Полупроводниковый прибор, способ изготовления полупроводникового прибора, устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, способ изготовления устройства и система передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик

Полупроводниковый прибор, способ изготовления полупроводникового прибора, устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, способ изготовления устройства и система передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Область техники, к которой относится изобретение

Настоящее изобретение относится к полупроводниковому прибору, способу изготовления полупроводникового прибора, устройству для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, способу изготовления устройства и системе передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик.

Уровень техники

В последние годы в связи со значительным увеличением объема информации в движущихся изображениях, компьютерных изображениях и т.п.используются разнообразные устройства для передачи модулирующего сигнала, такого как сигнал миллиметрового диапазона с высокой скоростью. В таком устройстве передачи модулирующего сигнала с высокой скоростью важно передавать высокоскоростной модулирующий сигнал, такой как сигнал миллиметрового диапазона, без ошибок.

При этом, если рассматривать корпусированные полупроводниковые приборы для передачи модулирующего сигнала, во многих случаях полупроводниковый кристалл, включающий множество схемных компонентов, выполненных на полупроводниковом элементе для создания большой электронной схемы, загерметизирован в небольшом корпусе, имеющем большое число выводов (клемм).

На Фиг.38А представлен вид сверху, иллюстрирующий пример конфигурации известного корпусированного полупроводникового прибора 1, а Фиг.38В представляет вид в разрезе по линии X3-X3 на Фиг.38А. Корпусированный полупроводниковый прибор 1, показанный на Фиг.38А, включает в себя полупроводниковый кристалл 2 и промежуточную подложку 4.

Полупроводниковый кристалл 2 смонтирован на промежуточной подложке 4 и включает в себя электрическую схему для передачи модулирующего сигнала. Этот полупроводниковый кристалл 2 имеет на поверхности несколько электродных площадок 3. Промежуточная подложка 4 имеет на поверхности обратной стороны несколько электродных клемм 5. Эти электродные клеммы 5 являются клеммами для электрического соединения с монтажной подложкой, на которую устанавливают корпусированный полупроводниковый прибор 1, и служат для соединения с источником питания, заземлением и для ввода/вывода электрических сигналов. Промежуточная подложка 4 соединяет электродные площадки 3 полупроводникового кристалла с электродными клеммами 5. Электродные площадки 3 полупроводникового кристалла 2 соединены с электродами 6 выводов посредством проволочных перемычек 7.

Кроме того, промежуточная подложка 4 имеет на поверхности электроды 6 выводов, соответствующие электродным площадкам 3. Электроды 6 выводов соединены с электродными клеммами 5 посредством рисунка электрических проводников на промежуточной подложке 4. Обычно для соединения полупроводникового кристалла 2 с промежуточной подложкой 4 используют выводные рамки или проволочные перемычки 7. В противном случае применяется способ обращенного монтажа с использованием припойных шариковых выводов. При использовании способа обращенного монтажа на задней поверхности полупроводникового кристалла 2 и на поверхности промежуточной подложки 4 выполняют выступающие электроды 9 (контактные столбики: припойные шариковые выводы) и соединяют полупроводниковый кристалл 2 с промежуточной подложкой 4 через эти припойные шариковые выводы.

Полупроводниковый кристалл 2 и проволочные перемычки 7, смонтированные на промежуточной подложке 4, заливают и герметизируют литьевым полимерным компаундом 8. Этот литьевой полимерный компаунд 8 является диэлектрическим материалом, а основная цель такой герметизирующей заливки состоит в защите полупроводникового кристалла 2 в корпусе и соединительных проводников, использующих проволочные перемычки 7. Такой корпусированный полупроводниковый прибор 1 для использования обычно монтируют на поверхности монтажной подложки, такой как печатная плата. Корпусированный полупроводниковый прибор 1 электрически соединяют с этой же печатной платой или с электрической схемой другой печатной платы.

В общем случае, для создания электрических проводников в печатной плате часто применяют многослойную подложку, чтобы увеличить число таких проводников. При изготовлении многослойной подложки выполняют рисунок электрических проводников на тонкой диэлектрической подложке, прикрепляют эти рисунки проводников один к другому, наложив их один на другой, и соединяют проводники каждого слоя один с другим через сквозные отверстия. В слоях многослойной подложки на каждой диэлектрической подложке установлены соединители, а электрические соединения проводников выполнены посредством непосредственного соединения соединителей или кабельных соединений между соединителями.

