Жидкокристаллическое устройство отображения и способ его изготовления

Иллюстрации

Показать все

Жидкокристаллическое устройство отображения содержит элемент (31) для блокировки проводимости для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой (19) для создания проводимости между шиной (12) затворов и основной шиной (14c) в контактном отверстии (20) в активно-матричной подложке (1) и электродной пленкой (23) в качестве общего электрода противоположной подложки (2). Элемент (31) для блокировки проводимости обеспечен на, по меньшей мере, какой-то одной из активно-матричной подложки (1) и противоположной подложки (2) в положении, по меньшей мере, частично перекрывающем электродную пленку (19) в направлении нормали к подложке между электродной пленкой (19) активно-матричной подложки (1) и электродной пленкой (23) противоположной подложки (2). Технический результат - обеспечение препятствия для возникновения короткого замыкания между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой. 2 н. и 14 з.п. ф-лы, 19 ил.

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическим устройствам отображения и, в частности, к жидкокристаллическим устройствам отображения, имеющим конструкцию, в которой активно-матричная подложка и противоположная подложка склеены между собой и жидкий кристалл герметизирован между ними, и к способу изготовления упомянутых устройств отображения.

ОБЗОР СОСТОЯНИЯ ТЕХНИКИ

Известно, что жидкокристаллическое устройство отображения, в котором активно-матричная подложка и противоположная подложка склеены между собой и жидкий кристалл заключен между подложками, т.е. жидкокристаллическое устройство отображения так называемого активно-матричного типа, получило широкое распространение. На активно-матричной подложке функцию управляющего элемента для жидкого кристалла выполняет полупроводниковое устройство (например, тонкопленочные транзисторы, сокращенно обозначаемые, например, TFT), и для управления полупроводниковым устройством сформированы шины. С другой стороны, цветной светофильтр и т.п. сформированы на противоположной подложке, при необходимости, и на всей поверхности данной подложки сформирован общий электрод.

В традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения активно-матричного типа контакты внешних соединений для подключения источника питания и подачи напряжения обычно расположены на стороне активно-матричной подложки. Поэтому, например, чтобы подавать напряжение, подводимое с контакта внешнего соединения на активно-матричной подложке, на общий электрод на противоположной подложке, необходимо создать непрерывную электрическую цепь между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой.

В качестве средства для создания непрерывной электрической цепи между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой (1) между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой закладывают серебряную пасту (см., например, патентный документ №1), (2) герметизирующий материал, которым активно-матричную подложку и противоположную подложку склеивают между собой, содержит электропроводящие шарики (см., например, патентный документ №2), а также известны другие средства.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

ПАТЕНТНАЯ ЛИТЕРАТУРА

Патентный документ №1: Выложенная японская патентная публикация №8-234224.

Патентный документ №2: Выложенная японская патентная публикация №2000-199915.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОБЛЕМА

В последние годы, в частности, в области жидкокристаллических устройств отображения с большим экраном достигнут прогресс в области разработки так называемых монолитных панелей, в которых в области активно-матричной подложки снаружи области пикселей одновременно формируют в пикселе схему управления по технологии изготовления полупроводникового устройства. При этом в области, в которой расположены схема управления и шины активно-матричной подложки снаружи области пикселей (часто называемой областью рамки), шины часто открыты на поверхности активно-матричной подложки.

По указанной причине, когда к поверхности панели прилагают какое-либо давление нажимом на поверхность панели пальцем или чем-то подобным, зазор ячейки между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой уменьшается. В результате создается проблема возникновения время от времени короткого замыкания между шинами на активно-матричной подложке и общим электродом на противоположной подложке. Как поясняется в вышеупомянутом патентном документе №2, в случае когда электрическую проводимость между подложками обеспечивают с использованием герметизирующего материала, содержащего электропроводящие шарики, если электропроводящие шарики в герметизирующем материале могут проникать на другой участок, кроме проводящего участка (например, участка контакта между основными шинами и другими шинами (топологии электродов) или подобного участка), возникает проблема короткого замыкания участка контакта и общего электрода на противоположной подложке.

