Институт ан ссср

Институт ан ссср

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОААУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

251ОИ октз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. Оьч1детсльст1111 М

Кл. 21а-, 18/08

Заявлено 25.Ч.1967 (№ 1159701,126-9) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 26.Ч111.1969. Ьюллстсиь М 27

Дата опубликоваштл описаштл 5.11.1970

МПК Н 03f

Котлитет па делатл изобретений и открытий при Совете ййинистрав

ОССР х ДК 621.375.132.3 (088.8) Авторы изобретения

Ю. Ф. Струтынский и Ь . С. Зненштейн

Геологический институт АН СССР

Заявитель

ЭМИТ! ЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ

Известные устройства с применением частотно-зависимых обратных связей для получения большого входного сопротивления не обеспечивают желаемого эффекта для сигналов низкой входной частоты.

Описываемое устройство отличается от известных тем, что к составному триоду его подключен эмиттер дополнительного триода противоположного типа проводимости, коллектор которого заземлен, а к базе его подключен источник входного сигнала. Это позволяет увеличить входное сопротивление устройства.

На чертеже изображена принципиальнал схема устройства.

Оно представляет собой двухзвенный эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторах 1 и 2 прямой (р — n — р) проводимости в комбинации с дополнительным транзистором 8 обратной (n — р — n) проводимости.

Известно, что входное сопротивление двухзвенного эмиттерного повторителя в первую очередь зависит от коэффициента статического усиления тока транзистора, но реализовать на практике это условие можно лишь для сравнительно небольшой величины требуемого входного сопротивления, так как для питания базы транзистора 1 с большим статическим усилением требуется значительный ток, для обеспечения и стабилизации которого в цепь базы должен быть установлен относительно изкоомный делитель напряжения, что приводит к шунтированию входного сопротивления.

5 Согласно изобретению предлагается питать базу транзистора 1 повторителя через управляемый делитель — кремниевый транзистор 3. Его база, в свою очередь, для обеспе:1еиил работы транзистора потребляет мил10 лимикроамперный ток через внутреннее сопроTèâëå11èå генератора 4 или через резистор

5, величина которого во избежание шунтироваштл входа выбирается больше последнего.

Применение кремниевого транзистора для

15 питания базы транзистора 1 существенно повышает также стабильность устройства, пос1 .Ольку 311ачение Обратного т01 .а 1 ремниевого транзистора в 1000 раз меньше, чем у гер»a»»enoro. Наиболее подходят для этой цели

20 кремниевые транзисторы обратной (n — р — n) проводимости типа МП-103, П-505, а также полевые транзисторы.

Таким образом, питание базы высокоусилительного германиевого транзистора 1, осуще25 ствляемое управляемым током, приводит к положительному эффекту, т. е. резкому увеличению входного сопротивления устройства на 2 — 3 порядка.

Предлагаемое устройство прп коэффициен30 те передачи, близком единице, стабильно в