Фиг.39 представляет собой вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации электронного устройства 700, включающего установленные один на другой корпусированные полупроводниковые приборы 1а и 1b. Электронное устройство 700, показанное на Фиг.39, содержит корпус 12, внутри которого расположены два корпусированных полупроводниковых прибора 1а и 1b, монтажные подложки 10а и 10b, шасси 11, соединители 14 и кабели 15.

Корпусированный полупроводниковый прибор 1а смонтирован на нижней подложке 10а, а корпусированный полупроводниковый 1b смонтирован на верхней подложке 10b. Эти корпусированные полупроводниковые приборы 1а и 1b прикреплены к шасси 11, так что поверхности этих корпусированных полупроводниковых приборов 1а и 1b приведены в контакт с шасси. Это позволяет отводить к шасси 11 тепло, выделяющееся во время работы в корпусированных полупроводниковых приборах 1а и 1b. Указанные две подложки 10а и 10b прикреплены к шасси 11. Шасси 11 далее прикреплено к корпусу 12. Для крепления подложек 10а и 10b к шасси 11 и крепления этого шасси 11 к корпусу использованы резьбовые элементы 13. В качестве материала шасси 11 можно использовать металл, твердую пластмассу или другой подобный материал. Более того, передача данных между корпусированными полупроводниковыми приборами 1а и 1b осуществляется путем создания соединителей 14 на нижней подложке 10а и на верхней подложке 10b и соединения этих соединителей 14 одного с другим с использованием кабелей 15.

Применительно к электронному устройству 700 для передачи/приема сигнала миллиметрового диапазона. Патентная Литература 1 описывает диэлектрический волновод. Этот диэлектрический волновод содержит пару главных электропроводных слоев, два ряда групп сквозных отверстий и дополнительный электропроводный слой. Главные электропроводные слои расположены параллельно один другому, а между ними находится диэлектрик. Группы сквозных отверстий расположены таким образом, чтобы можно было электрически соединить главные электропроводные слои один с другим с интервалами между точками соединения не более критической длины волны в направлении передачи сигнала. Дополнительный электропроводный слой соединен с группами сквозных отверстий и выполнен параллельно главным электропроводным слоям. В диэлектрическом волноводе при передаче электрического сигнала через область волновода, окруженную главными электропроводными слоями, группами сквозных отверстий и дополнительным электропроводным слоем, по меньшей мере в одном из главных электропроводных слоев выполнена щель для электромагнитной связи с высокочастотной линией передачи. Эта высокочастотная линия передачи включает микрополосковую линию передачи, расположенную напротив указанной щели. Когда диэлектрический волновод выполнен описанным выше способом, этот волновод может быть легко электромагнитно связан с другой высокочастотной линией передачи, так что между волноводом и линией возможна передача сигнала. Кроме того, можно создать волноводную линию передачи, обладающую стабильными характеристиками в дециметровом, сантиметровом и миллиметровом диапазонах длин волн.

Перечень литературы

Патентная Литература

Патентная Литература 1: JP 2004-104816 А (стр.4, Фиг.1)

Краткое изложение существа изобретения

Техническая проблема

Однако применительно к известным электронным устройствам 700 для передачи/приема сигналов миллиметрового диапазона имеют место следующие проблемы.

i. В электронном устройстве 700 корпусированные полупроводниковые приборы 1а и 1b, показанные на Фиг.39, прикреплены к шасси 11, так что поверхности этих корпусированных полупроводниковых приборов 1а и 1b приведены в контакт с шасси 11, а соединители 14, выполненные на нижней подложке 10а и верхней подложке 10b, соединяет кабель 15. Более того, между корпусированными полупроводниковыми приборами 1а и 1b осуществляется передача данных. Однако при увеличении объема данных, обрабатываемых в электронном устройстве, число электрических проводников, соединенных с корпусированными полупроводниковыми приборами 1а и 1b, может увеличиваться.

