Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический дисплейный блок, жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник

Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический дисплейный блок, жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники

Настоящее изобретение относится к подложке активной матрицы, в которой в одном (1) (многодоменном) пикселе имеется множество пиксельных электродов, и к жидкокристаллическому дисплейному устройству, в котором используется такая подложка активной матрицы.

Уровень техники

Для улучшения зависимости гамма-характеристики жидкокристаллического дисплейного устройства от угла наблюдения (например, для ослабления избыточной яркости экрана и т.д.) было предположено такое жидкокристаллическое дисплейное устройство (много доменное жидкокристаллическое дисплейное устройство), в котором отображение полутонов обеспечивается модуляцией области покрытия для множества подпикселей, имеющихся в одном (1) пикселе, работой которых управляют так, чтобы они имели различную яркость (см., например, патентную литературу 1).

Подложка активной матрицы, описанная в патентной литературе 1 (см. фиг.38 и 39), выполнена следующим образом: первый и второй из двух транзисторов, соединенных с линией 215 развертки, соединены с первым пиксельным электродом 190а и вторым пиксельным электродом 190b соответственно. Второй пиксельный электрод 190b и связующий электрод 176 образуют некоторый конденсатор. Связующий электрод 176 и первый пиксельный электрод 190а соединены через транзистор, соединенный с линией 216 развертки, которая выбирается после линии 215 развертки. (Подложка активной матрицы представляет собой так называемую трехтранзисторную подложку активной матрицы с емкостной связью). Некоторый запоминающий конденсатор образован в области, в которой первый пиксельный электрод 190а и первый электрод 133а памяти перекрываются через изолирующий слой 140 затвора и защитный слой 11, а другой запоминающий конденсатор образован в области, в которой второй пиксельный электрод 190b и второй электрод 133b памяти перекрываются через изолирующий слой 140 затвора и защитный слой 11.

В жидкокристаллическом дисплейном устройстве, в котором используется такая подложка активной матрицы, подпиксель, который соответствует первому пиксельному электроду 190а, и подпиксель, который соответствует второму пиксельному электроду 190b, могут служить темным подпикселем и светлым подпикселем соответственно, в результате чего полутон мог быть отображен модуляцией области покрытия для каждого темного подпикселя и каждого светлого подпикселя.

Список цитированной литературы

Патентная литература 1

Патент Японии, Tokukai, №2005-62882 A (Publication Date: March 10 2005)

Сущность изобретения

Техническая проблема

Однако, в указанной подложке активной матрицы (см. фиг.38 и 39) защитный слой 11, который имеет большую толщину, расположен в областях, в которых образованы запоминающие конденсаторы. Поэтому для обеспечения запоминающей емкости область, в которой перекрываются первый электрод 133а памяти и первый пиксельный электрод 190а, и область, в которой перекрываются второй электрод 133b памяти и второй пиксельный электрод 190b, должна быть большой. Это вызывало уменьшения относительного отверстия (относительного отверстия пикселя).

Цель настоящего изобретения состоит в увеличении относительного отверстия пикселя в трехтранзисторной подложке активной матрицы с емкостной связью.

Решение проблемы

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, содержит: линии сигнала данных, идущие в направлении столбцов; линии сигнала развертки, идущие в направлении строк; множество первых транзисторов, причем каждый из первых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество вторых транзисторов, причем каждый из вторых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество третьих транзисторов, при этом каждый из третьих транзисторов соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к указанной соответствующей одной из линий сигнала развертки; и линии запоминающего конденсатора, при этом каждой пиксельной области имеются: (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, (iii) связующий электрод и (iv) первый и второй конденсаторные электроды, расположенные в слое, в котором выполнена соответствующая одна из линий сигнала данных, конденсатор образован связующим электродом и вторым пиксельным электродом, при этом связующий электрод соединен с первым пиксельным электродом через каждый третий транзистор, первый конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, а первый конденсаторный электрод соединен с первым пиксельным электродом, второй конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, а второй конденсаторный электрод, соединен со вторым пиксельным электродом.