В некоторых случаях ориентирующая пленка в области пикселей сформирована с продолжением на шину или топологию электрода снаружи области пикселей на активно-матричной подложке. Ориентирующая пленка является очень тонкой, т.е. имеет толщину обычно около 100 нм, которая не может обеспечить изолирующую способность, достаточную для предохранения от пробоя диэлектрика между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой, когда зазор ячейки уменьшается вследствие приложенного давления, или когда электропроводящие шарики в герметизирующем материале проникают на участок контакта, или в подобном случае.

Настоящее изобретение создано в связи с вышеупомянутыми проблемами, и целью настоящего изобретения является создание жидкокристаллического устройства отображения, в котором активно-матричная подложка и противоположная подложка склеены между собой, и жидкокристаллического устройства отображения, в котором практически не возникает короткого замыкания между подложками.

РЕШЕНИЕ ПРОБЛЕМЫ

Жидкокристаллическое устройство отображения в соответствии с настоящим изобретением представляет собой жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее область пикселей, в которой сформировано множество пиксельных электродов, и периферическую область, расположенную снаружи области пикселей, и содержащее активно-матричную подложку и противоположную подложку, общий электрод, при этом активно-матричная подложка содержит: первую шину, продолженную в периферическую область; первый изолирующий слой, сформированный на первой шине; вторую шину, продолженную на изолирующий слой в периферической области; второй изолирующий слой, сформированный на второй шине; и электродную пленку, расположенную в сквозном отверстии, сформированном в первом изолирующем слое и втором изолирующем слое в периферической области, для электрического соединения первой шины и второй шины, и между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой в периферической области обеспечены герметизирующий материал для склеивания между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки и элемент для блокировки проводимости, расположенный в положении, по меньшей мере, частично перекрывающем электродную пленку, для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой и общим электродом.

Способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с настоящим изобретением является способом изготовления жидкокристаллического устройства отображения, содержащего область пикселей, в которой сформировано множество пиксельных электродов, и периферическую область, расположенную снаружи области пикселей, и содержащего активно-матричную подложку и противоположную подложку, содержащую общий электрод, при этом способ содержит следующие этапы: формируют первую шину, продолженную в периферическую область, на активно-матричной подложке; формируют первый изолирующий слой на первой шине активно-матричной подложки; формируют вторую шину, продолженную в периферическую область, на первом изолирующем слое активно-матричной подложки; формируют второй изолирующий слой на второй шине активно-матричной подложки; формируют сквозное отверстие в первом изолирующем слое и втором изолирующем слое в периферической области; формируют электродную пленку для электрического соединения первой шины и второй шины в сквозном отверстии; формируют общий электрод на противоположной подложке; формируют элемент для блокировки проводимости для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой и общим электродом, на чем-то одном из активно-матричной подложки и противоположной подложки; и склеивают между собой активно-матричную подложку и противоположную подложку герметизирующим материалом таким образом, что, по меньшей мере, часть электродной пленки перекрывает элемент для блокировки проводимости на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки.

ПОЛЕЗНЫЕ ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В соответствии с настоящим изобретением можно обеспечить жидкокристаллическое устройство отображения, сформированное склеиванием между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки, в котором практически не возникает короткое замыкание между подложками.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Фиг.1 - вид в плане, представляющий конфигурацию жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с первым вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг.2 - увеличенный вид в плане, представляющий окрестность области A, ограниченную штриховым кружком на фиг.1 в жидкокристаллическом устройстве отображения в соответствии с первым вариантом осуществления.

Фиг.3 - сечение по линии B-B, показанной на фиг.2.

Фиг.4 - увеличенный вид в плане, представляющий окрестность области A, ограниченную штриховым кружком на фиг.1, в жидкокристаллическом устройстве отображения в соответствии со вторым вариантом осуществления.

Фиг.5 - сечение по линии B-B, показанной на фиг.4.