Например, в корпусированном полупроводниковом приборе, используемом в качестве запоминающего устройства, при увеличении размерности данных от 32 бит до 64 бит, ширина адреса также увеличивается. Вследствие этого возрастает число электродных клемм 5 в корпусированных полупроводниковых приборах 1а и 1b. Таким образом, может возникнуть проблема, состоящая в увеличении размеров корпуса. Это, в частности, обусловлено тем фактом, что размер электродной клеммы 5 на промежуточной подложке 4 увеличен по сравнению с размером электродной площадки 3 на полупроводниковом кристалле 2.

ii. Поскольку число электрических проводников в подложке 10, соединенных с корпусированным полупроводниковым прибором 1а, увеличивается, становится все более необходимо использовать многослойную структуру в подложке 10. Вследствие этого может проявиться проблема увеличения стоимости.

iii. Подложки 10а и 10b используют многослойную структуру, что ведет к увеличению числа соединителей 14, необходимых для соединения нижней подложки 10а с верхней подложкой 10b, и числа выводов кабеля 15. В результате может возникнуть проблема, состоящая в том, что физические размеры соединителя 14 и кабеля 15 увеличиваются, форма соединителя 14 и кабеля 15 усложняется, надежность соединителя 14 и кабеля 15 уменьшается, а стоимость устройства растет.

iv. Поскольку многослойная структура приводит к использованию множества соединителей 14 и кабелей 15, конфигурация, форма и расположение подложек 10а и 10b, шасси 11 и корпуса 12 в электронном устройстве оказываются усложнены. Вследствие этого может возникнуть проблема, состоящая в увеличении стоимости изготовления, увеличении числа сборочных операции и возрастании сложности операций сборки.

v. В дополнение к этому можно рассмотреть случай, когда электронное устройство для передачи/приема сигналов миллиметрового диапазона выполнено с использованием диэлектрического волновода, описанного в Патентной Литературе 1.

В этом случае в конструкции показанного на Фиг.39 электронного устройства 700, включающего расположенные один над другим корпусированные полупроводниковые приборы 1а и 1b, была рассмотрена замена соединителя 14 и кабеля 15 диэлектрическим волноводом. Однако даже если соединитель 14 и кабель 15 заменить диэлектрическим волноводом, может возникнуть проблема, связанная с тем, что трудно передать высокоскоростной модулирующий сигнал, такой как сигнал миллиметрового диапазона, без ошибок.

Настоящее изобретение было сделано с учетом указанных выше проблем и направлено на создание конструктивно простой системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, которая бы не зависела ни от соединителей, имеющих некоторое число клемм, ни от кабелей, требующих относительно большой площади для монтажа. Целью настоящего изобретения является создание полупроводникового прибора, способа изготовления такого прибора, устройства для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, способа изготовления устройства и системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик.

Решение проблемы

Согласно первому аспекту настоящего изобретения для достижения указанной выше цели предложен полупроводниковый прибор, включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне; антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом; изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрывать полупроводниковый кристалл; и элемент для пропускания миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, способный пропускать сигнал миллиметрового диапазона, и соответствующий антенной структуре.

Когда антенная структура закрыта изоляционным элементом, этот изоляционный элемент включает в себя диэлектрик, способный пропускать сигнал миллиметрового диапазона. Например, в случае конфигурации, в которой в одном корпусе смонтированы несколько полупроводниковых кристаллов, выполненных с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, и в которой вся антенная структура также закрыта изоляционным элементом, этот изоляционный элемент, закрывающий полупроводниковые кристаллы, служит элементом для пропускания миллиметровых волн, позволяющим осуществлять передачу сигналов миллиметрового диапазона между множеством полупроводниковых кристаллов.

При использовании полупроводниковых приборов согласно настоящему изобретению, если два таких полупроводниковых прибора, имеющих одинаковую конфигурацию и способных передавать сигналы миллиметрового диапазона согласно настоящему изобретению, привести в контакт один с другим так, чтобы их элементы для пропускания миллиметровых волн оказались между ними, и включить эти полупроводниковые приборы, можно передавать сигнал миллиметрового диапазона от одного полупроводникового прибора к другому полупроводниковому прибору.

Согласно второму аспекту настоящего изобретения для достижения указанной выше цели предложено устройство для передачи сигналов миллиметрового диапазона, включающее в себя: первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на одной подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрывать полупроводниковый кристалл; второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на другой подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрывать полупроводниковый кристалл; и элемент для пропускания миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью пропускать сигнал миллиметрового диапазона, и расположенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором, причем первый полупроводниковый прибор и второй полупроводниковый прибор смонтированы так, что элемент для пропускания миллиметровых волн расположен между ними для обеспечения передачи сигнала миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.