В подложке активной матрицы, выполненной согласно настоящему изобретению, первый запоминающий конденсатор образован в области, в которой первый конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, а второй запоминающий конденсатор образован в области, в которой второй конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку. Изолирующие части соответствующих первого и второго запоминающих конденсаторов имеют меньшую толщину по сравнению с известной конструкцией (см. фиг.36). Соответственно, можно обеспечить необходимую запоминающую емкость, даже если линия запоминающего конденсатора, которая создает препятствие прохождению света, имеет меньшую площадь (например, даже если линия запоминающего конденсатора имеет меньшую ширину). Это позволяет увеличить относительное отверстие пикселя.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что: связующий электрод и второй пиксельный электрод перекрываются через вторую изолирующую пленку; первый конденсаторный электрод и первый пиксельный электрод соединены через первое контактное окно, которое проходит через вторую изолирующую пленку, а второй конденсаторный электрод и второй пиксельный электрод соединены через второе контактное окно, которое проходит через вторую изолирующую пленку.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что весь первый конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются, и весь второй конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что связующий электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что первый конденсаторный электрод, связующий электрод и второй конденсаторный электрод размещены в направлении строк в указанном порядке.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что первая изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что вторая изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, которая покрывает канал транзистора.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что область межслойной изолирующей пленки имеет меньшую толщину, чем окружающая ее область, при этом указанная область является по меньшей мере частью, в которой межслойная изолирующая пленка, связующий электрод и второй пиксельный электрод перекрываются.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую; и в указанной области межслойной изолирующей пленки, органическая межслойная изолирующая пленка имеет меньшую толщину, чем окружающая область, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может содержать: линии сигнала данных, идущие направлении столбцов; линии сигнала развертки, идущие в направлении строк; множество первых транзисторов, причем каждый из первых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество вторых транзисторов, причем каждый из вторых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество третьих транзисторов, при этом каждый из третьих транзисторов соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к соответствующей одной из линий сигнала развертки; и линии запоминающего конденсатора, при этом в каждой пиксельной области имеются: (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, (iii) связующий электрод, при этом каждый из первого и второго пиксельных электродов и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются, некоторый конденсатор образован связующим электродом и вторым пиксельным электродом, при этом связующий электрод соединен с первым пиксельным электродом через каждый третий транзистор, при этом по меньшей мере первая область изолирующего слоя и по меньшей мере вторая область изолирующего слоя имеют меньшую толщину, чем окружающие их области, изолирующий слой выполнен между слоем, в котором выполнена соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора, и слоем, в котором выполнены первый и второй пиксельные электроды, при этом первая область представляет собой по меньшей мере область, в которой перекрываются изолирующий слой, соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора и первый пиксельный электрод, а вторая область представляет собой по меньшей мере область, в которой перекрываются изолирующий слой, соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора и второй пиксельный электрод.

В подложке активной матрицы, выполненной согласно настоящему изобретению, первый запоминающий конденсатор образован областью, в которой первый пиксельный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую тонкую часть изолирующего слоя, а второй запоминающий конденсатор образован областью, в которой второй пиксельный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через вторую тонкую часть изолирующего слоя. Изолирующие части соответствующих первого и второго запоминающих конденсаторов имеют меньшую толщину по сравнению с известной конструкцией (см. фиг.36). Соответственно, можно обеспечить необходимую запоминающую емкость, даже если линия запоминающего конденсатора, которая создает препятствие прохождению света, имеет меньшую площадь (например, даже если линия запоминающего конденсатора имеет меньшую ширину). Это позволяет увеличить относительное отверстие пикселя.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что изолирующий слой имеет структуру, в который изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка, которая покрывает канал транзистора, наложены одна на другую.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что межслойная изолирующая пленка удалена (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что межслойная изолирующая пленка имеет меньшую толщину, чем в окружающих областях (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую; и (i) в указанной первой области межслойной изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области межслойной изолирующей пленки органическая межслойная изолирующая пленка имеет меньшую т, чем окружающие области, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что изолирующая пленка затвора удалена (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что изолирующая пленка затвора имеет меньшую толщину, чем в окружающих областях (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что изолирующая пленка затвора имеет структуру, в которой органическая изолирующая пленка затвора и неорганическая изолирующая пленка затвора наложены одна на другую; при этом (i) в указанной первой области изолирующей пленки затвора и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки затвора органическая изолирующая пленка затвора имеет меньшую толщину, чем окружающие области, или органическая изолирующая пленка затвора удалена.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что связующий электрод и второй пиксельный электрод перекрываются через межслойную изолирующую пленку.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что связующий электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через изолирующую пленку затвора.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что область межслойной изолирующей пленки имеет меньшую толщину, чем окружающая ее область, при этом указанная область представляет собой по меньшей мере часть, в которой перекрываются межслойная изолирующая пленка, связующий электрод и второй пиксельный электрод.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую; и в указанной области межслойной изолирующей пленки органическая межслойная изолирующая пленка имеет меньшую толщину, чем окружающая область, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что зазор между первым и вторым пиксельными электродами служит выравнивающим управляющим устройством.

