Способ записи инфорд^ации на магнитный носитель

Способ записи инфорд^ации на магнитный носитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советскиз

Социалистическил

Республик

К АВТОРСКОМУ СВЙДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт.:!3»лет«ль«TH №вЂ”

1 л 2121, 37,82

Заявлено 21.V1.1966 (№ 1084339, 18-24) с присосд! »сии«м зяянк11 Л

МП1 Н 031»

УДЬ; 681.327.11(088.8) Приорит«т

Опубликовано 26.V111.1969. Бюллетень ¹ 27

Дата опубликования описания 22.Е1970

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Автор изобретения

А. Г. Экмекчян

ЗаяВ!!Тс;! ь

СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ НА МАГНИТНЫИ 11ОСИТЕЛЬ

Изобретение относится к области Вычислительной техники и предназначено для использования в устройства.; записи информации на магнитной поверхности.

Известные способы записи информации ня магнитный носитель, основаиньц ия ирш1циис самосиихроииза1»1и, предлагают двукратно меняющуюся частоту следования перепадоч наматниченности иа носителе в зависимости от записываемой кодовой комбина!»!и, что при повышениhlх плотностяx записи вызывает изменяющуюся интерференцию смежных магнитных отпечатков, проявляющуюся в переменных фазовых смещениях последних при c»èòûâ2нии и сткима1ощуlo его надежность.

Отличием описываемого способа является Io, что единш1ы двоичного кода записывают перепадом намагниченности от максимального в одном направлении до нулевого уровня, а нули — полным перепадом иамагни ICHHocTH между максимальными уровнями в обоих направлениях и осуществл5»от амплитудную селекцшо сшна foi3 нулей и единиц при c I,lòûпяинн.

=!то позволяет повысить надежность при счи-ывании за счет постоянной частоты следования магнитных отпечатков на нос;пеле и их постоянного взаимного фазового смещения, что упрощает процесс селекции воспроизводимых единиц и нулей.

При использовании да»ног!1 способа мапигный носитель предварительно размагничива-!

OT il OOPCIiP. »1Вают комму Т2111»0 Тока В ГОЛОВкс ири записи Гя:>им образом, 1то ири записи

«7l »i!i», ЛВОН и!ОГО код;l этОт ток НЗ .>!с»ЯСTc51 0 Г н«кс 1 ОРОй 13«, »l. »IH11, IocT2TO !HOÉ лл51 и

И ЯСЫIЦСП ИЯ, ДО В«ЛИЧИНЫ, СООТ13ЕТСТВ 10!ЦЕИ рязмап»гчснному состояншо носителя, я при

=,à.iè-ii нуля — от первоначальной величиш>1 до::12>!С1!Ня, 00«c«eЧНВЯ101цеГО наiia!7»»III132: u«»î »тели дll насыщения в противоположном иапраглснии> причем коммутация исрво»212:»,ной всл1гчинь1 тока после зя11иси двоичIIОГО С!13 !ЗОЛЯ ОСМIЦССТЗ7ЯCТСii 01111ХjIОП11ЗIIРУ!015 щим сип1ялом, 1 различение нуле» i! еди1»и1 ири сч1ггываии 1 осущсствля«тс»»ростой сс,IcH1I!!p» lio ам»;lи Гу I«, изз1«ня!О!ц«йся нример::О ГДВОЕ.

П рсд .,1ст изобретения

Способ зяпи«1 информации Н2 магнитный

11оситель> основа! ный на принципе самос»»крон!ьзяllliii, От !и !!О!!рйс 1 тем, что, с целью повышения надежности при считыва ши, еди25»ицы двоичного кола записывают перепадом

И ЯМ 21 !»1 1С>»liOCTII 0 1 М 71ССИМ с1ЛЬ110ГО В ОДНОМ направлении до:1улсвого уров»51, а нули— полным перепадом намягничеш1ости между максимал1Н1ыми уровнями в оооих иаправле30 ниях и Осуществл5110Г ям!1л1!7удну10 селекц»10

Сill ИЯ. 1 О В »3 7C!i И С j»11 ИЦ HPII СЧИТЬ1 >ЯНИН.