При использовании устройства для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно настоящему изобретению обеспечивается передача сигнала миллиметрового диапазона от первого полупроводникового прибора ко второму полупроводниковому прибору через элемент для пропускания миллиметровых волн, расположенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором.

Согласно третьему аспекту настоящего изобретения для достижения указанной выше цели предложен способ изготовления полупроводникового прибора, содержащий этапы, на которых; изготавливают на подложке полупроводниковый кристалл, выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне; соединяют с созданным на подложке полупроводниковым кристаллом антенную структуру; изолируют полупроводниковый кристалл путем закрытия полупроводникового кристалла изоляционным элементом; и согласуют антенную структуру с элементом для пропускания миллиметровых волн, использующим диэлектрический материал, включающий в себя диэлектрик, способный передавать сигнал миллиметрового диапазона.

Согласно четвертому аспекту настоящего изобретения для достижения указанной выше цели предложен способ изготовления устройства для передачи сигналов миллиметрового диапазона, содержащий этапы, на которых: формируют первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, путем расположения на подложке полупроводникового кристалла, выполненного с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, соединяют с кристаллов антенную структуру и закрывают полупроводниковый кристалл изоляционным элементом, формируют второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, путем расположения на другой подложке полупроводникового кристалла, выполненного с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, соединяют антенную структуру с кристаллом и закрывают полупроводниковый кристалл изоляционным элементом; и формируют элемент для пропускания миллиметровых волн между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором с использованием диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, причем при формировании элемента для пропускания миллиметровых волн первый и второй полупроводниковые приборы монтируют через элемент для пропускания миллиметровых волн, так чтобы сигнал миллиметрового диапазона передавался между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.

Согласно пятому аспекту настоящего изобретения для достижения указанной выше цели предложена система передачи сигнала миллиметрового диапазона через диэлектрик, включающая в себя: первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке одного электронного устройства и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрывать полупроводниковый кристалл электронного устройства; второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке другого электронного устройства и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрывать полупроводниковый кристалл электронного устройства; и элемент для пропускания миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью пропускать сигнал миллиметрового диапазона, и помещенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором, причем указанные одно электронное устройство и другое электронное устройство контактируют друг с другом через указанный элемент для пропускания миллиметровых волн для обеспечения передачи сигнала миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.

Как описано выше, в любом аспекте согласно настоящему изобретению первый и второй полупроводниковые приборы, включающие в себя полупроводниковые кристаллы, выполненные с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, расположены таким образом, что их антенные структуры обращены друг к другу, так что между этими структурами находится диэлектрический тракт передачи сигналов. Вследствие этого можно передавать сигнал миллиметрового диапазона от первого полупроводникового прибора второму полупроводниковому прибору по диэлектрическому тракту передачи сигналов, созданному между этими первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором и способному пропускать сигнал миллиметрового диапазона. В дополнение к этому можно легко построить систему передачи сигнала миллиметрового диапазона через диэлектрик, не зависящую от соединителя с большим числом контактов и плоского кабеля с печатными проводниками, требующего большой площади для монтажа.

Любой аспект настоящего изобретения, имеющий описанную выше конфигурацию, можно применить, например, к системе связи в миллиметровом диапазоне, передающей сигнал миллиметрового диапазона с частотой несущей от 30 ГГц до 300 ГГц, который передает движущееся изображение (кинофильм), компьютерное изображение и т.п. с высокой скоростью.

Полезные результаты изобретения

В соответствии с конструкцией полупроводникового прибора и способом его изготовления согласно настоящему изобретению антенная структура соединена с полупроводниковым кристаллом. Кроме того, предложен элемент для пропускания миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, способный передавать сигнал миллиметрового диапазона, и совмещенный с антенной структурой. Когда вся антенная структура закрыта изоляционным элементом, изоляционный элемент, закрывающий полупроводниковый кристалл, также включает в себя диэлектрик, способный пропускать сигнал миллиметрового диапазона, для образования диэлектрического тракта передачи сигналов.