Жидкокристаллическая панель, выполненная согласно настоящему изобретению, содержит: вышеуказанную подложку активной матрицы и противоположную подложку, которая обращена к подложке активной матрицы и имеет поверхность, от которой идет область на поверхности, соответствуя части, в которой изолирующий слой имеет малую толщину.

Жидкокристаллическая панель, выполненная согласно настоящему изобретению, имеет такую конструкцию, что: линии запоминающего конденсатора проходят в направлении строк; а указанная область расположена между двумя краями соответствующей одной из линий запоминающего конденсатора, которые проходят в направлении строк, когда указанная область спроектирована на слой, в котором расположена соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора.

Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, содержит: линии сигнала данных; линии сигнала развертки; множество первых транзисторов причем каждый из первых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество вторых транзисторов, причем каждый из вторых транзисторов соединен с соответствующей одной из линий сигнала данных и соответствующей одной из линий сигнала развертки; множество третьих транзисторов, причем каждый из третьих транзисторов соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к указанной соответствующей одной из линий сигнала развертки; и линии запоминающего конденсатора, при этом в каждой пиксельной области имеются: (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, и (iii) первый и второй конденсаторные электроды и управляющий электрод, каждый из которых выполнен в слое, в котором выполнена соответствующая одна из линий сигнала данных, при этом управляющий электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, первый конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, первый конденсаторный электрод соединен с первым пиксельным электродом, второй конденсаторный электрод и соответствующая одна из линий запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, второй конденсаторный электрод соединен со вторым пиксельным электродом и управляющий электрод соединен со вторым пиксельным электродом через каждый третий транзистор.

В этом случае, подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению может дополнительно содержать вторую изолирующую пленку, которая (i) расположена в слое между (а) слоем, в которой выполнены каналы каждого первого транзистора и каждого второго транзистора, и (b) слоем, в котором выполнены первый и второй пиксельные электроды, (ii) содержит органическое вещество и (iii) имеет большую толщину (например, не меньше, чем в пять или десять раз), чем первая изолирующая пленка. Подложка активной матрицы, выполненная согласно настоящему изобретению, может иметь такую конструкцию, что управляющий электрод и первый или второй пиксельный электроды перекрываются через вторую изолирующую пленку.

Жидкокристаллическая панель, выполненная согласно настоящему изобретению, содержит вышеуказанную подложку активной матрицы. Жидкокристаллический дисплейный блок, выполненный согласно настоящему изобретению, содержит: вышеуказанную жидкокристаллическую панель и формирователь сигнала. Жидкокристаллическое дисплейное устройство, выполненное согласно настоящему изобретению, содержит: вышеуказанный жидкокристаллический дисплейный блок и источник света. Телевизионный приемник, выполненный согласно настоящему изобретению, содержит: вышеуказанное жидкокристаллическое дисплейное устройство и тюнер, предназначенный для приема телевизионного вещания.

Полезный эффект изобретения

Как описано выше, в подложке активной матрицы, выполненной согласно настоящему изобретению, можно обеспечить необходимую запоминающую емкость, даже если линия запоминающего конденсатора (которая создает препятствие прохождению света) имеет меньшую площадь (например, даже если линия запоминающего конденсатора имеет меньшую ширину). Это позволяет увеличить относительное отверстие пикселя.

Краткое описание чертежей

На фиг.1 показан вид сверху, иллюстрирующий первый пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.2 показано сечение жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.1.

На фиг.3 показана эквивалентная принципиальная схема, иллюстрирующая жидкокристаллическую панель, изображенную на фиг.1.

На фиг.4 показана временная диаграмма, иллюстрирующая способ управления жидкокристаллическим дисплейным устройством, содержащим жидкокристаллическую панель, изображенную на фиг.1.

На фиг.5 показан вид сверху, иллюстрирующий способ исправления жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.1.

На фиг.6 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.1.

На фиг.7 показано сечение жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.6.

На фиг.8 показан вид сверху, иллюстрирующий другую модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.1.

