR(n). На сдвиговый регистр 910 подаются двухфазные тактовые сигналы GCK1 и GCK2 и начальный импульсный сигнал затвора GSP, который является сигналом для запуска сканирования линий шины затвора. Каждая бистабильная схема снабжена входным выводом для приема любого одного из двухфазных тактовых сигналов в качестве первого тактового сигнала CKA; входным выводом для приема начального импульсного сигнала затвора GSP или сигнала OUT состояния, выдаваемого из его первого каскада, в качестве сигнала SET установки; и выходной вывод для выдачи сигнала OUT состояния.

Фиг.13 - принципиальная схема, показывающая конфигурацию одного каскада (одной бистабильной схемы) сдвигового регистра 910. Бистабильная схема включает в себя шесть тонкопленочных транзисторов T90-T95 и конденсатор C90. В дополнение, бистабильная схема имеет входные выводы для линии VDD электропитания, которая питает относительно высокоуровневый потенциал VGH, и входные выводы для линии VSS электропитания, которая питает относительно низкоуровневый потенциал VGL, а также три входных вывода 91-93 и один выходной вывод 99. Отметим, что входной вывод, который принимает сигнал SET установки, обозначен номером 91 ссылки, один из входных выводов, который принимает первый тактовый сигнал CKA, обозначен номером 92 ссылки, а другой один из входных выводов, который принимает первый тактовый сигнал CKA, обозначен номером 93 ссылки.

Вывод истока тонкопленочного транзистора T90, вывод затвора тонкопленочного транзистора T91 и один конец конденсатора C90 присоединены друг к другу. Отметим, что область (линия проводного соединения), где они присоединены друг к другу, указывается ссылкой как «netA» ради удобства. В дополнение, вывод истока тонкопленочного транзистора T93, вывод стока тонкопленочного транзистора T94 и вывод затвора тонкопленочного транзистора T95 присоединены друг к другу. Отметим, что область (линия проводного соединения), где они присоединены друг к другу, указывается ссылкой как «netB» ради удобства. Более того, вывод истока тонкопленочного транзистора T91, вывод стока тонкопленочного транзистора T92, вывод затвора тонкопленочного транзистора T94, вывод стока тонкопленочного транзистора T95 и другой конец конденсатора C90 присоединены друг к другу. Отметим, что область (линия проводного соединения), где они присоединены друг к другу, указывается ссылкой как «netC» ради удобства.

Тонкопленочный транзистор T90 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 92, присоединен на своем выводе стока к входному выводу 91, присоединен на своем выводе истока к netA. Тонкопленочный транзистор T91 присоединен на своем выводе затвора к netA, присоединен на своем выводе стока к линии VDD электропитания и присоединен на своем выводе истока к netC. Тонкопленочный транзистор T92 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 92, присоединен на своем выводе стока к netC и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Тонкопленочный транзистор T93 присоединен на своем выводе затвора к входному выводу 93, присоединен на своем выводе стока к линии VDD электропитания и присоединен на своем выводе истока к netB. Тонкопленочный транзистор T94 присоединен на своем выводе затвора к netC и выходному выводу 99, присоединен на своем выводе стока к netB и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Тонкопленочный транзистор T95 присоединен на своем выводе затвора к netB, присоединен на своем выводе стока к netC и присоединен на своем выводе истока к линии VSS электропитания. Конденсатор C90 присоединен на одном своем конце к netA и присоединен на своем другом конце к netC.

В конфигурации, такой как описанная выше, двухфазные тактовые сигналы GCK1 и GCK2, имеющие формы сигнала, показанные на Фиг.14A и 14B, и начальный импульсный сигнал затвора GSP, имеющий форму сигнала, показанную на Фиг.14C, подаются на сдвиговый регистр 910. Затем, сигналы GOUT(1)-GOUT(n) сканирования, которые последовательно переходят на высокий уровень в течение одного периода горизонтального сканирования, как показано на Фиг.14D-14J, выдаются из сдвигового регистра 910.

Со ссылкой на Фиг.13 и 14A-14J и 15A-15D, ниже будет описана работа каждого каскада (бистабильной схемы) сдвигового регистра 910. Отметим, что Фиг.15A-15D показывают формы сигнала для бистабильной схемы SR(1) первого каскада, а что касается бистабильных схем SR(2)-SR(n) второго и последующих каскадов, такие же формы сигнала, как показанные на Фиг.15A-15D, появляются задержанными на один период горизонтального сканирования. Другими словами, n бистабильных схем SR(1)-SR(n) выполняют одну и ту же операцию за исключением привязки по времени. Соответственно, в последующем, описание будет дано с фокусированием только на одной бистабильной схеме SR(1) первого каскада.