Фиг.6 - сечение по линии C-C, показанной на фиг.4.

Фиг.7 - сечение общей конфигурации первого примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.8 - сечение общей конфигурации второго примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.9 - сечение общей конфигурации третьего примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.10 - сечение общей конфигурации четвертого примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.11 - сечение общей конфигурации пятого примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.12 - сечение общей конфигурации шестого примера модификации жидкокристаллического модуля 101.

Фиг.13 - сечение, более подробно представляющее конфигурацию в окрестности проводящего участка 41 во втором примере модификации.

Фиг.14 - сечение, более подробно представляющее конфигурацию в окрестности участка 42 контакта во втором примере модификации.

Фиг.15 - сечение, представляющее конфигурацию (конфигурацию пикселя в сечении) и взятое по линии D-D, показанной на фиг.1.

Фиг.16 - сечение, взятое по линии D-D, показанной на фиг.1, и представляющее конфигурацию, в которой в области пикселей сформирована структура, регулирующая ориентацию.

Фиг.17 - вид в плане, схематично представляющий конфигурацию ТПТ (тонкопленочного транзистора) 30 и участок 63 контакта в его окрестности в строчном драйвере 4a.

Фиг.18 - сечение, взятое по линии E-E, показанной на фиг.17.

Фиг.19 - сечение общей конфигурации жидкокристаллического модуля в соответствии с первым сравнительным примером для сравнения со вторым вариантом осуществления.

ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

Жидкокристаллическое устройство отображения в одном варианте осуществления настоящего изобретения представляет собой жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее область пикселей, в которой сформировано множество пиксельных электродов, и периферическую область, расположенную снаружи области пикселей, и содержащее активно-матричную подложку и противоположную подложку, содержащую общий электрод, при этом активно-матричная подложка содержит первую шину, продолженную в периферическую область, первый изолирующий слой, сформированный на первой шине, вторую шину, продолженную на первый изолирующий слой в периферической области, второй изолирующий слой, сформированный на второй шине, и электродную пленку, расположенную в сквозном отверстии, сформированном в первом изолирующем слое и втором изолирующем слое, для электрического соединения первой шины и второй шины, и между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой на периферическом участке обеспечены герметизирующий материал для склеивания между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки и элемент для блокировки проводимости, расположенный в положении, по меньшей мере, частично перекрывающем электродную пленку на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки, для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой и общим электродом.

В жидкокристаллическом устройстве отображения с вышеописанной конфигурацией первая шина и вторая шина соединены электродной пленкой через сквозное отверстие в периферической области активно-матричной подложки снаружи области пикселей. Между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой в периферической области в дополнение к герметизирующему материалу для склеивания между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки в положении, по меньшей мере, частично перекрывающем электродную пленку на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки, обеспечен элемент для блокировки проводимости для предотвращения электрической проводимости между электродной пленкой и общим электродом противоположной подложки. В данной конфигурации, когда с внешней стороны подложки прилагается какое-либо давление или когда между электродной пленкой активно-матричной подложки и общим электродом противоположной подложки вставлено какое-либо проводящее вещество, возникающее из-за этого короткое замыкание между подложками фактически можно устранять посредством элемента для блокировки проводимости. В результате можно обеспечить жидкокристаллическое устройство отображения, сформированное склеиванием между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки, в котором практически не возникает короткое замыкание между подложками.

В вышеописанном жидкокристаллическом устройстве отображения элемент для блокировки проводимости, в качестве альтернативы, может иметь форму, находящуюся в контакте как с электродной пленкой, так и с общим электродом, или может иметь форму, находящуюся в контакте только с чем-то одним из электродной пленки и общего электрода. В случае первой формы между элементом для блокировки проводимости и электродной пленкой или общим электродом почти не существует пространства, в которое проникает какое-либо проводящее вещество, так что короткое замыкание можно предотвращать надежнее. Кроме того, элемент для блокировки проводимости выполняет также функцию разделителя снаружи области пикселей, так что в области снаружи области пикселей может выдерживаться зазор между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой. С другой стороны, при использовании последней упомянутой формы высота элемента для блокировки проводимости меньше, чем зазор ячейки, что дает преимущество в том, что в случае, когда какой-либо материал проникает между элементом для блокировки проводимости и электродной пленкой или общим электродом, противоположным электродной пленке, толщина подложки в данном положении увеличивается меньше.