На фиг.9 показан вид сверху, иллюстрирующий способ исправления жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.8.

На фиг.10 показан вид сверху, иллюстрирующий второй пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.11 показан пример сечения жидкокристаллической панели но линии, обозначенной стрелками на фиг.10.

На фиг.12 показан другой пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.10.

На фиг.13 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.10.

На фиг.14 показан пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.13.

На фиг.15 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.13.

На фиг.16 показан пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.15.

На фиг.17 показан вид сверху, иллюстрирующий третий пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.18 показан пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.17.

На фиг.19 показан другой пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.17.

На фиг.20 показан вид сверху, иллюстрирующий четвертый пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.21 показан пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.20.

На фиг.22 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.20.

На фиг.23 показан пример сечения жидкокристаллической панели но линии, обозначенной стрелками на фиг.22.

На фиг.24 показан вид сверху, иллюстрирующий пятый пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.25 показан вид сверху, иллюстрирующий шестой пример компоновки жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.26 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.25.

На фиг.27 показан вид сверху, иллюстрирующий модификацию жидкокристаллической панели, изображенной на фиг.12.

На фиг.28 показан пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.27.

На фиг.29 показан другой пример сечения жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.27.

На фиг.30(а) схематично представлена конфигурация жидкокристаллического дисплейного блока, выполненного согласно настоящему изобретению, и на фиг.30(b) схематично представлена еще одна конфигурация жидкокристаллического дисплейного устройства выполненная согласно настоящему изобретению.

На фиг.31 показана блок-схема, иллюстрирующая конфигурацию в целом жидкокристаллического дисплейного устройства, выполненного согласно настоящему изобретению.

На фиг.32 показана блок-схема, поясняющая работу жидкокристаллического дисплейного устройства, выполненного согласно настоящему изобретению.

На фиг.33 показана блок-схема, поясняющая работу телевизионного приемника, выполненного согласно настоящему изобретению.

На фиг.34 показан вид в перспективе с разбивкой на составные части, иллюстрирующий конфигурацию телевизионного приемника, выполненного согласно настоящему изобретению.

На фиг.35 показана другая эквивалентная принципиальная схема жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению.

На фиг.36 показан вид сверху, иллюстрирующий пример конфигурации жидкокристаллической панели, показанной на фиг.35.

На фиг.37 показано сечение жидкокристаллической панели по линии, обозначенной стрелками на фиг.36.

На фиг.38 показан вид сверху, иллюстрирующий компоновку известной жидкокристаллической панели.

На фиг.39 показано сечение, иллюстрирующее компоновку известной жидкокристаллической панели.

Описание вариантов реализации настоящего изобретения

Ниже со ссылками на фиг.1-37 описаны примеры вариантов реализации настоящего изобретения. Отметим, что для удобства направление, в котором проходят линии сигнала развертки, в дальнейшем считается совпадающим с направлением строк. Однако само собой разумеется, что линии сигнала развертки жидкокристаллического дисплейного устройства, включая жидкокристаллическую панель, выполненную согласно варианту реализации настоящего изобретения (или подложку активной матрицы, используемую в жидкокристаллической панели), могут идти или в поперечном, или в продольном направлении относительно ориентации, в которой используется (просматривается) жидкокристаллическое дисплейное устройство. Кроме того, отметим, что на чертежах жидкокристаллических панелей выравнивающее управляющее устройство не показано.

На фиг.3 показана эквивалентная принципиальная схема, иллюстрирующая часть жидкокристаллической панели, выполненной согласно настоящему изобретению. Эта жидкокристаллическая панель, выполненная согласно настоящему изобретению, содержит линии 15 сигнала данных, которые проходят в направлении столбцов (вертикальное направление на фиг.3), линии 16 и 116 сигнала развертки, которые проходят в направлении строк (горизонтальное направление на фиг.3), пиксели (101-104), которые выровнены в направлениях строк и столбцов, линии 18 запоминающего конденсатора и общий электрод (обратный электрод) com, при этом пиксели имеют одинаковую структуру (см. фиг.3). Столбец пикселей, содержащий пиксели 101 и 102, и столбец пикселей, содержащий пиксели 103 и 104, являются соседними по отношению друг к другу; строка пикселей, содержащая пиксели 101 и 103, и строка пикселей, содержащая пиксели 102 и 104, являются соседними по отношению друг к другу.