Во время работы устройства отображения, первый тактовый сигнал CKA, имеющий форму сигнала, показанную на Фиг.15A, подается на входной вывод 91. Во время периодов до момента t0 времени, потенциалами сигнала SET установки, netA и сигнала OUT состояния является VGL.

При достижении момента t0 времени, потенциал первого тактового сигнала CKA изменяется с VGL на VGH. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T90, T92 и T93 помещаются во включенное состояние. Посредством помещения тонкопленочного транзистора T93 во включенное состояние, потенциал netB увеличивается до потенциала VGH линии VDD электропитания и, таким образом, тонкопленочный транзистор T95 помещается во включенное состояние. В дополнение, в момент t0 времени, потенциал сигнала SET установки изменяется с VGL на VGH. Поскольку, как описано выше, тонкопленочный транзистор T90 помещается во включенное состояние, потенциал netA увеличивается до потенциала VGH сигнала SET установки. В это время, поскольку напряжение между затвором и истоком тонкопленочного транзистора T91 (между двумя выводами конденсатора C90) имеет значение «VGH-VGL», тонкопленочный транзистор T91 помещается во включенное состояние. Однако, поскольку тонкопленочные транзисторы T92 и T95 находятся во включенном состоянии, потенциал на выходном выводе 99 (потенциал сигнала OUT состояния) поддерживается на VGL.

При достижении момента t1 времени, потенциалы сигнала SET установки и первый тактовый сигнал CKA изменяются с VGL на VGH. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T90, T92, T93 и T95 помещаются в отключенное состояние. В это время, напряжение между затвором и истоком тонкопленочного транзистора T91 поддерживается на «VGH-VGL» конденсатором C90. Отсюда, тонкопленочный транзистор T91 поддерживается во включенном состоянии. Здесь, поскольку, как описано выше, тонкопленочные транзисторы T92 и T95 находятся в отключенном состоянии, ток не протекает между стоком и истоком тонкопленочных транзисторов T92 и T95, и, таким образом, потенциал выходного вывода 99 увеличивается до потенциала VGH линии VDD электропитания. Соответственно, линия шины затвора, присоединенная к выходному выводу 99 бистабильной схемы, помещается в выбранное состояние.

При достижении момента t2 времени, потенциал первого тактового сигнала CKA изменяется с VGL на VGH. Соответственно, тонкопленочные транзисторы T90, T92, T93 и T95 помещаются во включенное состояние. В это время, поскольку потенциал сигнала SET установки имеет значение VGL, потенциал netA уменьшается от VGH до VGL и, таким образом, тонкопленочный транзистор T91 помещается в отключенное состояние. В дополнение, поскольку, как описано выше, тонкопленочные транзисторы T92 и T95 находятся во включенном состоянии, заряд, накопленный в netC, стекает по линиям VSS электропитания через тонкопленочные транзисторы T92 и T95, и, таким образом, потенциал на выходном выводе 99 уменьшается с VGH до VGL.

Работа, такая как описанная выше, последовательно выполняется на описанных выше n бистабильных схемах SR(1)-SR(n), так чтобы привязка по времени задерживалась на один период горизонтального сканирования. Соответственно, в каждом периоде кадровой развертки, n линий затвора GL1-GLn последовательно помещаются в выбранное состояние на один период горизонтального сканирования.

ДОКУМЕНТЫ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ

ПАТЕНТНЫЕ ДОКУМЕНТЫ

[Патентный документ 1] Опубликованный перевод на японский язык заявки PCT № 6-505605

[Патентный документ 2] Выложенная заявка № 62-234298 на патент Японии

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ПРОБЛЕМЫ, РЕШАЕМЫЕ ИЗОБРЕТЕНИЕМ

Согласно конфигурации, раскрытой в опубликованном переводе на японский язык заявки PCT № 6-505605 (см. Фиг.9), однако, перекрестная помеха может возникать вследствие изменения потенциала тактового сигнала, подаваемого на сдвиговый регистр, и емкости перекрытия в тонкопленочном транзисторе. Это будет описано ниже.