В предпочтительном варианте вышеописанного жидкокристаллического устройства отображения элемент для блокировки проводимости имеет торцевую поверхность, которая противолежит активно-матричной подложке, но не находится в контакте с активно-матричной подложкой, и упомянутая торцевая поверхность элемента для блокировки проводимости сформирована так, чтобы иметь вогнутость и выпуклость. При использовании данной конфигурации в случае, когда герметизирующий или подобный материал проникает между элементом для блокировки проводимости и электродной пленкой или общим электродом, противоположным электродной пленке, проникший материал захватывается в пространстве вогнутости, что обеспечивает полезную возможность предотвращения увеличения толщины подложки в данном положении.

В предпочтительном варианте вышеописанное жидкокристаллическое устройство отображения содержит схему управления, расположенную на активно-матричной подложке в периферической области, и второй элемент для блокировки проводимости, расположенный между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой в периферической области и расположенный в положении, перекрывающем схему управления на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки. Посредством второго элемента для блокировки проводимости можно устранять короткое замыкание между шиной в схеме управления и электродом на противоположной подложке. В вышеописанной предпочтительной конфигурации второй элемент для блокировки проводимости предпочтительно является черным и область шины схемы управления и второй элемент для блокировки проводимости расположены с, по меньшей мере, частичным перекрытием на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки. В данном варианте осуществления элемент для блокировки проводимости выполняет функцию светозапорного слоя для элемента управления в схеме управления, и тем самым можно не допустить ухудшения характеристик элемента управления.

В предпочтительном варианте вышеописанное жидкокристаллическое устройство отображения дополнительно содержит выступающую структуру, обеспеченную между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой в области пикселей, и элемент для блокировки проводимости сформирован из такого же материала, как материал выступающей структуры. При использовании данной конфигурации процесс изготовления можно упростить, так как элемент для блокировки проводимости и выступающую структуру выполняют из одного и того же материала. Кроме того, в предпочтительном варианте выступающая структура может быть разделителем, устанавливающим зазор между активно-матричной подложкой и противоположной подложкой. В альтернативном варианте выступающая структура предпочтительно может быть структурой, регулирующей ориентацию, чтобы задавать состояние ориентации жидкого кристалла. При этом в предпочтительном варианте выступающая структура и элемент для блокировки проводимости расположены в том же слое активной матрицы активно-матричной подложки. В частности, активно-матричная подложка сформирована последовательным наслаиванием различных слоев из металла, смолы или подобного материала на светопропускающей подложке, например стеклянной подложке. В предпочтительном варианте выступающая структура и элемент для блокировки проводимости обеспечены в одном и том же слое многослойной структуры.

В предпочтительном варианте вышеописанного жидкокристаллического устройства отображения герметизирующий материал может содержать проводящие твердые частицы и может быть дополнительно расположен между электродной пленкой и общим электродом на противоположной подложке. При использовании данной конфигурации элемент для блокировки проводимости не допускает проникновения проводящих твердых частиц между электродной пленкой активно-матричной подложки и общим электродом на противоположной подложке, так что фактически можно устранять короткое замыкание между подложками.

Кроме того, в вышеописанном жидкокристаллическом устройстве отображения на поверхности второго изолирующего слоя в сквозном отверстии предпочтительно сформирован ступенчатый участок, и концевой участок электродной пленки расположен на ступенчатом участке. С использованием данной конфигурации можно достаточно надежно обеспечивать расстояние между электродной пленкой и общим электродом на противоположной подложке. Соответственно, получают такое преимущество, как возможность надежнее предотвращать короткое замыкание между электродной пленкой активно-матричной подложки и общим электродом противоположной подложки.

Способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения в соответствии с одним вариантом осуществления представляет собой способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения, содержащего область пикселей, в которой сформировано множество пиксельных электродов, и периферическую область, расположенную снаружи области пикселей, и содержащего активно-матричную подложку и противоположную подложку, содержащую общий электрод, при этом способ содержит следующие этапы: (a) этап формирования первой шины, продолженной в периферическую область, на активно-матричной подложке; (b) этап формирования первого изолирующего слоя на первой шине активно-матричной подложки; (c) этап формирования второй шины, продолженной в периферическую область, на первом изолирующем слое активно-матричной подложки; (d) этап формирования второго изолирующего слоя на второй шине активно-матричной подложки; (e) этап формирования сквозного отверстия в первом изолирующем слое и втором изолирующем слое на периферическом участке; (f) этап формирования электродной пленки для электрического соединения первой шины и второй шины; (g) этап формирования общего электрода на противоположной подложке; (h) этап формирования элемента для блокировки проводимости для предотвращения возникновения электрической проводимости между электродной пленкой и общим электродом на чем-то одном из активно-матричной подложки и противоположной подложки; и (i) этап склеивания между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки герметизирующим материалом таким образом, что, по меньшей мере, часть электродной пленки перекрывается с элементом для блокировки проводимости на виде в направлении нормали к подложке активно-матричной подложки. В способе изготовления этапы (a)-(i) не обязательно выполнять в приведенном алфавитном порядке.

В жидкокристаллическом устройстве отображения, изготовленном приведенным способом, элемент для блокировки проводимости предотвращает электрическую проводимость между электродной пленкой и общим электродом на противоположной подложке, так что даже в случае, когда снаружи прилагается какое-либо давление, или в случае, когда между электродной пленкой активно-матричной подложки и общим электродом противоположной подложки вставлено некоторое проводящее вещество, можно фактически устранить возникающее короткое замыкание между подложками. В результате можно реализовать жидкокристаллическое устройство отображения, изготовленное склеиванием между собой активно-матричной подложки и противоположной подложки, в котором практически не возникает короткое замыкание между подложками.

Вышеописанный способ может дополнительно содержать этап формирования выступающей структуры в области пикселей на, по меньшей мере, какой-то одной из активно-матричной подложки и противоположной подложки. В предпочтительном варианте материал элемента для блокировки проводимости и материал выступающей структуры идентичны и этап формирования выступающей структуры и этап формирования элемента для блокировки проводимости выполняют одновременно. В соответствии со способом элемент для блокировки проводимости формируют из такого же материала, как материал выступающей структуры в области пикселей, и формируют одновременно с выступающей структурой, вследствие чего получают такое преимущество, как возможность упрощения способа изготовления.

Ниже со ссылками на прилагаемые чертежи приведено описание предпочтительных вариантов осуществления жидкокристаллических устройств отображения в соответствии с настоящим изобретением. Для простоты на представленных ниже чертежах конфигурация показана упрощенно или схематично или не показаны некоторые конструктивные элементы. Кроме того, соотношение размеров структурных элементов, изображенных на соответствующих фигурах, не обязательно соответствуют фактическому соотношению размеров.

Вариант осуществления 1

На фиг.1 приведен вид в плане, схематично представляющий общую конфигурацию жидкокристаллического модуля (жидкокристаллического устройства отображения) в соответствии с первым вариантом осуществления настоящего изобретения. Как видно на фиг.1, жидкокристаллический модуль 100 в соответствии с первым вариантом осуществления содержит активно-матричную подложку 1 и противоположную подложку 2. Активно-матричная подложка 1 и противоположная подложка 2 склеены герметизирующим материалом (не показанным) с предварительно заданным зазором, выдерживаемым посредством разделителя (выступающей структуры) из фоторезиста (называемого в дальнейшем фоторазделителем), расположенного в области пикселей. Жидкий кристалл герметизирован в пространстве, сформированном активно-матричной подложкой 1, противоположной подложкой 2 и герметизирующим материалом.

