Способ изготовления микросхемijcli;5'hj3iift>&i

Способ изготовления микросхемijcli;5'hj3iift>&i

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 250235

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 12.111.1966 (№ 1060753/26-9) с присоединением заявки № 1088938/26-9

Приоритет

Опубликовано 12.Ч111.1969, Бюллетень М 26

Дата опубликования описания 9.1.1970

Кл. 21а, 75

МПК Н 051<

УДК 621 3.049 75 (088.8) комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

М. T. Костышин, Е. В. Михайловская, П. Ф. Романенко и В. П. Скуридин

Институт кибернетики Академии наук Украинской ССР и Институт полупроводников Академии наук Украинской ССР

Заявители

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ

БИБЛИОТЕКА

Известны способы изготовления микросхем, основанные на вакуумном напылении на подложку материалов, изменяющих свои параметры под действием света, и проектировании на подложку изображения микросхемы.

Цель изобретения — повышение стабильности параметров схемы. Достигается это тем, что на подложку одновременно напыляют аурипигмент (АзеЗз) и серебро (Ag), а после напыления закрепляют изображение схемы, совмещая проектирование изображения с нагревом подложки.

В вакууме порядка 1 ° 10 4 — 1 ° 10- мм рт, ст. при температуре 300 †3 С одновременно напыляют аурипигмент со скоростью

1 — 2 нм/сек и серебро со скоростью

0,1 — 0,5 на/сек до получения общей толщины слоя порядка 100 †100 нм.

После напыления проектируют на полученный слой изображения элементов схемы, одновременно нагревая подложку для закрепления изображения.

До экспонирования нанесенный на подложку слой имеет удельное сопротивление примерно 1000 ом/см, а после экспонирования

10 ом/см. Варьируя длительность экспозиции или интенсивность засветки получают промежуточные значения удельного сопротивления

5 участков слоя. Повторяя описанные процессы напыления и экспонирования получают многослойные схемы.

10 Предмет изобретения

Способ изготовления микросхем, основанный на вакуумном напылении на подложку слоев материалов, изменяющих свои пара15 метры под действием света, и проектировании на подложку изображения микросхемы, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров схем, на подложку одновременно напыляют аурипигмент (Азефа)

20 и серебро (Ад), а после напыления производят закрепление изображения схемы, совмещая проектирование изображения с нагревом подложки.

Приоритет исчислять с 8 июля 1966 г.