Жидкокристаллическая панель, выполненная согласно настоящему изобретению, представляет собой так называемую трехтранзисторную жидкокристаллическую панель с емкостной связью. Для каждого пикселя имеется одна (1) линия 15 сигнала данных, одна (1) линия 16 развертки, три транзистора и одна (1) линия 18 запоминающего конденсатора, при этом каждый из пикселей содержит два пиксельных электрода (17а и 17b).

Например, пиксель 101 имеет такую конструкцию: пиксельный электрод 17а (первый пиксельный электрод) соединен с линией 15 сигнала данных через транзистор 12а (первый транзистор), который соединен с линией 16 развертки. Пиксельный электрод 17b (второй пиксельный электрод) соединен с линией 15 сигнала данных через транзистор 12b (второй транзистор), который соединен с линией 16 сигнала развертки. Конденсатор (Сх) связи образован связующим электродом СЕ (управляющим электродом) и пиксельным электродом 17b. Связующий электрод СЕ соединен с пиксельным электродом 17а через транзистор 112 (третий транзистор), который соединен с линией 116 сигнала развертки (линией развертки, которая выбирается после линии 16 сигнала развертки). Конденсатор (Су) образован связующим электродом СЕ и линией 18 запоминающего конденсатора. Запоминающий конденсатор (Ch1) образован пиксельным электродом 17а (включая его электрическую соединительную часть) и линией 18 запоминающего конденсатора. Запоминающий конденсатор (Ch2) образован пиксельным электродом 17b (включая его электрическую соединительную часть) и линией 18 запоминающего конденсатора. Жидкокристаллический конденсатор (С11) образован пиксельным электродом 17а и общим электродом com. Жидкокристаллический конденсатор (С12) образован пиксельным электродом 17b и общим электродом com.

В случае, когда жидкокристаллическое дисплейное устройство, в котором используется жидкокристаллическая панель согласно настоящему изобретению, управляется сигналом инверсии кадра, электрический потенциал Vs записывается в соответствующие пиксельные электроды 17а и 17b в течение периода времени, а который транзисторы 12а и 12b открыты. Например, в случае, когда (i) электрический потенциал Vs имеет положительную полярность и (ii) транзистор 112 открыт в процессе выбора линии 116 сигнала развертки после того, как транзисторы 12а и 12b открыты, пиксельный электрод 17а и связующий электрод, СЕ оказываются электрически связаны так, что положительный электрический заряд пиксельного электрода 17а перемещается в связующий электрод СЕ (в этом случае говорят о разряде положительного электрического заряда). Это приводит к такому уменьшению электрического потенциала пиксельного электрода 17а, что он становится ниже, чем электрический потенциал Vs, в то время как это приводит к такому увеличению электрического потенциала пиксельного электрода 17b, совместно с которым связующий электрод СЕ образует конденсатор Сх связи, что этот потенциал становится выше, чем электрический потенциал Vs, в ответ на увеличение электрического потенциала связующего электрода СЕ. Отметим, что, в случае, когда (i) электрический потенциал Vs имеет отрицательную полярность и (ii) транзистор 112 открывается при выборке линии 116 сигнала развертки после того, как транзисторы 12а и 12b были заперты, пиксельный электрод 17а и связующий электрод СЕ оказываются электрически связанными так, что отрицательный электрический заряд пиксельного электрода 17а перемещается в связующий электрод СЕ (в этом случае говорят о разряде отрицательного электрического заряда). Это приводит к такому увеличению электрического потенциала пиксельного электрода 17а, что он становится выше, чем электрический потенциал Vs, в то время как это приводит к уменьшению электрического потенциала пиксельного электрода 17b, совместно с которым связующий электрод СЕ образует конденсатор связи Сх, что этот потенциал становится ниже, чем электрический потенциал Vs, в ответ на уменьшение электрического потенциала связующего электрода СЕ.

Соответственно, в случае, когда электрический потенциал пиксельного электрода 17а равен va после того, как транзистор 112 заперт, а электрический потенциал пиксельного электрода 17b равно vb после того, как транзистор 112 заперт, | v b | ≥ | v a | (отметим, что, например, | v b | обозначает разность электрических потенциалом между vb и электрическим потенциалом com, который равен Vcom). Поэтому отображение полутонов может быть реализовано путем модуляции области покрытия, что достигается с помощью пары из светлого подпикселя и темного подпикселя. В данном случае светлым подпикселем является подпиксель, содержащий пиксельный электрод 17а, а темным подпикселем - подпиксель, содержащий пиксельный электрод 17b. Это позволяет усовершенствовать жидкокристаллическое дисплейное устройство по такому параметру, как угол обзора, в соответствии с данным вариантом реализации настоящего изобретения.