Активно-матричная подложка 1 содержит область 3 пикселей, в которой пиксельные электроды 43 расположены в виде матрицы, и строчные драйверы 4a и 4b, расположенные с обеих сторон от области 3 пикселей (в примере, приведенном на фиг.1, с обеих сторон в горизонтальном направлении (продольном направлении)). В области 3 пикселей шина 5 истоков и шина 6 затворов расположены взаимно ортогонально. В окрестности точки пересечения шины 5 истоков и шины 6 затворов сформирован тонкопленочный транзистор (ТПТ) 7. Хотя на фиг.1 внутренняя конструкция строчных драйверов 4a и 4b не показана, данная конструкция содержит переключающий элемент (ТПТ 30, показанный на фиг.3), который формируют одновременно с выполнением процесса изготовления ТПТ 7 в области 3 пикселей. В частности, строчные драйверы 4a и 4b формируют монолитным способом в активно-матричной подложке 1.

Что касается ТПТ 7, электрод затвора соединен с шиной 6 затворов, электрод истока соединен с шиной 5 истоков, и электрод стока соединен с пиксельным электродом 43 соответственно. Стробирующий сигнал подается из строчных драйверов 4a и 4b на электрод затвора ТПТ 7 по шине 6 затворов и тем самым управляет состоянием включения/выключения ТПТ 7. На электрод истока ТПТ 7 подается сигнал данных из столбцового драйвера, который не показан, по шине 5 истоков.

Активно-матричная подложка 1 сформирована таким образом, что длина ее короткой стороны больше, чем длина короткой стороны противоположной подложки 2. На участке активно-матричной подложки 1, которая не покрыта противоположной подложкой 2, сформирована контактная область 8 для ввода и вывода различных сигналов, проходящих между активно-матричной подложкой 1 и внешней схемой. Например, каждая шина 5 истоков соединена со столбцовым драйвером (не показанным), обеспеченным снаружи активно-матричной подложки 1, посредством контакта соединения со столбцовым драйвером, сформированного в контактной области 8. На фиг.1 контакты контактной области 8 не показаны, но в контактной области 8 может быть сформирован один контакт или сформированы, по меньшей мере, два контакта.

На фиг.1 снаружи строчных драйверов 4a и 4b (на внешней периферической стороне подложки) показаны основные шины 14, обведенные овалом. Следует понимать, что на фиг.1 показана одна примерная конфигурация основных шин 14, и поэтому возможно применение любой другой конфигурации, в которой число основных шин является другим. Основные шины 14 соединены с контактами контактной области 8. Хотя подробное описание основных шин 14 приведено в дальнейшем, можно упомянуть, что основные шины 14 формируют из такого же материала, как материал шины 5 истоков или шины 6 затворов области 3 пикселей, и формируют одновременно с шиной 5 истоков или шиной 6 затворов. Герметизирующий материал наносят снаружи строчного драйвера 4a (на внешней периферической стороне подложки), чтобы покрыть, по меньшей мере, одну из основных шин 14. Область, расположенная снаружи области пикселей, в которой расположены строчные драйверы 4a и 4b, основные шины 14, контактная область 8 и т.п., называется периферической областью в настоящем описании.

На фиг.2 приведен увеличенный вид в плане, представляющий окрестность области A, ограниченную штриховым кружком на фиг.1. Как показано на фиг.2, снаружи строчного драйвера 4a (на внешней периферической стороне подложки) расположено множество основных шин 14a-14d. В примере, приведенном на фиг.2, обеспечен участок 42 контакта с шиной 12 затворов (первой шиной: шиной для подачи управляющего напряжения и сигнала в строчный драйвер 4a), соединенный со строчным драйвером 4a.

