Датчик давления
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 18.111.1968 (№ 1226270/18-10) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано 05.VIII.1969. Бюллетень ¹ 25
Дата опубликования описания 22.XI I.1969
Кл. 42k, 14/04
МПК С 011
УДК 531.787.913(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
Авторы изобретения
В. И. Терехов и Л. В. Новиков
Заявитель
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Предмет изобретения
Датчик давления, содержащий закреплен ную в корпусе круглую мембрану с,подложкой, на которой нанесены тензорезисторы, отличаюитийся тем, что, с целью повышения чув25 ствительности, уменьшения температурной зависимости и повышения радиационной стойкости датчика, в нем подложка выполнена из двуокиси кремния, а тензорезистор в виде пленки из кремния.
Изобретение относится к области измерительной техники и приборостроения.
В известных датчиках давления с круглой мембраной и кольцевыми пленочными тензометрами в качестве подложки используется окись алюминия, которая наносится на мембрану плазменным методом. При этом мембрана часто выходит из строя. Нанести окись алюминия на мембрану толщиной менее
0,45 мм не представляется возможным. Кроме того, окись алюминия, обладая макроструктурой, не позволяет получить гладкую поверхность при любом виде обработки.
Рабочая температура датчика не превышает
50 — 60 С.
Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что подложка его выполнена из двуокиси кремния, а тензорезистор — в виде пленки из кремния.
Подложка из двуокиси кремния наносится на упругий элемент методом испарения и конденсации в вакууме не ниже 10-з мм.
Полученная таким способом подложка имеет высокие изоляционные и механические характеристики. Она термостойка, выдерживает многократный циклический нагрев и не требует последующей механической обработки.
Тензорезисторы изгоговляются из кремния путем испарения и конденсации в вакууме не ниже 10 с мм. Коэффициент тензочувствительности не менее 110 единиц.
На чертеже дана конструкция мембранного
5 датчика давления с кольцевыми пленочными тензоэлементами.
Датчик содержит мембрану 1, подложку 2 из двуокиси кремния, тензорезистор 8 в виде пленки из кремния, расположенные концентои10 чески, серебро 4.
Датчик работает следующим образом.
При деформации мембраны происходит изменение геометрических размеров кольцевых тензорезисторов. Вследствие изменения сопро15 тпвления возникает электрический сигнал.
Такой датчик позволяет работать без применения усилителя .как при статических, так и при динамических измерениях дав.пения.
249700
Составитель Г. Н. Невская
Редактор T. В. Иванова Техред Т. П. Курилко Корректор Г. П. Шильман
Заказ 3299/5 Тираж 480 Подписно .
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2