На фиг.1 показан конкретный пример пикселя 101, изображенного на фиг.3. Отметим, что фиг.1 легко воспринимается, поскольку на ней не показан элемент подложки цветного фильтра (противоположной подложки), а показаны только элементы подложки активной матрицы. В пикселе 101 имеются транзисторы 12а и 12b, транзистор 112, пиксельные электроды 17а и 17b, два конденсаторных электрода (первый конденсаторный электрод 67х и второй конденсаторный электрод 67z) и связующий электрод 67y (СЕ) (см. фиг.1). Транзисторы 12а и 12b расположены вблизи пересечения линии 15 сигнала данных и линии 16 сигнала развертки. Транзистор 112 расположен вблизи пересечения линии 15 сигнала данных и линии 116 сигнала развертки. Пиксельный электрод 17b, который на виде сверху имеет форму трапеции, и пиксельный электрод 17а, который имеет форму, согласованную с формой пиксельного электрода 17b, выровнены к направлении строк в пиксельной области, образованной линией 15 сигнала данных и линией 16 развертки. Первый и второй конденсаторные электроды 67х и 67z и связующий электрод 67y (СЕ) выполнены в слое, в котором выполнена линия 15 сигнала данных. Отметим, что линия 18 запоминающего конденсатора проходит в направлении строк, так что линия 18 запоминающего конденсатора и пиксельные электроды 17а и 17b перекрываются.

Более конкретно, пиксельный электрод 17b имеет с первой по четвертую стороны. Первая сторона пересекается с линией 18 запоминающего конденсатора по существу под прямым углом. Вторая сторона проходит от одного конца первой стороны под углом приблизительно 45° относительно направления строк. Третья сторона проходит от другого конца первой стороны под углом приблизительно 315° относительно направления строк. Четвертая сторона проходит параллельно первой стороне и пересекается с линией 18 запоминающего конденсатора. Пиксельный электрод 17b имеет форму трапеции, и его первая сторона и четвертая сторона служат ее верхним основанием и нижним основанием соответственно. Линия, задаваемая медианами первой и четвертой сторон, проходит над линией 18 запоминающего конденсатора.

Пиксельный электрод 17а имеет с первой по восьмую стороны. Стороны с четвертой по шестую проходят вдоль линии 15 сигнала данных, седьмая сторона проходит вдоль линии 16 сигнала развертки, а восьмая сторона проходит вдоль линии 116 сигнала развертки. С первой по третью стороны соответственно обращены к с первой по третью сторонам пиксельного электрода 17b. Между первой стороной пиксельного электрода 17b и первой стороной пиксельного электрода 17а имеется первый зазор S1, между второй стороной пиксельного электрода 17b и второй стороной пиксельного электрода 17а имеется второй зазор S2, а между третьей стороной пиксельного электрода 17b и третьей стороной пиксельного электрода 17а имеется третий зазор S3.

Отметим, что (i) первый конденсаторный электрод 67х, связующий электрод 67y и второй конденсаторный электрод 67z выровнены в направлении строк в указанном порядке, так что каждый из них и линия 18 запоминающего конденсатора перекрываются через изолирующую пленку затвора (не показана), (ii) первый конденсаторный электрод 67х и пиксельный электрод 17а перекрываются через межслойную изолирующую пленку (не показана) и (iii) связующий электрод 67y, второй конденсаторный электрод 67z и пиксельный электрод 17b перекрываются через межслойную изолирующую пленку (не показана). Более конкретно, связующий электрод 67y выполнен в центре пикселя, (i) первый конденсаторный электрод 67х выполнен между одной (линия 15 сигнала данных) из двух соседних линий сигнала данных и связующим электродом 67y, а (ii) второй конденсаторный электрод 67z выполнен между другой из двух соседних линий сигнала данных и связующим электродом 67y, если смотреть на пиксель 101 сверху.

У транзисторов 12а и 12b имеется электрод 8 истока (общий электрод истока), который соединен с линией 15 сигнала данных. У транзистора 12а имеется электрод 9а стока, который связан с пиксельным электродом 17а через контактное окно 11a и провод, идущий из стока. У транзистора 12b имеется эле