Структура участка 42 контакта поясняется ниже со ссылкой на фиг.3. На фиг.3 приведено сечение, взятое по линии B-B, показанной на фиг.2, и представляющее в сечении структуру участка 42 контакта. На фиг.3 структура участка 42 контакта в сечении показана в упрощенном виде. Например, в предпочтительном варианте основная шина 14 имеет многослойную структуру, содержащую множество типов металлических слоев, но на фиг.3 основная шина 14 сокращенно показана в виде одного слоя металлического слоя. На фиг.3 не показана также, например, пассивирующая пленка и т.п. Кроме того, степень ровности различных пленок, отношение размеров конструктивных элементов и т.п., показанные на фиг.3, не обязательно представляют фактические состояния.

Как показано на фиг.3, жидкокристаллический модуль 100 в соответствии с настоящим вариантом осуществления имеет конфигурацию, в которой активно-матричная подложка 1 и противоположная подложка 2 склеены между собой герметизирующим материалом 40 и жидкий кристалл 34 герметизирован в зазоре между упомянутыми подложками. Зазор между активно-матричной подложкой 1 и противоположной подложкой 2 выдерживается фоторазделителем (выступающей структурой), имеющим форму столбика или стенки, постоянную высоту и обеспеченным в области 3 пикселей. Фоторазделитель формируют обычно из смолы или подобного материала, чтобы перекрывать шину 5 истоков или шину 6 затворов, но не захватывать апертурный участок пикселя. Подробное описание варианта осуществления фоторазделителя приведено в дальнейшем со ссылкой на фиг.15.

Для герметизирующего материала 40 можно воспользоваться таким материалом, как термореактивная смола. В предпочтительном варианте герметизирующий материал 40 дополнительно обладает способностью к фотополимеризации. В результате, после того как активно-матричную подложку 1 и противоположную подложку установят и затем склеят между собой, герметизирующий материал 40 можно временно отвердить освещением и затем герметизирующий материал 40 можно окончательно отвердить нагреванием. В качестве смолы, обладающей приведенными свойствами, пригодна смола, смешанная из эпоксидной смолы и акриловой смолы, или подобная смола. В качестве герметизирующего материала 40 можно применить фотополимеризующуюся смолу.

Как показано на фиг.3, активно-матричная подложка 1 содержит стеклянную подложку 11 и шину 12 затворов (первую шину), сформированную на поверхности стеклянной подложки 11. Шина 12 затворов соединена с электродом затвора ТПТ 30 в строчном драйвере 4a. Шину 12 затворов формируют из такого же материала, как материал шины 6 затворов в области пикселей, одновременно с шиной 6 затворов, по технологии формирования шины 6 затворов. В предпочтительном варианте шины 6 и 12 затворов имеют, например, трехслойную структуру из слоя титана, слоя алюминия и слоя титана. Структура не ограничена данной структурой. В альтернативном варианте шины 6 и 12 затворов могут быть одним металлическим слоем или могут быть металлическим слоем, содержащим два слоя или, по меньшей мере, четыре слоя. В альтернативном варианте вместо алюминия можно использовать такой металл, как, например, молибден или подобный металл. Шина 12 затворов покрыта межслойной изолирующей пленкой 13 (первым изолирующим слоем). Межслойную изолирующую пленку 13 называют также изолирующей пленкой затвора, и подходящей в данном случае может быть пленка нитрида кремния.

На межслойной изолирующей пленке 13 обеспечена основная шина 14 (14a-14c: вторая шина). Основные шины 14a-14c формируют из такого же материала, как материал шины 5 истоков в области 3 пикселей, одновременно с шиной 5 истоков по технологии формирования шины 5 истоков. В предпочтительном варианте шина 5 истоков и основные шины 14a-14c имеют двухслойную структуру, в которой слой алюминия уложен на слой титана, но структура не ограничена вышеописанной структурой. В альтернативном варианте шина 5 истоков и основные шины 14a-14c могут быть одним металлическим слоем или металлическим слоем из, по меньшей мере, трех слоев. Вместо алюминия можно использовать, например, молибден и т.п. В настоящем варианте осуществления основная шина 14d активно-матричной подложки 1 электрически соединена с общим электродом (описанным в дальнейшем) противоположной подложки 2 с помощью серебряной пасты (не показанной), обеспеченной в соответствующем месте.