Фиг.16 - вид в поперечном разрезе обычного TFT 70 на аморфном кремнии. Как показано на Фиг.16, TFT 70 на аморфном кремнии состоит из затворного электрода 71, сформированного на стеклянной подложке (не показана); изолирующей затвор пленки 72, сформированной, чтобы покрывать затворный электрод 71; аморфного кремния 73, сформированного на изолирующей затвор пленке 72; аморфных кремниев 74 n+, сформированных на аморфном кремнии 73; стокового электрода 75 и истокового электрода 76, которые сформированы на аморфных кремниях 74 n+, соответственно; и защитной пленки 77, сформированной на стоковом электроде 75 и истоковом электроде 76. Здесь, в области, обозначенной номером 78 ссылки на Фиг.16, истоковый электрод 76 и затворный электрод 71 перекрывают друг друга на виде сверху (истоковый электрод 76 и затворный электрод 71 расположены один над другим с изолирующей затвор пленкой 72, и т.д., между ними) и, таким образом, емкость Cgs перекрытия возникает между истоковым электродом 76 и затворным электродом 71. Подобным образом, в области, обозначенной номером 79 ссылки на Фиг.16, емкость Cgd перекрытия возникает между стоковым электродом 75 и затворным электродом 71. Отметим, что величины емкостей Cgs и Cgd нормально пропорциональны площадям их каналов. Более точно, когда у длины канала, длиной, обозначенной номером 78 ссылки на Фиг.16, является Lgs, длиной, обозначенной номером 79 ссылки является Lgd, а ширина канала имеет значение W, величина емкости Cgs перекрытия пропорциональна «W×Lgs», а величина емкости Cgd перекрытия пропорциональна «W×Lgd».

Далее, в конфигурации, показанной на Фиг.9, обращено внимание на тонкопленочный транзистор T81. Потенциал первого тактового сигнала CKA подается на вывод стока тонкопленочного транзистора T81. Как показано на Фиг.11A, коэффициент заполнения первого тактового сигнала CKA (термин «коэффициент заполнения», используемый в материалах настоящей заявки, указывает ссылкой на отношение периода, в течение которого поддерживается высокоуровневый потенциал, к циклу, в котором повторяются высокоуровневый потенциал и низкоуровневый потенциал) имеет значение одной трети. Другими словами, потенциал первого тактового сигнала CKA приводится к VGH (высокому уровню) не только в течение периода, во время которого линия шины затвора, присоединенная к выходному выводу 89 бистабильной схемы, включающей в себя тонкопленочный транзистор T81, должна помещаться в выбранное состояние, но приводится к VGH каждые три периода горизонтального сканирования по всем периодам, в течение которых работает устройство отображения.

Между тем, когда потенциал первого тактового сигнала CKA изменяется с VGL на VGH, потенциал стока тонкопленочного транзистора T81 увеличивается и, таким образом, потенциал netA увеличивается из-за емкости Cgd перекрытия в тонкопленочном транзисторе T81. Однако, поскольку, как показано на Фиг.11E, в течение периодов, иных чем период с t0 до t3, потенциал netB имеет значение VGH и, таким образом, тонкопленочный транзистор T83 находится во включенном состоянии, потенциал netA немедленно уменьшается до VGL, как указано номером 68 ссылки на Фиг.17D. Однако, когда напряжение между затвором и истоком тонкопленочного транзистора T81 становится более высоким, чем пороговое напряжение, вследствие такого увеличения потенциала netA, тонкопленочный транзистор T81 помещается во включенное состояние. Соответственно, как указано номером 69 ссылки на Фиг.17F, потенциал сигнала OUT состояния временно переходит на высокий уровень в течение периодов, иных чем выбранный период (период, в течение которого линия шины затвора, присоединенная к выходному выводу каждой бистабильной схемы должна помещаться в выбранное состояние). Затем, тонкопленочные транзисторы в частях формирования пикселя, присоединенных к линии шины затвора, через которую передается высокоуровневый сигнал OUT состояния, помещаются во включенное состояние. Таким образом, перекрестная помеха возникает в устройстве отображения, ухудшая качество отображения. Отметим, что такое явление возникает не только в сдвиговом регистре, имеющем конфигурацию, показанную на Фиг.9, но может возникать в сдвиговом регистре, имеющем конфигурацию, в которой тактовый сигнал возбуждения (первый тактовый сигнал CKA в примере, показанном на Фиг.9) подается на другой проводящий вывод выходного транзистора (транзистора, который присоединен на своем одном проводящем выводе к выходному выводу в бистабильной схеме, и который управляет потенциалом сигнала состояния посредством флуктуации потенциала на управляющем выводе транзистора).