При такой конфигурации два полупроводниковых прибора, имеющих одинаковую конфигурацию и способных передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно настоящему изобретению могут контактировать друг с другом через расположенные между ними элементы для пропускания миллиметровых волн и работать в таком состоянии. Следовательно, можно передать сигналы миллиметрового диапазона от одного полупроводникового прибора другому полупроводниковому прибору. Более того, можно добиться передачи данных с высокой скоростью между полупроводниковыми приборами.

Таким образом, можно легко построить устройство для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, способное передавать сигналы миллиметрового диапазона с использованием простой и недорогой конфигурации в одном или в двух направлениях без зависимости от соединителя с большим числом контактов и плоского кабеля с печатными проводниками, требующего большой площади для монтажа.

В соответствии с конструкцией полупроводникового прибора и способом его изготовления согласно настоящему изобретению антенные структуры первого и второго полупроводниковых приборов, имеющих соответственно полупроводниковые кристаллы, способные осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, расположены так, что между ними находится элемент для пропускания миллиметровых волн.

В такой конфигурации можно передавать сигналы миллиметрового диапазона от первого полупроводникового прибора второму полупроводниковому прибору через элемент для пропускания миллиметровых волн, расположенный между этими первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором и способный пропускать сигналы миллиметрового диапазона. Таким образом, можно легко построить систему передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик в одном или в двух направлениях независимо от соединителя с большим числом контактов и плоского кабеля с печатными проводниками, требующего большой площади для монтажа.

В системе передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно настоящему изобретению первый полупроводниковый прибор, способный передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, сформирован на подложке одного электронного устройства и второй полупроводниковый прибор, способный передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, сформирован на подложке другого электронного устройства. Между этими первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором расположен элемент для пропускания миллиметровых волн, способный передавать сигнал миллиметрового диапазона, так что одно электронное устройство и другое электронное устройство контактируют одно с другим для передачи сигналов миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора через элемент для пропускания миллиметровых волн.

В такой конфигурации можно передавать сигналы миллиметрового диапазона от первого полупроводникового прибора второму полупроводниковому прибору через элемент для пропускания миллиметровых волн, расположенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором и способный пропускать сигналы миллиметрового диапазона. Таким образом, можно осуществлять связь между одним электронным устройством и другим электронным устройством без зависимости от кабеля связи и аналогичных компонентов для соединения этих двух электронных устройств одного с другим.

Краткое описание чертежей

Фиг.1 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации корпусированного полупроводникового прибора 20 в качестве первого варианта осуществления согласно настоящему изобретению;

Фиг.2 представляет блок-схему, иллюстрирующую пример внутренней конфигурации корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.3А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.3В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.3С представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.3D представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.3Е представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20;

Фиг.4 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно второму варианту осуществления;

Фиг.5 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример сборки устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.6 представляет блок-схему, иллюстрирующую пример внутренней конфигурации устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.7 представляет вид в перспективе, иллюстрирующий увеличенное изображение примера конфигурации устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, показанного на Фиг.4;

Фиг.8 представляет пояснительную схему, иллюстрирующую пример имитационной модели для проверки характеристик передачи и характеристик отражения устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.9 представляет график, иллюстрирующий пример моделирования характеристик устройства 200 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.10 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации устройства 300 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно третьему варианту осуществления;

Фиг.11 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации корпусированного полупроводникового прибора 20 с согласно четвертому варианту осуществления;

Фиг.12А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20 с;

Фиг.12В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20 с;

Фиг.12С представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20 с;

Фиг.12D представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления корпусированного полупроводникового прибора 20 с;

Фиг.13 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации устройства 400 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, имеющего структуру этажерочного типа «корпус на корпусе» (Package on Package (POP));

Фиг.14 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации устройства 400 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, имеющего структуру типа POP;

Фиг.15 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно пятому варианту осуществления;

Фиг.16А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 1 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.16В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 1 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.17А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 2 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.17В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 2 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.17С представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 2 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.18А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 3 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.18В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример 3 изготовления устройства 500 для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик;

Фиг.19А представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации системы 600 передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно шестому варианту осуществления;

Фиг.19В представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации системы 600 передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно шестому варианту осуществления;

Фиг.20А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления электронного устройства 601;

Фиг.20В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления электронного устройства 601;.