На основной шине 14 и ТПТ 30 обеспечена межслойная изолирующая пленка 18 (второй изолирующий слой). Согласно известным методам в области 3 пикселей на поверхности межслойной изолирующей пленки 18 обеспечены пиксельный электрод 43, сформированный из прозрачной электродной пленки, например, оксидов индия и олова (ITO) или подобного материала, и ориентирующая пленка (не показанная) для регулирования ориентации жидкого кристалла 34.

С другой стороны, противоположная подложка 2 содержит цветной фильтр (который не показан на фиг.3), расположенный на стеклянной подложке 21, и дополнительно содержит покрывную пленку 22 для защиты цветного фильтра и прозрачной электродной пленки 23. Электродная пленка 23 покрывает всю поверхность противоположной подложки 2 и выполняет функцию общего электрода. В области 3 пикселей на поверхности электродной пленки 23 противоположной подложки 2 обеспечена ориентирующая пленка (не показанная) для регулирования ориентации жидкого кристалла 34. В противоположной подложке 2 в области, противоположной строчному драйверу 4a, обеспечен светозапорный слой (черная матрица) 24, чтобы не допускать ухудшения характеристик ТПТ 30 в строчном драйвере 4a под действием света.

Как показано на фиг.3, на участке 42 контакта обеспечено сквозное отверстие (контактное отверстие) 20, которое сформировано насквозь через межслойную изолирующую пленку 18 и межслойную изолирующую пленку 13 на основной шине 14c. Через сквозное отверстие 20 и электродную пленку 19 выполнено электрическое соединение основной шины 14c и шины 12 затворов. В частности, электродная пленка 19 нанесена непрерывным слоем на межслойную изолирующую пленку 18 на участке 42 контакта, на поверхности стенок межслойной изолирующей пленки 13, основной шины 14c и межслойной изолирующей пленки 18 в сквозном отверстии 20 и на шину 12 затворов, открытую на нижнем участке сквозного отверстия 20.

Электродная пленка 19, показанная на фиг.3, сформирована из такого же материала, как материал пиксельного электрода 43 (например, ITO (оксидов индия и олова)) в области 3 пикселей, одновременно с пиксельным электродом 43. Конструктивный элемент, обозначенный позицией 27 на фиг.3, является нижним полупроводниковым слоем, и конструктивный элемент, обозначенный позицией 28 на фиг.3, является верхним полупроводниковым слоем. Нижний полупроводниковый слой 27 и верхний полупроводниковый слой 28 можно формировать, например, одновременно с формированием полупроводникового слоя ТПТ 30. В случае когда нижний полупроводниковый слой 27 и верхний полупроводниковый слой 28 открыты в сквозном отверстии 20, электродная пленка 19 сформирована на поверхностях стенок данных слоев.

Элемент 31a для блокировки проводимости, образованный изоляционной смолой, сформирован на электродной пленке 23 противоположной подложки 2, на участке 42 контакта, показанном на фиг.3, и элемент 31b для блокировки проводимости сформирован с внутренней стороны (со стороны, находящейся ближе к ТПТ 30) от участка 42 контакта. В нижеследующем описании, если требуется описание элементов 31a и 31b для блокировки проводимости по отдельности, применяются позиции 31a и 31b. Если же выполняется общее описание элементов 31a и 31b для блокировки проводимости, применяется позиция 31. Элемент 31 для блокировки проводимости является структурой, отличающейся от герметизирующего материала 40. В альтернативном варианте между электродной пленкой 23 и элементом 31 для блокировки проводимости может находиться ориентирующая пленка (не показанная), продолженная из области 3 пикселей. Элемент 31 для блокировки проводимости необходимо обеспечивать в состоянии, в котором, по меньшей мере, часть элемента 31 для блокировки проводимости перекрывает электродную пленку 19 активно-матричной подложки 1 в направлении нормали относительно поверхности подложки (в направлении, перпендикулярном поверхности подложки) (при наблюдени