В дополнение, согласно конфигурации, раскрытой в выложенной заявке № 62-234298 на патент Японии (см. Фиг.13) постоянный высокоуровневый потенциал VDD, но не тактовый сигнал возбуждения, подается на вывод стока тонкопленочного транзистора T91, функционирующего в качестве выходного транзистора. Отсюда, перекрестная помеха вследствие флуктуаций потенциала стока тонкопленочного транзистора T91 не возникает в устройстве отображения. Однако, поскольку тонкопленочный транзистор T91 помещен во включенное состояние на всем протяжении одного периода горизонтального сканирования непосредственно перед выбранным периодом, току, протекающему с линии VDD электропитания в netC через тонкопленочный транзистор T91, необходимо течь по линиям VSS электропитания через тонкопленочные транзисторы T92 и T95 во время периода перед тем, как начинается выбранный период. Чтобы сделать так, площадям каналов тонкопленочных транзисторов T92 и T95 необходимо увеличиваться, давая в результате увеличение размера конструкции для монтажа драйвера затвора. В дополнение, поскольку ток не обязательно протекает через тонкопленочные транзисторы T92 и T95 во время периода горизонтального сканирования непосредственно перед выбранным периодом, потребляемая мощность увеличивается.

Поэтому, цель настоящего изобретения состоит в том, чтобы реализовать устройство отображения, способное к пресечению ухудшения качества отображения, вызванного перекрестной помехой, не вызывая увеличения размера конструкции или увеличения потребляемой мощности.

СРЕДСТВО ДЛЯ РЕШЕНИЯ ПРОБЛЕМ

Первый аспект настоящего изобретения направлен на сдвиговый регистр, содержащий множество бистабильных схем, имеющих первое состояние и второе состояние, и последовательно присоединенных друг к другу, при этом множество бистабильных схем последовательно помещаются в первое состояние на основании двухфазных тактовых сигналов, включающих в себя первый и второй тактовый сигнал, при этом первый и второй тактовые сигналы подаются из внешнего источника каждой бистабильной схемы и периодически повторяют высокоуровневый потенциал и низкоуровневый потенциал, при этом, каждая бистабильная схема включает в себя:

выходной узел, который выдает сигнал состояния, указывающий любое одно из первого состояния и второго состояния;

первый транзистор, имеющий второй электрод, на который подается высокоуровневый потенциал, и третий электрод, присоединенный к выходному узлу;

второй транзистор, имеющий первый электрод, на который подается первый тактовый сигнал, и третий электрод, присоединенный к первому узлу, присоединенному к первому электроду первого транзистора;

часть заряда второго узла для заряда второго узла на основании сигнала состояния, выдаваемого из бистабильной схемы предыдущего каскада бистабильной схемы, при этом второй узел является присоединенным ко второму электроду второго транзистора;

часть разряда второго узла для разряда второго узла на основании сигнала состояния, выдаваемого из бистабильной схемы следующего каскада бистабильной схемы;

часть разряда первого узла для разряда первого узла на основании второго тактового сигнала; и

часть разряда выходного узла для разряда выходного узла на основании второго тактового сигнала.

Согласно второму аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

площадь канала первого транзистора является большей, чем у второго транзистора.

Согласно третьему аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

каждая бистабильная схема дополнительно включает в себя конденсатор, присоединенный на своем одном конце ко второму узлу и присоединенный на своем другом конце к выходному узлу.

Согласно четвертому аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

в каждой бистабильной схеме,

часть разряда второго узла включает в себя третий транзистор, имеющий первый электрод, на который подается сигнал состояния, выдаваемый из бистабильной схемы следующего каскада бистабильной схемы, второй электрод, к которому присоединен второй узел, и третий электрод, на который выдается низкоуровневый потенциал,

часть разряда первого узла включает в себя четвертый транзистор, имеющий первый электрод, на который выдается второй тактовый сигнал, второй электрод, к которому присоединен первый узел, и третий электрод, на который выдается низкоуровневый потенциал, и

часть разряда выходного узла включает в себя пятый транзистор, имеющий первый электрод, на который выдается второй тактовый сигнал, второй электрод, к которому присоединен выходной узел, и третий электрод, на который выдается низкоуровневый потенциал.