Фиг.21А представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления электронного устройства 602;

Фиг.21В представляет технологическую схему, иллюстрирующую пример изготовления электронного устройства 602;

Фиг.22А представляет схему, поясняющую сравнительный пример для седьмого варианта осуществления;

Фиг.22В представляет схему, поясняющую сравнительный пример для седьмого варианта осуществления;

Фиг.23А представляет схему, поясняющую общий вид конфигурации корпусированного полупроводникового прибора в седьмом варианте осуществления;

Фиг.23В представляет схему, поясняющую общий вид конфигурации корпусированного полупроводникового прибора в седьмом варианте осуществления;

Фиг.24А представляет схему, поясняющую подробный пример антенной структуры в корпусированном полупроводниковом приборе в седьмом варианте осуществления;

Фиг.24В представляет схему, поясняющую размеры каждой части, антенны, используемой в корпусированном полупроводниковом приборе в седьмом варианте осуществления;

Фиг.24С представляет схему, поясняющую характеристики каждой части антенны, используемой в корпусированном полупроводниковом приборе в седьмом варианте осуществления;

Фиг.25А представляет вид сверху, подробно поясняющий пример корпусированного полупроводникового прибора согласно седьмому варианту осуществления, в котором применена антенная структура, изображенная на Фиг.24;

Фиг.25В представляет вид сверху, подробно поясняющий пример корпусированного полупроводникового прибора согласно седьмому варианту осуществления, в котором применена антенная структура, изображенная на Фиг.24;

Фиг.26 представляет график, иллюстрирующий пример 1 моделирования характеристик корпусированного полупроводникового прибора согласно седьмому варианту осуществления, показанного на Фиг.25;

Фиг.27 представляет график, иллюстрирующий пример 2 моделирования характеристик корпусированного полупроводникового прибора согласно седьмому варианту осуществления, показанного на Фиг.25;

Фиг.28 представляет график, иллюстрирующий пример 3 моделирования характеристик корпусированного полупроводникового прибора согласно седьмому варианту осуществления, показанного на Фиг.25;

Фиг.29А представляет схему, поясняющую сравнительный пример для восьмого варианта осуществления;

Фиг.29 В представляет схему, поясняющую сравнительный пример для восьмого варианта осуществления;

Фиг.30А представляет схему, поясняющую общий вид конфигурации системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик в восьмом варианте осуществления;

Фиг.30В представляет схему, поясняющую общий вид конфигурации системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик в восьмом варианте осуществления;

Фиг.31 представляет график, иллюстрирующий пример 1 моделирования характеристик системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно восьмому варианту осуществления, показанной на Фиг.30;

Фиг.32 представляет график, иллюстрирующий пример 2 моделирования характеристик системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно восьмому варианту осуществления, показанной на Фиг.30;

Фиг.33 представляет график, иллюстрирующий пример 3 моделирования характеристик системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно восьмому варианту осуществления, показанной на Фиг.30;

Фиг.34 представляет схему, поясняющую конструкцию корпусированного полупроводникового прибора согласно первому модифицированному примеру;

Фиг.35 представляет схему, поясняющую конструкцию корпусированного полупроводникового прибора согласно второму модифицированному примеру;

Фиг.36 представляет схему, поясняющую конструкцию корпусированного полупроводникового прибора и системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно третьему модифицированному примеру;

Фиг.37 представляет схему, поясняющую конструкцию системы передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик согласно четвертому модифицированному примеру;

Фиг.38А представляет вид сверху, иллюстрирующий пример конфигурации известного корпусированного полупроводникового прибора 1;

Фиг.38В представляет вид в разрезе по линии X3-X3, иллюстрирующий пример конфигурации известного корпусированного полупроводникового прибора 1; и

Фиг.39 представляет вид в разрезе, иллюстрирующий пример конфигурации электронного устройства, включающего установленные в нем один на другой корпусированные полупроводниковые приборы 1.

Описание вариантов осуществления

Далее, полупроводниковый прибор, способ изготовления прибора, устройство для передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик и способ изготовления устройства согласно настоящему изобретению будут описаны со ссылками на прилагаемые чертежи.

1. Первый вариант осуществления (корпусированный полупроводниковый прибор 20: пример конфигурации