Согласно пятому аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

в каждой бистабильной схеме,

часть заряда второго узла включает в себя шестой транзистор, имеющий первый электрод, на который подается сигнал состояния, выдаваемый из бистабильной схемы предыдущего каскада бистабильной схемы, второй электрод, на который подается высокоуровневый потенциал, и третий электрод, к которому присоединен второй узел.

Согласно шестому аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

в каждой бистабильной схеме,

часть заряда второго узла включает в себя седьмой транзистор, имеющий первый электрод и второй электрод, на которые подается сигнал состояния, выдаваемый из бистабильной схемы предыдущего каскада бистабильной схемы, и третий электрод, к которому присоединен второй узел.

Согласно седьмому аспекту настоящего изобретения, в первом аспекте настоящего изобретения,

все транзисторы, включенные в каждую бистабильную схему, являются тонкопленочными транзисторами n-канального типа.

Восьмой аспект настоящего изобретения направлен на схему возбуждения линий сигнала сканирования устройства отображения, которая возбуждает множество линий сигнала сканирования, скомпонованных в блоке отображения, при этом схема возбуждения линий сигнала сканирования содержит сдвиговый регистр согласно любому одному из с первого по седьмой аспектам настоящего изобретения, при этом,

предусмотрено множество бистабильных схем, с тем чтобы иметь соответствие один к одному с множеством линий сигнала сканирования, и

каждая бистабильная схема подает сигнал состояния, выдаваемый из выходного узла, на свою соответствующую линию сигнала сканирования в качестве сигнала сканирования.

Девятый аспект настоящего изобретения направлен на устройство отображения, включающее в себя блок отображения и содержащее схему возбуждения линий сигнала сканирования согласно восьмому аспекту настоящего изобретения.

Десятый аспект настоящего изобретения направлен на способ возбуждения сдвигового регистра, включающего в себя бистабильные схемы, имеющие первое состояние и второе состояние и последовательно соединенные друг с другом, при этом множество бистабильных схем последовательно помещаются в первом состоянии на основании двухфазных тактовых сигналов, включающих в себя первый и второй тактовый сигнал, при этом первый и второй тактовый сигналы подаются из внешнего источника каждой бистабильной схемы и периодически повторяют высокоуровневый потенциал и низкоуровневый потенциал, при этом способ содержит:

первый этап возбуждения, на котором вызывают предварительное состояние для переключения каждой бистабильной схемы из второго состояния в первое состояние;

второй этап возбуждения, на котором помещают бистабильную схему, находящуюся в предварительном состоянии, в первое состояние; и

третий этап возбуждения, на котором переключают бистабильную схему из первого состояния во второе состояние, при этом, каждая бистабильная схема включает в себя:

выходной узел, который выдает сигнал состояния, указывающий любое одно из первого состояния и второго состояния;

первый транзистор, имеющий второй электрод, на который подается высокоуровневый потенциал, и третий электрод, присоединенный к выходному узлу;

второй транзистор, имеющий первый электрод, на который подается первый тактовый сигнал, третий электрод, присоединенный к первому узлу, присоединенному к первому электроду первого транзистора, и меньшую площадь канала, чем первый транзистор;

часть заряда второго узла для заряда второго узла на основании предварительно определенного сигнала установки, при этом второй узел является присоединенным ко второму электроду второго транзистора;

часть разряда второго узла для разряда второго узла на основании предварительно определенного сигнала сброса;

часть разряда первого узла для разряда первого узла на основании второго тактового сигнала; и

часть разряда выходного узла для разряда выходного узла на основании второго тактового сигнала,

при этом на первом этапе возбуждения второй узел заряжается частью заряда второго узла на основании сигнала установки,

на втором этапе возбуждения первый узел заряжается вторым транзистором, являющимся помещенным в проводящее состояние, на основании первого тактового сигнала, и

на третьем этапе возбуждения второй узел разряжается частью разряда второго узла на основании сигнала сброса, и первый узел разряжается частью разряда первого узла, и выходной узел разряжается частью разряда выходного узла, на основании второго тактового сигнала.

Согласно одиннадцатому аспекту настоящего изобретения, в десятом аспекте настоящего изобретения, в каждой бистабильной схеме,

часть ра